产品研发层面，25GDFB及以下速率光芯片已完成研发与试生产，逐步迈人量产阶段;适配400G/800G/1.6T光模块的大功率CWDFB激光芯片、50GEML激光芯片按计划稳步推进研发;面向Micro LED光互连CPO技术的MicroLED光源芯片，已完成研发并进入样品验证测试阶段，核心技术储备持续完善。
高速光模块（400G/800G/1.6T）
DSP 现状：依赖博通、Marvell等海外厂商，是当前高端模块交付瓶颈之一。
自研进展：已完成1.6T PAM4 DSP设计流片，进入客户验证与可靠性测试，尚未量产。
配套模块：1.6T OSFP DR8 模块设计完成，预计2025 年底送样。
中低速光模块（100G 及以下）
多采用外购 DSP/ASIC方案，部分低端模块用简化 DSP 或 MCU。
Micro LED CPO（特色路线）
无需高速 DSP：基于 GaN LED 成熟工艺，单通道低速、多通道并行，规避高端 DSP 依赖。
优势：功耗约1–2 pJ/bit，1.6T 方案功耗仅1.6W（传统模块约 30W）；BOM 成本更低。
进展：Micro LED 光源芯片研发完成，送样验证中；2026 年上半年启动 100G 量产能力验证。
二、技术与产能支撑
化合物半导体平台：氮化镓（GaN）、砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP），支撑光芯片与 DSP 研发。
光芯片进展：25G DFB 量产；50G EML、大功率 CW DFB 研发中。
产能建设：5 万㎡高速光模块洁净基地启用，400G/800G 进入小批量生产。
三、时间线（截至 2026 年 4 月）
✅ 2024–2025：启动 DSP/ASIC 研发，完成 1.6T DSP 流片与模块设计。
🔄 2025 年底：1.6T 模块送样；Micro LED CPO 样品验证。
⏳ 2026 年：DSP 客户验证；Micro LED CPO 100G 量产验证；50G EML 研发推进。
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