阅前提示：本文花费巨大精力查阅大量资料，反复验证，尽量力求准确，但也难免可能会有表述出入的地方。
第一部分 1.6T光模块扩产在即和关键瓶颈环节
1.6T光模块全球需求与国内厂商供应情况分析
根据最新行业数据及厂商动态，2026年全球1.6T光模块需求预计2000万只以上（有测算目前规划需求或可到3800万只，随着CPO/OCS的渗透需求只会更多，CPO渗透率26年可能达到10%，29年Yole等机构预测可能达到50%，OCS占比比CPO低不少，预计CPO的渗透率仍更高为主导，也有观点二者可协同降低功耗），国内厂商（如中际旭创、新易盛等）占据核心供应链地位，规划产能合计超1000万只，但实际交付能力受硅光技术爬坡及EML芯片供应等影响，供需矛盾突出。
一、全球需求量预测
1、总量预期
谷歌：2026年1.6T光模块需求预计1000-1200万只（占全球需求35%-40%），其中70%由中际旭创供应。英伟达：Rubin芯片配套需求从500万只上调至1500万只以上，若Rubin量产超预期，总需求可能突破2500万只。Meta、亚马逊等云厂商资本开支激增（2025年同比增速30%-50%），进一步推高需求。AMD也已明确后续会有大量的800G、1.6T 模块需求。（作为对比：2025年上半年1.6T出货不足100万只，全年在250-500万只，提速明显，且12月17日显示1.6T光模块1.6T光模块零售价从1200美元/只飙升至2000美元以上，涨幅超70%，反映供需紧张）2、技术迭代带来的需求升级AI服务器单机光模块搭载量从8-16个提升，一个大型算力中心需求可达几十万只
。1.6T光模块价值量较800G翻倍（从1:2.5提升至1:5），英伟达GB300服务器已采用该方案
3、需求结构
北美市场：占全球需求70%以上，谷歌、亚马逊、Meta等云厂商资本开支激增（2025年同比增速30%-50%），推动1.6T模块需求。国内市场：阿里、字节跳动等加速智算中心建设，新增需求超50亿元，但占比仍低于30%。
二、国内厂商供应能力
核心厂商产能规划
①中际旭创：2026年规划产能560-800万只（硅光方案占比70%），泰国工厂月产能50万只，已通过英伟达、谷歌认证。②新易盛：未披露具体数字，但800G产能达900万只，1.6T产能预计达300-420万只（新易盛2026年1.6T光模块规划产能以泰国工厂为核心，基于其公布的2026年1.6T月产能目标25-35万只测算）③剑桥科技：2025 年 9 月光博会展出 1.6 T 样品，计划2026年Q1大规模量产1.6T光模块，2026年1.6T占比目标20%。④光迅科技：800G 产线可直接升级做 1.6 T，2025 年已对外送样，处于客户验证阶段，预计 2026 年放量⑤华工科技：2025 年 12 月公告“具备 1.6 T 批量生产能力，已有小批量订单出货”，海外基地（泰国、马来西亚）同步扩产，月产能可快速爬升至 20 万只，公司表示具备3.2T光模块能力。⑥联特科技：1.6 T 模块已送多家客户验证，薄膜铌酸锂方案同步推进，2026 年有望小批量出货。 ⑦环旭电子（USI）：2025 Q3 发布两款 1.6 T 设计方案，越南海防厂规划 800G/1.6 T 共线月产能 10 万只，目标 2026 Q4 正式量产。⑧世嘉科技：拟收购的光彩芯辰是AMD光模块一供，在手订单饱满，且其1.6T产品预计在年底量产，其中2026年装机产能目标60–100万只（以800G为主）；当年预计出货约35万只（800G为主），2027年装机产能目标150–200万只（以1.6T为主）；当年预计出货约150万只（1.6T为主）。
⑨汇绿生态：2026年武汉钧恒鄂州一期年产150万只光模块新产线投产，800G光模块进入大规模交付和放量阶段，随着光模块订单外溢有向1.6T高速迭代需求。
⑩东山精密：2025年11月17日公告完成对索尔思光电（Sourcing Optoelectronics）的收购并于 10 月起纳入合并报表，2026年索尔思光电 800G 光模块预计开始放量，也支持向 1.6T 等下一代产品的快速迭代。
三、影响扩产进度的关键环节
有“卡脖子”且为系统性供给瓶颈。最硬约束为200G EML光芯片与法拉第旋光片/隔离器，并且在需求溢出的窗口期，电芯片（PAM4 DSP/Driver/TIA）也呈现紧缺/偏紧，加之CW光源的结构性紧张与设备/海外基地爬坡，共同决定2025–2026年1.6T的实际交付上限与份额集中度。受益方向明确：龙头光模块（中际旭创/新易盛/天孚通信）优先兑现；上游“稀缺环节”利好源杰科技、仕佳光子、东田微、福晶科技；电芯片国产替代主线利好优迅股份（25年12月19日上市）。
图：光模块结构与产业链分工（电芯片与光芯片并列为上游核心）1.、“卡脖子”环节与成因：按硬度排序
最硬①：200G EML光芯片（扩产周期长+良率低）
新建/改线扩产周期约1.5年，200G EML良率处于“个位数以上”，设备到位亦难以快速提产，成为1.6T传统EML路线的“天花板”。部分厂通过VCSEL产线改造略缩周期，但总体仍慢于需求上修斜率。需求侧（800G→1.6T升级）与客户加单并行，EML紧缺在2026年前后仍是行业共识，迫使硅光方案渗透率提升以对冲缺口。最硬②：法拉第旋光片/隔离器（上游垄断+配给）
