长鑫4F²引爆记忆体股卖压，真正威胁是中国扩产速度。 回顾太阳能、面板、LED扩产史，并留意记忆体股筹码松动。
长鑫存储10月上旬公布4F² DRAM架构进展，预计年底前推出采用此架构的服务器DDR5 RDIMM。 4F²以垂直环绕栅极（VSG）晶体管，将内存单元面积较主流6F²缩小约三分之一，消息一出，韩、台、美内存股同步重挫。
不过多家机构对4F²的量产时程持保留态度。 晨星分析师认为，从长鑫发表4F²产品到达成具商业价值的良率量产，仍有很长的时间落差; Rosenblatt证券更估算，长鑫若以约17纳米制程生产4F²单元，单元面积反而大于对手以约12纳米制程生产的6F²单元。 高盛则指出，长鑫在技术上仍落后韩厂约两到三个世代，EUV等设备受出口管制，差距短期内难以缩小，HBM的追赶难度更高。 三星、SK海力士与美光也都尚未将4F²商业化。
长鑫股价反映了市场态度：发表新技术后不涨反跌，自年内高点回落逾三成。 市场担心的不是4F²，而是中国的扩产速度。 笔电品牌股的走势也反映同样的预期，市场开始押注记忆体高价期将缩短。 宏碁董事长陈俊圣就曾表示，记忆体涨势翻转的关键，在于中国DDR5何时大量开出。 中国过去在太阳能、面板、LED的扩产轨迹，正是判断这份担忧的参照。
太阳能：两度把价格打到腰斩
太阳能的扩产剧本演了两次，两次都是价格高点后不到两年，产能就明显超过需求，价格随之腰斩。 台湾同样付出代价，益通、茂迪连年亏损，茂矽停产、福聚声请破产、台积太阳能结束营运，台湾从此没有具规模的多晶硅料源。 业界形容当时中国厂商盖厂「好像不用钱似的」。
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