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【DrMOS芯片】图表
2026年7月27日盘中，据券商点评：从确定性角度考虑，DrMOS兼具国产链 + 海外国产替代：（1）DrMOS作为三次电源关键电子元器件，目前国产单芯片对应价值量接近1k元，28年国内AI DrMOS市场规模有望达到100e+，且竞争格局明显优于海外；（2）由于字节等过去与电源厂商未有合作，而需要大量DrMOS支撑自研芯片，以及部分国内厂商的供应商license续期问题，都切换国产；且服务器整机下游客户包含大量国企（如三大运营商），对元器件国产化率要求也逐渐提高；海外大厂逐渐退出。
【韩国三星概念】图表
1）2026年7月27日盘后讯，三星电子确认HBM5将采用2纳米GAA工艺 速度较HBM4E提升50%以上。
2）2026年7月25日讯，三星电子与SK海力士将与包括英伟达在内的美国大型科技公司达成总价值高达9500亿美元的存储芯片供应合作。三星电子与博通公司签署协议，拟合作开发先进内存芯片制造业务，该协议价值超过2000亿美元，期限为5年。
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