旋光片由美国/日本少数厂商长期垄断，技术壁垒高、扩产慢；隔离器用量与光通道数正相关，随800G/1.6T与硅光占比上升而同步放大。形成“上游材料短缺+下游需求爆发”的错配，成为光模块产能扩张的硬约束并具涨价属性。结论：头部客户获得配给优先，二线更难稳定导入，行业份额进一步向龙头集中。硬③：电芯片（DSP/Driver/TIA）“紧缺/偏紧”（并列光芯片）
在需求溢出窗口，“DSP等上游核心零部件非常紧缺”，电侧供给扩张慢于需求（设计与代工集中于海外），出现交付错位/断档风险；同时大厂“做一批→消化→再启动”节拍易导致阶段性缺货，成为放量过程中可触发的链路瓶颈。结构因素：DSP主要由博通/Marvell设计、台积电代工，集中度高；国内25G以上自给率低（约7%），国产替代处于加速导入早期，产业对电侧“自主可控短板”形成共识。结论：电芯片与光芯片并列为上游核心紧缺，虽技术路径存在可替代与节能权衡，但在2025–2026放量窗口对交付节奏形成现实约束。次硬④：CW光源（整体可供，功率段结构性紧张）
随硅光渗透显著提升，70/100mW等高功率段需求跃升；行业对“总量相对充裕 vs 结构偏紧”的表述并存，取决于客户锁量与功率结构。国内源杰、仕佳等加速扩产与交付。结论：结构性紧张仍需动态跟踪，但非全行业最硬缺口；与EML“此消彼长”共同决定1.6T方案配比与成本曲线。软性约束：自动化设备交期+海外基地爬坡
设备“采购—到货—装配—调试”周期拉长，海外新线（泰国/越南等）爬坡至3Q26的节拍影响年度兑现；如USI（环旭电子）越南海防规划至月产10万只800G/1.6T，目标3Q26完成爬坡，印证行业“扩产仍需时间”。结论：不决定技术上限，但决定交付时间点与产能释放斜率。2.、对“中际旭创—新易盛—天孚通信”的影响中际旭创（龙头份额+硅光交付优势）
800G持续上量，1.6T已在2025H2起量、未来季度逐步增长；公司强调已做好核心物料准备与国内/海外产能扩建，2026–2027重点客户将大规模部署1.6T。在EML与隔离器等紧缺下，头部客户优先配给+硅光方案加速，公司确定性更强、份额与议价权提升。新易盛（第二家率先突破1.6T+泰国外延）
已在英伟达链1.6T EML实现小批出货、年底验证通过后有望扩至“数万只级别”；并有新拓展谷歌客户的市场预期。物料侧（EML/DSP）曾引发市场担忧，但公司通过扩产与供应链管理对冲。天孚通信（无源器件/光引擎+新技术卡位）
作为“A股器件天花板”，在隔离器、光引擎与CPO/OCS相关方向受益显著；无源器件紧缺叠加新技术渗透，提升公司价值量与客户黏性。3.、扩产“卡脖子”环节利好标的表1：1.6T扩产“卡脖子”与A股主要受益
环节卡脖子实质受益公司与逻辑200G EML光芯片扩产周期约1.5年、良率低，2026前后仍紧；推动硅光渗透提升- 中际旭创/新易盛：硅光占比提升、锁量优势，份额集中与议价权增强；- 源杰科技/仕佳光子：CW光源与光芯片国产替代顺势加速，100G EML芯片：源杰已实现量产并通过客户验证、长光已实现量产并持续批量交付，200G EML芯片源杰处于研发阶段，已完成样品开发并进行客户推广，尚未形成规模化出货、长飞正在客户验证中，尚未达到量产阶段，出货占比为零
法拉第旋光片/隔离器上游美日垄断、用量随通道增加，形成长期短缺与涨价逻辑- 东田微：隔离器核心供应，量价与稀缺性受益；- 福晶科技：旋光片率先实现自主生产，全链条优势显现；- 天孚通信：器件“天花板”，无源紧缺利好电芯片（DSP/Driver/TIA）需求溢出期“非常紧缺”，设计/代工集中海外，易现交付断档与优先配给；国产自给率低（25G以上约7%）- 优迅股份：国内电芯片龙头，10G以下全球第二、25G以上快速放量，布局400G/800G/128Gbaud相干与800G/1.6T硅光组件，国产替代加速；- 中际旭创/新易盛：头部配给优先与路线弹性（可插拔/LPO/硅光），保障交付节奏CW光源（硅光用）总量相对充裕但功率段结构性紧张，与硅光渗透率同步上行- 源杰科技/仕佳光子：高功率CW光源国内加速扩产与导入；- 天孚通信：光引擎/光源模块封装受益设备/海外基地爬坡设备交付与调试周期拉长，海外新线至3Q26完成爬坡- 中际旭创/新易盛/天孚通信：前瞻锁设备+海外布局，份额进一步集中备注：以上为“卡脖子—受益标的—逻辑链”匹配，龙头与稀缺上游更具确定性与弹性，国产替代（电芯片/光芯片）在2025–2026进入加速期。
4.、各环节情况龙头（确定性+份额集中）：
中际旭创：1.6T逐季放量+硅光交付优势，硬紧缺下配给优先、份额与盈利弹性增强。新易盛：第二家率先突破1.6T、海外产能扩充，英伟达/谷歌链导入预期明确。天孚通信：无源器件与光引擎“天花板”，隔离器紧缺+新技术渗透共振受益。稀缺上游（量价与国产替代双驱）：
源杰科技/仕佳光子（CW光源/光芯片）：硅光渗透驱动CW需求上修，国内加速扩产与导入。东田微/福晶科技（隔离器/法拉第旋光片）：上游材料短缺与用量放大下的量价齐升主线。电芯片国产替代主线（紧缺/偏紧下的导入窗口）：
优迅股份：国内电芯片龙头，25G以上快速导入，400G/800G/相干与800G/1.6T硅光组件布局，受益于“电侧紧缺+国产替代加速”。
