一、磷化铟晶片主要用于生产光模块中的激光器、探测器芯片
磷化铟（InP）属于第二代半导体。磷化铟晶体具有闪锌矿型结构，其熔点为1070°C。凭借其卓越的电子迁移率、出色的耐辐射性能以及宽大的禁带宽度，使得它成为制造高性能光电器件的理想选择。这种材料制作的器件能够有效地放大高频或短波长信号，为光电通讯领域带来了革命性的变革。利用磷化铟芯片制造的卫星接收器和放大器，能够在100GHz以上的超高频率下稳定工作，且性能稳定可靠。
目前磷化铟晶片主要用于生产光模块中的激光器、探测器芯片，下游主要运用于5G通信/数据中心、可穿戴设备等；砷化镓晶片主要用于射频器件产品、激光器件、传感器，常用高亮度发光二极管（HBLED）器件产品，下游可运用于手机及电脑、通信基站、无人驾驶、新一代显示（MiniLED、MicroLED）、工业激光、面容识别等领域。
受AI算力、数据中心和6G通信驱动，Yole预测全球InP衬底市场规模将从2022年的30亿美元增至2028年的64亿美元，年复合增长率达13.5%。这一增长主要由光通信、5G与卫星通信、新兴技术等领域推动。当前全球InP衬底市场高度集中，前三大厂商（日本住友电工、美国AXT、法国II-VI）占据91%的份额。
二、相关上市公司：云南锗业、跃岭股份
云南锗业：目前公司磷化铟产品认证已基本覆盖国内下游知名厂商，磷化铟晶片产能能够满足客户需求。
跃岭股份：参股企业中石光芯主要生产销售InP（磷化铟）外延片、光芯片及激光器件三大类产品。中石光芯的主要核心技术是外延结构设计、外延材料生长工艺、外延精细化工程控制。
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