全球存储芯片供应短缺正在推动主要厂商加速扩产。三星电子正在加快平泽校区5号（P5）首条量产线（Ph1）的建设步伐，并将设备安装目标时间提前至明年第二季度；SK海力士则在日本东北地区启动了存储半导体工厂的前期准备工作。
三星P5 Ph1设备搬入提前至明年第二季度
三星电子正在加快平泽校区5号（P5）首条量产线（Ph1）的建设节奏。据28日消息，三星正与主要设备供应商讨论将Ph1设备搬入目标时间从原计划的明年第三季度提前至明年第二季度。
P5是三星下一代芯片生产基地，目标于2028年开始运营。Ph1洁净室的建设已于今年第三季度启动，洁净室是控制晶圆厂内微粒污染、温度和湿度的关键基础设施。三星原本计划于明年年初建造P5 Ph1洁净室，但将该时间表提前了约六个月，随后Ph1的设备安装被设定为明年第三季度左右。
然而，近期P5资本支出进一步加速。一位业内人士表示，三星告知设备供应商，明年5月或6月左右将开始将设备搬入P5 Ph1，而不是原计划的7月或8月。时间表已经因为洁净室提前建造而改变了一次，现在投资步伐更快。另一位消息人士称，三星甚至要求设备在明年第一季度交付，表示会将工具存放在其他地方，显示出对P5早期投资的坚定决心。
关于P5 Ph2投资的讨论也在成形。目前Ph1很可能被建成DRAM和高带宽存储器（HBM）生产线，而Ph2则作为领先的NAND生产线，包括第10代（V10）NAND。一位设备行业消息人士表示，尚未发出正式采购订单，但三星正与供应商讨论将P5 Ph2建成NAND生产线的计划。目前设备交货周期非常长，因此三星正要求供应商提前保障相关组件。
加速扩产的主要原因：存储芯片短缺将持续至2028年
三星加速资本支出时间表的主要原因是存储芯片短缺。全球大型科技公司正在增加用于构建AI基础设施的高性能DRAM和NAND订单，但包括三星在内的存储制造商由于产能限制，无法满足所有需求。
在7月的第二季度财报电话会议上，三星表示，基于收到的需求，今年无法满足的需求被推迟到明年，进一步增加了供应压力。三星补充称，预计明年的供应短缺将比今年更严重，这种短缺将持续到2028年。
SK海力士启动日本工厂前期准备工作
与此同时，SK海力士在日本的存储工厂建设也出现快速进展。据业内人士28日消息，SK海力士已开始在日本东北地区为半导体工厂进行前期准备工作。
就在一个月前，SK海力士还表示日本的存储工厂"正在审查中"，并且"尚未决定具体事宜"。如果属实，该公司以惊人的速度推进，仅在一个月内就开始了现场准备工作。
一位业内人士表示，目前尚不清楚这将是一个独立工厂，还是与铠侠（Kioxia）的合资项目，但现场基础工作确实正在进行中，这显示了SK海力士进入日本市场的强烈意愿。该人士补充称，SK海力士最近一直在要求国内零部件供应商扩大供应量，这是公司积极应对存储供应短缺的一个迹象。
日本东北地区：半导体生态系统的战略要地
东北地区是日本半导体和电子零部件产业的主要集群，以岩手县为核心。岩手县拥有铠侠的北上工厂，以及生产微控制器和功率MOSFET的日本半导体公司，以及负责后端加工的Amkor Technology。汽车零部件制造商电装和全球芯片设备制造商东京电子也在那里设有业务。
目前正在建设的SK海力士存储工厂将使该地区形成一个从前端到后端的全流程存储生态系统。这也是为什么在SK集团会长崔泰源8月表示集团正在考虑在日本建立合资存储工厂后，东北地区成为领先候选地的原因。当时崔泰源表示，SK正在考虑电力和水资源充足的任何地方，这进一步提升了进军东北的可能性。岩手县尤其以其优越的水利基础设施闻名，这得益于当地半导体企业的集中。
如果SK海力士在东北地区建成工厂，日本将与九州的台积电和北海道本土代工厂Rapidus形成半导体三角，从而通过半导体产业有效连接整个国家。
与此同时，SK海力士仍坚持表示尚未做出决定。一位公司官员表示，日本存储工厂目前仍在审查中，除了这一点之外，没有任何进展。
三星加速P5量产线建设、SK海力士启动日本工厂前期准备，两者共同反映了全球存储芯片供应短缺的严峻形势。在AI基础设施需求持续增长的背景下，高性能DRAM和NAND的产能扩张已成为存储厂商的战略重点。三星预计供应短缺将持续到2028年，这意味着未来几年存储芯片市场可能维持供需偏紧格局。
太极实业（600667）：与SK海力士合资成立海太半导体（太极持股55%、SK海力士持股45%），承接SK海力士无锡厂区70%以上DRAM及HBM封测订单，合作协议锁定至2030年，采用保底加工费模式；旗下十一科技同时承接三星、SK海力士洁净厂房EPC工程，是建厂阶段最先兑现的环节。
雅克科技（002409）：子公司UP Chemical是SK海力士HBM4/HBM5 ALD前驱体独家供应商，长协锁定至2027年，同时批量供货三星HBM产线，是A股唯一覆盖三大海外存储大厂的核心材料标的。HBM堆叠层数提升带动前驱体单晶圆消耗量指数级增长。
澜起科技（688008）：全球内存接口芯片龙头，DDR5内存接口芯片全球市占率超40%，三星、SK海力士所有DRAM/HBM模组标配，AI服务器需求爆发直接拉动量价齐升。2026年上半年预计净利润19亿-21亿元，同比增长63.9%-81.2%。
通富微电（002156）：承接三星约45%的HBM外包封测份额，同时是SK海力士全球15% HBM外包服务商，国内首家实现HBM3大规模量产，良率98%。
华海诚科（688535）：国内唯一量产HBM专用GMC环氧塑封料的企业，已通过SK海力士HBM4全流程认证，同时通过三星认证，适配12-16层高阶堆叠封装。
至纯科技:公司半导体湿法设备可用于HBM芯片生产制造。公司半导体湿法设备聚焦晶圆制造的前道工艺，主要应用于扩散光刻、刻蚀、离子注入、薄膜沉积等关键工序段前后，能够覆盖晶圆制造中包括逻辑电路、高密度存储、化合物半导体特色工艺等多个细分领域的市场需求，在28纳米节点设备开发已经全部完成，且全工艺机台均有订单，在更先进制程节点也已取得部分工艺订单。\r
作者声明： 本文转载自第三方，旨在提供资讯参考，并非证券推荐或投资建议。作者对内容的真实性、准确性不承担保证责任。本文不构成任何投资建议或证券推荐。截至发文日，作者与文中提及的标的不存在持仓关系。