第二部分：光模块中价值量最大环节进度详细拆解
光模块中芯片占最大价值量，占到大约80%，而核心芯片主要分为光芯片和电芯片，其中光芯片和电芯片的价值比大概为3:1，此前光芯片很火，上市公司主要有源杰、长光华芯、仕佳光子、永鼎股份，而电芯片的龙头优迅股份12月19日刚刚上市，因此这块此前几乎没有被提到过，今天就主要来拆解一下。
光芯片和电芯片之间的关系不是相互取代的竞争关系，而是作用不同的协同关系，且都是随着未来光模块里芯片速率越高而占比越高。
光芯片：位于光模块的核心上游，主要包括激光器芯片（发射端，实现电-光转换）、探测器芯片（接收端，实现光-电转换）及部分调制器芯片。光芯片决定了光信号的产生、传输和检测环节的基础性能，是光通信系统中实现高速、远距离、低损耗信号传递的“源头”。
电芯片：承担信号预处理、调制、放大、驱动、整形、时钟恢复和数字信号处理等功能，是“神经中枢”。典型产品包括DSP（数字信号处理器）、LDD（激光驱动器）、TIA（跨阻放大器）、LA（限幅放大器）、CDR（时钟数据恢复电路）、MCU（控制单元）、SerDes（串并转换）等。电芯片解决信号编码、调制、误码纠正、功率调节等问题，其性能决定了光模块能否高效、可靠地进行高速光电数据通信
光芯片和电芯片是现代光通信模块的“双核”，相互协同构成端到端信号处理的全链路闭环：没有光芯片无法完成光信号的高效发射和接收，没有电芯片无法实现高速信号处理与准确编码解调。其协同水平，是决定系统速率、稳定性、能耗以及制造国产化难度的核心因素。
一、前言导读
首先先讲个小白容易错误理解的误区，光模块里指的1.6T光模块目前通常是使用8通道实现的，也就是8个单波速率200G的芯片来实现的，其实如果用16通道的话，100G单波速率的芯片也能实现1.6T，但8通道有一些优势，比如：
交换机/路由器serdes普遍以 8 组差分对为一个「电口 macro」，每 lane 速率同步升级（25 G→56 G→112 Gbaud）。光模块只要「1:1」复制电通道即可，无需额外 gear-box，系统侧设计最简洁 。②封装尺寸与散热极限：
QSFP-DD/OSFP 宽度与 SFP 系列兼容，内部可容纳 8 根光纤对准阵列；再增加通道就要扩大壳体或缩小光纤间距，都会推高插损与散热难度。8 通道在 12 W 热包线内刚好能把 800 G/1.6 T 做出来 。③标准组织已固化 8-lane 规范：
IEEE 802.3 从 400 G 开始就定义 8×50 G PAM4；到 800 G 沿用 8×100 G PAM4，1.6 T 沿用 8×200 G PAM4。接口、FEC、管脚排列全部按 8 通道设计，产业链不必再为「非 8」重做连接器和测试仪 。④端口密度最大化：
与早期 16-lane CFP/CFP2 相比，8-lane 方案在 1 RU 面板上可做到 36-44 端口，密度提升 4 倍，成本下降 40-60 %，成为数据中心「速率翻倍、面板不翻倍」的最优解 。⑤多通道可“齿轮变速”：
8 通道可被 firmware 拆成 2×400 G、4×200 G、8×100 G 等多种配置，运营商可按需软切，资产利用率最高 。 因此现在主流技术协议和规范都用的8规范，从IEEE 802.3 从 400 G 起就定义 8×50 G PAM4，所以为了产业链上的方便，此后800G，1.6T也都一直沿用了8通道。
理解了以上，我们再去看光芯片和电芯片的进度就不会理解错了，1.6T光模块对应的光、电芯片也就是单波速率200G的就对了。
此时再梳理光、电芯片各企业的进度就容易理解些了。我在查阅相关资料时发现很多地方的表述也存在严重的混用、省略情况，很容易造成误解，因此在梳理之前还是要再次强调一定要注意单波速率和模块总速率，要不会分不清谁才是真正进度最快最好的，
根源在于行业里把“单通道（波）速率”和“模块总速率”两套口径混用，而且英文里 lane/wave 与 module/port 常常省略主语。只要抓住下面三张“对照表”，再多文章也能一眼拆穿：命名公式模块速率 ＝ 通道数 × 单通道速率官方标准永远先写“通道数”，再写“单通道波特率/比特率”。
例：IEEE 802.3ck 叫 400GBASE-DR4 ——“4”代表 4 路光通道，DR 的物理层是 4×106.25 Gb/s PAM4。媒体标题为了简洁，直接把乘法结果当名字，于是出现“400G”、“800G”、“1.6T”。单波/单 lane 速率
口语：「100 G」「200 G」
正式写法：100 Gb/s（Gbps）——小写 b，表示比特 per second线路波特率（信号速率）
口语：「100 G PAM4」
正式写法：100 GBaud（GBd）——大写 B，表示每秒符号数；
由于 PAM4 一符号带 2 bit，100 GBaud = 200 Gb/s，所以文章常把“100 GBaud PAM4”直接说成「200 G 单波」模块总速率
口语：「400 G」「800 G」「1.6 T」
正式写法：400 Gb/s、800 Gb/s、1.6 Tb/s——仍用比特每秒，但数值是“通道数 × 单通道比特率”的乘积
二、光模块角度光、电芯片国内外各企业进度梳理
