一、功率半导体再现涨价潮,巨头涨价在即,本年已不是第一次涨价。

功率半导体已开启了新一轮涨价。行业信息显示,英飞凌近日发布涨价函,计划对旗下部分产品实施价格调整,调整将于7月1日生效。而在今年2月,英飞凌已经发布过一次涨价函。这不是一家功率芯片大厂的行为,包括意法半导体、德州仪器在内的国际头部大厂此前也有价格变化。 国外涨价的时候,国内厂商同步跟进。自2月以来,华润微、士兰微、新洁能、捷捷微电、富满微等国内功率半导体企业也相继启动了涨价,涉及产品集中在MOSFET器件和IGBT,调整幅度普遍在10%至20%之间。华润微指出,本轮涨价不仅是成本推动,根本原因在于市场景气度支撑。
(第一轮涨价如下图)

而在近期,国内立昂微等大厂开始引领第二轮涨价。而国外英飞凌涨价在即,意法半导体、德州仪器也提及涨价计划。此外,一部分功率半导体供货企业,也发出了调价通知和涨价函。

二、功率半导体的涨价观点。
本轮的观点并不是IGBT、MOSFET和后续的SIC、GAN直接分离涨价,除去最低级别的功率半导体,受周期影响,工业级、车规级、AI服务器需求的第三代,都在涨价范畴。

1.大摩:行业拐点已经确认。
大摩认为,全球功率半导体市场自2025年第四季度开始已经恢复增长,MOSFET、IGBT等核心产品价格重新上涨,而过去两年行业资本开支大幅下降导致新增产能严重不足,如果需求没有出现明显恶化,那么涨价趋势有望持续到2026年下半年甚至更久。
4月份以来MOSFET和IGBT价格开始抬头,交期拉长,渠道库存偏低,下游客户甚至有点恐慌性备货的意思。
说白了,这不是需求多旺,而是产能没跟上,价格被迫往上走。这种由供给驱动的涨价,持续性往往比需求脉冲更强,因为产能建起来要两三年,而需求波动可能只需要一个季度。



2.高盛:AI电源和光模块封装,才是功率半导体的真增量
高盛认为AI服务器机架大规模部署,对电源管理组件的需求激增。是功率半导体的需求增长的重要因素。
高盛用了四张图展示英飞凌、TI、ST和华润微的远期市盈率走势,结论很清晰:2025年以来,所有龙头的估值都在突破历史区间上轨。
背后的逻辑是,市场意识到AI数据中心对功率半导体的需求不是一次性脉冲,而是持续性增量——每个AI服务器机架的电源复杂度远超传统服务器,光模块的功耗也在指数级增长。


3.韩国盯上!存储、MLCC之后,功率半导体迎新周期?
韩国政府正式启动“超级创新经济项目”,计划投入5000亿韩元(约合22.3亿元人民币)国家资金专项攻关功率半导体技术。首尔经济日报报道称,韩国正将功率半导体定位为堪比存储芯片的核心战略产业。


4.国内分析师观点—价值提升带动单品高质兑现
国内车规级功率半导体过往因为电车数量指数级上升,因销量带动消费。
但本年以来,随着AI大模型、无人驾驶等技术的发展。关键零件组对应的高级功率半导体芯片需求,带来了品质和价格的提升。

三、方向个股
1.国内功率半导体上市公司。
①华润微(688396):国内功率 IDM 标杆,MOSFET 市占率国内第一,覆盖 6/8/12 英寸全规格产线;车规 IGBT、SiC 器件布局完善。、
②扬杰科技(300373):分立器件 IDM 龙头,二极管、MOSFET、IGBT、SiC 全品类覆盖,光伏、储能、车载领域客户结构优质。
③士兰微(600460):全球功率器件前十,国内唯一拥有 5/6/8/12 英寸完整产线的民营 IDM;厦门 SiC 产线规划年产 42 万片,车规 IGBT、SiC 主驱模块持续放量,光伏、家电领域供应稳定。
2.晶圆与封装。
①
关联个股:中芯国际
关联依据如下:
晶圆代工产能紧张进一步加剧成本压力。功率半导体依赖8英寸晶圆成熟制程,但全球头部晶圆厂转向先进制程,国内代工厂将产能向AI芯片倾斜,导致功率器件代工资源紧张。中芯国际等已提价。



②封测和封测材料成本上涨。捷捷微电、新洁能等国内厂商及国际大厂Vishay均表示,成本压力。

除了住友电木以外,其他日本关联厂家本年也纷纷涨价。
关联个股:华海诚科、创达新材
环氧塑封材料(EMC)是从工业级、车规级、第三代功率半导体的重要封装材料。
华海诚科是"EMC全品类规模王",属于国内龙头。创达新材就是"功率/车规/第三代半导体封装材料的专精特新"。
华海诚科在收购华威以后,具有了高压高温SIC功率半导体的封装能力,有利于公司进一步切入全球AI芯片供应链。

北交所创达新材则是功率半导体环氧树脂小巨人。


3.原材料方向:
①硅基方向:

硅基功率半导体的重要原材料为硅片(8 英寸为主):重掺硅片(N 型 / P 型),8 英寸占比 90%+。
硅片:立昂微(8 英寸重掺市占 50%+)、沪硅产业、中环股份。
②SIC方向:

SiC 衬底(6/8 英寸):占总成本 40%-47%,价值最高、壁垒最强。
SiC 外延片:占 20%-30%,外延工艺决定器件性能。
封装材料(高导热 EMC / 陶瓷基板):占 15%-20%,SiC 专用 EMC 技术壁垒高。
SiC 衬底:天岳先进(8 英寸龙头)、露笑科技、三安光电。
SiC 粉料 / 石墨:合盛硅业(高纯 SiC 粉料)、楚江新材(高纯碳粉)、金博股份(高纯石墨)。
封装材料:华海诚科(SiC专用EMC)、创达新材(第三代功率半导体EMC)、中瓷电子(陶瓷基板)。
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