从光模块视角看光/电芯片，核心是看“支持哪一代光模块速率”的器件能力与厂商格局，而不是裸速率本身。在当前产业节奏下，可以对应划分为：
100G 及以下光模块（内部主要用 2.5G/10G/25G 光/电芯片）；200G/400G 光模块（单波 25G/50G，对应 25G+/50G 光/电芯片）；800G 光模块（单波 100G，对应 100G 光芯片 + 50G/100G 电芯片）；1.6T 光模块（单波 200G，对应 200G 光芯片 + 100G/200G 电芯片）。这一划分与高端光模块市场空间拆分（100G/200G/400G/800G/1.6T/3.2T）相匹配。
光芯片：低速（2.5G/10G）国内已高国产化，高速（25G+，特别是 50/100/200G EML、CW）仍由欧美日主导；电芯片：25G 以下国内有一定供应，但 25G 以上几乎完全依赖美系 DSP/Driver/TIA 厂商。2021 年 25G 光芯片国产化率约 20%，25G 以上仅 5%；电芯片国产化率更低，“国内只有少数供应商涉足 25G 及以下速率的电芯片产品，25G 以上基本无国内玩家”。
从光模块产业链出发，结合 1.6T 关键环节梳理，全球主要光芯片厂商集中在 Lumentum、Coherent、Broadcom、三菱、住友等；国内则以源杰科技、长光华芯、仕佳光子、光迅科技、三安光电等为代表；电芯片则由 Marvell、Broadcom、Credo 等寡头控制，国内优迅等主要集中在 25G 及以下。
下表直接给出一张从光模块视角、按速率划分的光芯片 / 电芯片全球 vs 国内主要企业对比：
光模块典型速率（对应代际）对应单波/内部关键速率 & 典型器件器件类型海外主要厂商（光模块视角）国内主要厂商（光模块视角）说明与产业地位≤100G 光模块（含 10G/25G/100G）内部主用 2.5G / 10G / 25G 光芯片与电芯片光芯片（DFB/FP/VCSEL/PIN/APD）Lumentum、Coherent、Broadcom、三菱、住友：覆盖 2.5G/10G/25G 全速率 DFB/EML/VCSEL/PIN/APD，是全球早期电信/接入/低速数通模块核心供应商。源杰科技：2.5G/10G/25G/50G/100G DFB、EML 激光器及大功率硅光光源，已在电信接入和数据中心广泛应用，是国产光芯片龙头。光迅科技、海信宽带、仕佳光子、长光华芯、云岭光电：2.5G/10G/25G 有源光芯片量产，25G DFB 实现规模化量产，国产化率从 2020 年不足 5% 提升至 2023 年 25%。2.5G 及以下光芯片国产化率约 90%，10G 约 60%，这两档国内已基本掌握核心技术；25G 整体国产化率约 20%，但 25G 以上仅 4–5%，仍以海外厂商为主。这些芯片对应的光模块主要是 10G/25G/100G（四波 25G）等。电芯片（10G/25G Driver、TIA、简单 CDR）TI、MACOM、Semtech 等：提供 10G/25G TIA、Driver、CDR，在 10G/25G 以太网/接入光模块中占主导。优迅股份：155Mbps–100Gbps 全系列 TIA/LDD/收发合一芯片，10Gbps 及以下全球份额居前，25G/100G 已实现批量应用，是国内低中速电芯片龙头。
其他：嘉纳海威、亿芯源等在 10G/25G TIA 等中低速模拟前端具有一定替代能力。从光模块角度看：100G 及以下模块（特别是 10G/25G）中，国内在光芯片和部分电芯片上已有较高自给率，可以支撑运营商接入网/部分低速数通模块的国产化。200G / 400G 光模块（100G 四波或 50G×4）单波 25G / 50G 光芯片 + 25G/50G 电芯片，例如 4×25G=100G、8×50G=400G光芯片（25G/50G DFB/EML/VCSEL）Lumentum、Coherent、Broadcom、三菱、住友：已完全量产 25G/50G DFB/EML/VCSEL，支撑 100G/200G/400G 光模块，是 25G+ 高速光芯片绝对龙头。源杰科技：25G DFB 激光器规模化量产，国产化率从不足 5% 提升到 25%，并已推出 50G 激光器和 100G EML 样品；
云岭光电：25G 光芯片率先国产化并量产，50G 芯片送样测试；长光华芯、武汉敏芯、仕佳光子、三安光电等在 25G/50G 激光器和探测器上加速布局。25G DFB 实现规模化量产、国产化率 25%，标志着国内开始在 400G 时代的光芯片端切入，但 50G EML 等关键器件仍主要依赖进口。对应光模块上，国内中际旭创/光迅/海信等已在 200G/400G 模块上全球领先，但光芯片部分仍大量采购海外器件。电芯片（25G/50G PAM4/NRZ Driver、TIA、基础 DSP）TI、MACOM、Semtech：提供 25G/50G 驱动与 TIA，
Marvell、Broadcom：在 25G/50G PAM4 DSP/SerDes 上完成技术奠基，为 400G/800G 提供基础。国内少数厂商涉足 25G 电芯片：优迅股份在 25G/100G 驱动与 TIA 上已量产，用于 100G/400G 模块；其他如傲科光电、米硅科技等在 25G–50G TIA/Driver 有产品，但整体规模与性能仍弱于海外。25G 以上电芯片国内基本无规模玩家，25G 以上几乎全部依赖进口。
对应 200G /400G 光模块（尤其是数据中心 400G SR4/DR4），PAM4 DSP/Driver/TIA 仍主要由 Marvell/Broadcom/MACOM/Temtech 等供应。800G 光模块（现阶段主力）单波 100G PAM4（8×100 或 4×100×2），光芯片为 100G EML/DFB 或硅光 + CW 光源，电芯片为 100G 级 PAM4 DSP/Driver/TIA光芯片（100G 光芯片 + 70/100mW CW 光源）Lumentum、Coherent、Broadcom、三菱：100G EML/DML 单模激光器、25G/50G VCSEL、可调谐/窄线宽激光器等，是 800G 光模块光芯片主供厂；
海外高端 EML（尤其单波 100G）扩产不足已成为瓶颈。源杰科技：已形成 2.5G–100G DFB/EML 全系产品，并布局 200G EML、大功率硅光光源，可适配 800G 光模块，对接中际旭创等；
长光华芯：在 200G EML 芯片和 70mW CWDM4 CW 光源上达到样品/小批水平，进入中际旭创、天孚供应链；
仕佳光子：10G/25G/50G 有源 + AW.G 无源，正向 100G/200G 高速 EML/CW 进击；三安光电：400G 光芯片量产、800G 小批量出货、1.6T 研发储备，建立“400G 量产 – 800G 小批 – 1.6T 储备”的阶梯布局。从光模块视角：800G 模块（特别是单模 DR8/FR4）需要 100G EML/CW 光源，目前高端 EML 仍大量依赖 Lumentum/三菱/博通等，国内源杰/长光华芯/仕佳/三安正在加速替代，但整体国产化率仍在低双位数区间。电芯片（100G PAM4 DSP、112G TIA/Driver）Marvell、Broadcom、Credo、MACOM、Semtech：主导 400G/800G 用 PAM4 DSP/SerDes 与 112G TIA/Driver。
典型应用：为 800G 光模块、800G LPO、800G AEC/ACC 提供接口芯片，绑定英伟达、谷歌、Meta 等 CSP。国内公开资料中，800G 级 PAM4 DSP/SerDes 基本无成熟量产厂商；优迅等正在研发 400G/800G 收发芯片并完成回片测试，但主要处于样品/验证阶段，尚未在 800G 光模块中形成规模商用。对 800G 光模块而言，“电芯片基本全靠美系，光芯片高端 EML 仍主要外购”，模块端（中际旭创、新易盛、光迅）虽已全球领先，但关键上游仍是国产短板。1.6T 光模块（起量在即）单波 200G PAM4（8×200 或 4×200×2），光侧为 200G EML/硅光 + 高功率 CW 光源，电侧为 200G 级 DSP/SerDes + 112/224G TIA/Driver光芯片（200G EML、硅光用 200G CW 光源）Lumentum、Coherent、Broadcom、三菱、住友：正在向 200G PAM4 EML/MZM 迭代，配套 1.6T 光模块与 OCS/CPO 解决方案，是 200G 代际的绝对主导者。长光华芯：推出 200G EML 芯片并配套 70mW CWDM4 CW 光源，率先打破国内 200G EML 空白；
源杰科技：布局更高速率 DFB/EML 激光器和大功率硅光光源，定位为 1.6T 光模块核心光芯片供应商；
仕佳光子、三安光电：向 1.6T 光芯片研发延伸，形成“400G 量产、800G 小批、1.6T 储备”的箍形结构；
同时 光迅科技、海信宽带、华工科技 等综合厂也在 1.6T 硅光芯片/光引擎上布局。对 1.6T 光模块而言，光芯片环节的最关键短板是 200G EML 和高功率 CW 光源，目前仍由 Lumentum/三菱/博通等海外主导，国内长光华芯/源杰/仕佳/三安刚刚形成“从样品到小批量”的梯度，是未来 3–5 年国产化的主战场。电芯片（200G PAM4 DSP/SerDes、224G TIA/Driver）Marvell、Broadcom、Credo：在 1.6T 用 200G PAM4 DSP、224G SerDes 与 112/224G TIA/Driver 上处于第一梯队，是 1.6T 光模块和 CPO/OCS 的关键供应商。
Semtech、MACOM：提供 112GBd/224GBd TIA/Driver，用于 1.6T 可插拔与 AEC/ACC。国内目前在 200G 电芯片上基本处于研发与样品阶段：优迅等在 400G/800G 收发芯片、128Gbaud 相干收发电芯片方面完成回片测试；橙科微、海思、飞思灵等在部分 50G/200G PAM4 DSP 或相干 DSP 上有点状突破，但未形成 1.6T 主流生态。综合 1.6T 光模块产业链梳理看，DSP/SerDes 环节完全由 Marvell/Broadcom/Credo 控制，
国内厂商仍是“追赶者”，未来能否在 LPO/相干-lite 等非主流路线切入，是电芯片国产化成败的关键。
通过对比可以看出，光芯片和电芯片目前国内都比国外慢一些，光芯片比电芯片快一点，光、电芯片1.6T对应的200G单波速率芯片目前主供都是国外厂家，但是都存在供不应求，排产到27年的情况，国产厂家的突破和替代有很大的需求空间。
1、光芯片：
国际龙头：已处在100G向200G迭代的节点，即100G量产、200G起量。国内厂商整体：普遍处在从50G向100G升级的阶段，与国际头部存在1–2个代际差距。50G以上EML芯片（尤其是数通AI数据中心用）当前几乎完全依赖美、日企业进口，国内供应非常薄弱。国内多数企业在25G/50G EML仍停留于客户验证阶段，100G/200G则只有少数头部企业实现突破。
目前光芯片里进度比较快的就是长光华芯和源杰科技，其中长光华芯和源杰科技进度看似差不多，但仔细看描述长光华芯应该比源杰科技快一点点:
海外厂商进度排序（按“已量产出货与爬坡明确性”优先）：
Lumentum（朗美通）：100G EML出货创纪录；已向多家客户出货200G EML，2025年内持续爬坡；InP产能至2025年底翻倍；行业EML/CW供需缺口25%–30%。Coherent（高意）：100G/200G EML全产品线、IDM一体化规模化供应（为英伟达、AWS、Meta等提供光模块）。Broadcom（博通）：50G/100G EML量产供货，并覆盖APD/硅光等，综合供给能力强。三菱/住友等日系：长期量产高速激光器/EML，稳定供给全球高端市场。AOI 等：具备100G EML与25G DFB量产供给能力，覆盖特定细分市场。国内厂商进度排序（按“100G/200G EML量产与客户化进度”分层）：
长光华芯：100G EML已量产出货；200G EML已发布并开始送样/客户验证；70/100mW CW激光器推出或即将量产。源杰科技：100G EML完成客户端验证、等待批量订单（部分披露预计2025年下半年）；200G EML完成产品开发并推出/OFC 2025发表；CW 70mW已百万颗+出货、100mW通过客户验证。永鼎股份（鼎芯光电）：100G EML：批量化生产能力+小批量出货/备货，已锁定订单，26Q1–Q2规模供货；CW：与剑桥签26年保供（终端思科）；200G EML：内部指标~80%，27年目标市场化。仕佳光子：EML实现国产化（未见大批量交付口径）；数据中心硅光用CW光源已“小批量供货”，营收增速行业领先。索尔思光电：被多来源认定为具备一定EML芯片产能（同时为全球Top10模块商），但公开披露以模块业务为主。华工科技：参股公司的EML/CWDM处于验证中；公司本体以硅光/方案与长单备货保障为主。光芯片里要特别说明的有两个以光模块为主的公司华工科技和东山精密（收购索尔思）进度也比较快，甚至某些方面领先，但作为光芯片量产的代表长光华芯、源杰科技等更具代表性，索尔思兼具模块规模与EML自产优势；华工科技以硅光/方案侧推进更快。
华工科技提前储备了3.2T的光模块技术，但目前3.2T还未到量产时刻因此也未给估值，只能说公司超前布局，为未来做准备，这个要看各个公司的战略规划了，各行业都确实有一些公司有时候不局限于追赶而采取超前、隔代研究的，华工科技主要还是以直接生产光模块为主，1.6T已具备批量生产能力，东山精密26年800G光模块也将量产，华工和东山精密主要以光模块为主。
华工科技在硅光芯片自研与高端光模块上进展靠前，但公司400G平台仍以外购高速光芯片为主、并通过参股云岭光电协同EML与CW光源；其优势集中在自研硅光单波200G芯片与800G/1.6T硅光/LPO方案的产品化，而非100G/200G EML量产出货本身。若把“进度”定义为100G/200G EML的量产与规模交付，“东山精密+索尔思光电”快于长光华芯与源杰科技。索尔思长期量产高速EML（含100G，并披露200G EML进入量产）、已发布1.6T与800G全系列产品，且在江苏金坛落地InP高速光芯片产线；因此并购完成后，东山精密在高端EML的商业化成熟度和交付规模上具有先发与体量优势。就“国产化自主供给进度”看，国内IDM厂商里，长光华芯100G EML已量产出货、200G EML处于送样验证；源杰科技100G EML完成客户端验证进入导入、200G EML完成开发并对外发布，二者在“国产EML替代”链路上更具代表性。谁在“芯片”而谁在“方案”：华工科技的“快”体现在硅光与系统方案，而非EML量产：
明确“实现高端光芯片自主可控，具备硅光芯片到模块的全自研设计能力”，推出用于1.6T的单波200G自研硅光芯片与800G LPO/1.6T硅光方案，并进入海外头部客户送样测试与导入阶段。公司在投资者交流中直言：400G平台“目前大家还是主要用的进口芯片”；同时借助参股云岭光电，走“EML（云岭）+自研硅光”双轨，强调400G用EML（云岭）或硅光均有成本优势。结论：华工科技的强项是“硅光芯片+LPO/相干/1.6T模块”的产品化节奏，而非“100G/200G EML自供量产”。东山精密并购索尔思后的“快”体现在既有量产与规模交付：
索尔思已“量产基于100G单波PAM4的高速模块”，并“累计出货超1000万颗53GBd EML芯片”，在OFC25发布1.6T与800G全系列产品。多份机构材料称其具备“50G/100G EML自主设计制造能力”，并披露“200G PAM4 EML芯片进入量产阶段”。同时金坛工厂InP高速芯片产线规划扩产至2000片/月，800G模块年产能提升至100万只量级。结论：从“100G/200G EML的量产出货+海外一线客户交付”的维度，东山精密（并购索尔思）更快、更成熟。所以综合来看：
“量产+交付体量”：索尔思（东山精密）＞长光华芯（100G EML）＞源杰（100G导入）＞华工科技（EML采用国产/进口协同）。
“国产替代自主供给”：长光华芯、源杰在EML/CW上进展最具“国产替代”含义；华工科技在“自研硅光芯片+LPO/1.6T模块”上进度领先，但EML更多依赖外采/参股协同；东山精密通过并购取得高端EML自供能力（含国内金坛产线）。
2、电芯片
100G/lane（800G）仍是规模主力：厂商强调去年下半年订单大幅增加，800G需求持续强劲，1.6T转型进行中；短期利润与规模仍主要来自配套800G光模块。200G/lane（1.6T）为增量主轴：3nm+硅光融合与≥20%功耗下降是核心卖点；交换机从51.2T→102.4T的2年节奏为1.6T放量提供明确时间锚（2H26）。双寡头稳定延续至100G/200G单波：Marvell在PAM4 DSP市场份额约60%，Broadcom约30%，Credo个位数；800G主力与1.6T过渡阶段均延续此格局。商业化进度信号：Marvell5nm 对应1.6T光模块已出货，3nm Ara进入客户认证与导入；BroadcomSian3/Sian2M完成3nm与MMF/VCSEL双技术线发布，随交换机代际切换与生态协同加速渗透。海外电芯片进度呈现“高端高速率全面领跑”的格局，按技术与市场影响力排序依次为：Broadcom（博通）/Marvell（美满）＞Coherent（高意）＞Lumentum（朗美通）＞Intel（硅光）＞MACOM＞AOI＞日本住友/三菱；其中Broadcom/Marvell在PAM4 DSP与400G/800G高速短距数据中心链路中占比最高，综合技术与商业化成熟度领先。国内电芯片进度“低速率（≤10G）领先、25G及以上追赶加速”，按产品覆盖与量产落地排序依次为：优迅芯片＞嘉纳海威＞亿芯源＞飞昂创新；国内在10G及以下速率整体领先且出货量大，但25G及以上全球收入份额约7%，高端多通道/长距场景仍由海外主导，国内企业正加速推动400G/800G配套光模块及以上迭代与出货落地。Marvell 的 PAM DSP 迭代情况
Broadcom 支持200G/lane的DSP 芯片
资料来源：公司官网，国信证券经济研究所整理
表：按速率维度划分的电芯片进度与主要厂商概览（光模块侧）
速率（单通道）主要芯片类型海外主力厂商及进度国内主力厂商及进度相对格局小结≤10GTIA、Driver、LA、收发合一 MCU/CDRTI、Semtech 等，技术成熟、完全量产优迅、嘉纳海威、亿芯源等已成主流，2.5G/10G国产化率70–90%+，多家全球份额领先国内整体已基本补齐甚至局部领先25G25G NRZ/PAM4 TIA、Driver、收发合一MACOM、Semtech 等，25G TIA/Driver成熟，广泛用于5G前传/数据中心优迅已量产单通道25G、4×25G(100G)电芯片；部分厂商25G TIA/Driver批量应用，国产化率约50%（光芯片口径）国内已进入量产，但性能/良率+生态有差距50G50G PAM4 TIA/Driver（对标400G模块）MACOM、Semtech、TI 等有成熟50G PAM4链路用电芯片橙科微已量产50G PAM4 DSP，优迅、英思嘉等在50G PON、50G TIA/Driver处于开发或样品阶段，国产化率约20–30%（光芯片口径）国内小批量/样品状态，距离海外1代+100G/lane100G PAM4 Driver/TIA、线性级+DSPMarvell/Broadcom 100G/lane DSP全面量产，支撑800G（8×100G）主力节点优迅已实现100G TIA/LDD/LA批量出货并开发400G/800G收发芯片；国内DSP仅橙科微等少数厂商有100G级PAM4 DSP样品/工程品海外绝对主导，国内仅器件侧有突破，DSP严重短板200G/lane200G PAM4 Driver/TIA、200G/lane DSPMarvell、Broadcom 已推出3nm 200G/lane DSP并开始出货，支持1.6T（8×200G）国内仅处于200G/lane Driver/TIA少量研发+1.6T方向规划，如英思嘉有200G/lane Driver，橙科微宣称1.6T DSP在研，未见商用出货，优迅200G/lane（1.6T）在研尚未量产国内基本空白，仍处技术储备/规划阶段“电芯片”范围指光模块侧 DSP、TIA、Driver、LA、CDR 等模拟/数模芯片，不含光芯片（DFB/EML/VCSEL）。国产化率数据中“25G/50G”口径多为光芯片+器件整体，电芯片普遍更低；25G以上电芯片整体收入份额中国仅约7%可见在高速率的电芯片国内仍落后国外一代，是国产替代重点要突破的地方100G/200G档的胜负手在DSP：海外Marvell/Broadcom已进入200G/lane 3nm时代，国内在DSP上仍是“卡脖子”；若未来3–5年能出现一到两家在100G/200G DSP上真正商用落地的国产厂商，将是估值重塑级别的事件。3、光模块厂家自研芯片情况梳理此前液冷火热时也常有人担心服务器厂家自研液冷，认为液冷门槛不高，但是术业有专攻，很多东西很多年形成的经验、技术并不是轻易可替代的，就比如液冷里很关键的一个漏液控制，能做到和能做好差距就巨大，漏液造成的损失是巨大的，因此不必过于担心专业公司的专业性，在此梳理一二打消顾虑。
首先下结论：光、电芯片的门槛都很高，光模块厂家自研基本不可取，而且很多公司不会多元化发展，只做好自己的利润。芯片门槛分析：光芯片（硅光、DFB/EML/CW激光器等）门槛极高需长期材料、平台工艺积累，涉及外延、加工、封装等全流程，研发和量产经验壁垒大。如硅光芯片，还需要集成电路设计与光子集成的深度融合，以及高端工艺（纳米级）配合和多学科团队能力。光芯片的设计、可靠性、制造和良率控制，对资本、技术和产业协同要求非常高，是国际一线厂商“卡脖子”的核心环节。已有明确、可核验“自研光芯片（含硅光/EML/DFB/CW光源）”并应用于自家光模块的国内厂商主要包括：光迅科技、华工科技、中际旭创、华为（海思）。其中，光迅科技“硅光芯片可量产自给”，华工科技与中际旭创“自研硅光芯片”已用于800G/1.6T等高端产品，华为（海思）推出至200G/lane的1.6T硅光芯片能力。高速电芯片（DSP/TIA/LDD/CDR等）门槛更高，国产化率极低——高速DSP等仍极困难，主流模块厂未有芯片级自研量产案例特别是100G/200G及以上单波的PAM4 DSP、电模拟前端，涉及5nm/3nm先进制程、高速信号完整性和高速SerDes等系统级极致优化。国际龙头（如Marvell、Broadcom）已累计数十年算法IP、架构和工艺优化，门槛极难逾越，国内自研比例目前极低，25G以上电芯片中国厂商仅贡献全球价值7%左右。
电芯片端（DSP/LDD/TIA/CDR）：100G/200G单波等高速电芯片仍由海外主导，国内模块厂商未见公开披露已量产的自研DSP；行业普遍结论是“国产化率极低”，25G以上电芯片国内厂商价值份额约7%，更多由专业IC公司供给而非模块厂自研。
4、光、电芯片排产情况通过光芯片和电芯片对比发现，光芯片和电芯片在下一代1.6T光模块里国产厂家都需要加紧研究，其中光芯片比电芯片进度略快一些，但行业趋势不可挡，需求远大于供给，光芯片和电芯片排产都很紧张，（1）光芯片排产“锁期”与证据最核心结论：EML/CW 激光器紧平衡将持续至2026年底；龙头增产也难以完全覆盖缺口，客户侧“锁单排产”广泛存在。Lumentum：未来6个季度产能已售罄（在2025年11月披露），相当于排产覆盖至2027年中前后；并计划再提升40%产能，但仍被抢订。产业链调研与行业监测：多家厂商“未来两年（2026–2027）的产能已被提前预订完毕”；Coherent 指订单可见性已延伸至2028年。多家研报一致口径：LightCounting 预计 EML 与 CW 激光器短缺将约束市场增长直至2026年底（紧平衡维持至26年末→对应产能需“锁单滚动”安排）。情景化举证（结构化指标）：“EML 供需缺口从20%扩大至25–30%”→被动分配与锁单化加剧。1.6T将成26年大规模出货元年，带动上游核心物料“抢产能/锁产能”常态化。
解读：对光芯片而言，来自龙头的“6个季度售罄”、多厂“2026–2027已被预订”、以及“2028年可见性”这三条证据链共同指向——排产与锁单已穿越26年并延伸至27年，个别客户/品类已提前布局至28年。
（2）电芯片排产“锁期”与证据材料锁定与排产周期：一线调研口径显示，“很多公司（含DSP）物料基本都锁到了2027年”；这类物料包含DSP在内的关键电芯片，体现跨年滚动锁定采购与排产安排。交付节拍与前置拿料：产业交流明确“DSP lead time 很长，需要提前半年拿料”，对应至少1–2个季度的前置锁仓与产能排期。美系龙头在手“AI相关”大额积压：Broadcom 披露AI相关在手订单显著，包含“DSP、激光器、PCIe 等电芯片”，交换芯片 Tomahawk6（1.6T 配套）订单>100亿美元；并在将 DSP 从5nm切至3nm、强调可快速扩展以匹配需求——实质对应跨年持续交付的排产窗口（2026–2027）。行业共性现象：C&C 监测亦指出“多款核心物料产能被提前锁定”，虽然以光侧居多，但在1.6T放量的统一链路中，电侧（DSP/TIA/Driver）同样受客户集中认证与优先级配给影响，形成跨年度的滚动锁定格局解读：电芯片公开披露“精确到年份的排产表”少于光芯片，但“锁到2027年（含DSP）”的前线口径、半年级别的前置拿料，以及美系厂商超大规模AI相关在手订单，共同指向电芯片的实质排产亦跨越2026–2027年区间。
最后再说一个细节，这个优迅股份的招股书里提到的4通道128Gbaud其实用的就是上文提到的线路波特率单位，换算过来也就是 =1T 的总速率，介于800G和1.6T之间。
再看一下未来三大研发规划，都是高景气赛道：高速率电芯片、自动驾驶（面向L4和L5）、硅光
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