MLCC单机需求上调80%，高容占比突破30%

大摩最新产业链调研释放关键信号。 AI服务器电源架构正在经历从主板VR到垂直供电、再到集成VR的三代跃迁。 在这一过程中，Embedded MLCC（嵌入式多层陶瓷电容）单机用量较GB300飙涨近80%，高容产品占比从18%跃升至31%。 【合规声明】本文所有内容均为自主改写、总结，不复制他人文章，不构成任何投资建议。 一、AI服务器电源架构重构，Embedded MLCC站上C位 ▎从主板VR到垂直供电，MLCC角色质变 AI服务器的功耗持续攀升，单颗GPU功耗已突破千瓦级别。传统主板电压调节方案（Mother Board VR）把电源模块放在主板上，电流需要经过较长的PCB走线才能到达GPU芯片。 随着AI训练集群规模扩大，这种设计的功率损耗和电压波动已难以满足HBM高带宽存储与ASIC芯片的瞬态电流需求。 Embedded MLCC通过将电源电路集成于ABF基板（Ajinomoto Build-up Film Substrate）内部，缩短与芯片的物理距离，实现垂直供电（Vertical Power Delivery）。 这种设计不仅降低了功率损耗，还释放了宝贵的板级空间，为高算力芯片腾出更多布局余量。据三星电机技术资料，Embedded MLCC的平坦表面改善了基板集成度和可靠性，同时增加了可用板级空间。 核心逻辑：电源完整性（Power Integrity）已成为AI服务器设计的瓶颈，Embedded MLCC是解决这一瓶颈的关键器件。 ▎三代电源架构跃迁，MLCC用量逐级递增 AI服务器电源架构经历了清晰的三代演进。第一代是主板VR方案（Mother Board VR），电容和电感均布置在主板上，MLCC用量相对有限。 第二代是垂直供电方案（Vertical Power Delivery），将高容MLCC嵌入基板与主板之间，缩短了电流路径，MLCC用量开始显著增加。 第三代是集成VR方案（Integrated VR），将PMIC（电源管理集成电路）与薄型MLCC、嵌入式电感直接集成在封装基板内，实现最高密度的电源交付。 每一代跃迁都伴随着MLCC用量和规格要求的双重提升。从数据来看，VR200相比GB300的MLCC用量增幅接近80%，正是第三代架构全面落地的直接体现。 关键数据：VR200采用集成VR架构，MLCC单机用量57万+颗，较GB300的约32万颗增长近80%。 ▎高容MLCC占比跃升，技术壁垒显性化 大摩拆解数据显示，NVIDIA Rubin系统（VR200）中，高容MLCC（47uF及以上）用量占比从GB300的不足20%跃升至31%。低容产品占比则从82%收缩至69%。 这意味着单机价值量提升不仅来自数量增长，更来自产品结构的高端化迁移。高容MLCC的制造工艺更复杂，对陶瓷粉体粒径、叠层精度、烧结一致性要求极高。 从供应链调研来看，高容MLCC的产能扩张周期通常在18至24个月，远高于低容产品的12个月。这意味着一旦需求爆发，供需错配的持续时间会显著拉长。

指标
GB300
VR200
变化幅度

MLCC单机用量
约32万颗
57万+颗
+78%

高容MLCC占比
<20%
31%
+13pct

低容MLCC占比
82%
69%
-13pct

电源架构代际
垂直供电
集成VR
第三代


二、需求侧：单机飙涨80%，2027年AI服务器MLCC市场规模逼近9亿美元 ▎VR200单机MLCC需求突破57万颗 据大摩供应链调研，VR200机柜的MLCC单位需求已上升至57万颗以上，较GB300增长接近80%。这一增幅远超市场此前预期。 反映出AI服务器从训练向推理延伸过程中，电源管理复杂度呈指数级上升。训练场景下GPU负载相对平稳，推理场景下瞬态电流波动更为剧烈，对去耦电容的容量和响应速度提出了更高要求。 从单机价值量来看，高容MLCC的单价通常是低容产品的3至5倍。产品结构向高容迁移，意味着即便MLCC总颗数不变，单机价值量也会显著提升。叠加数量增长，单机MLCC价值量的增幅可能超过100%。 ▎AI服务器MLCC市场三年翻九倍 大摩预测，AI服务器MLCC市场规模将从2024年的0.96亿美元，增长至2027年的8.93亿美元。2025年至2027年的复合增速超过100%，成为MLCC行业最具弹性的增量来源。 从产品结构来看，高容MLCC需求增长更快。2027年高容MLCC需求预计达到4.91亿美元，首次超越低容产品的4.02亿美元，成为AI服务器领域最大的MLCC细分品类。 这一结构性变化对供应商的产品组合提出了全新要求。传统以低容消费级产品为主的厂商，如果不能快速切入高容服务器级市场，可能面临增量红利流失的风险。

年份
低容（22uF及以下）百万美元
高容（47uF及以上）百万美元
合计百万美元

2022
2
0
2

2023
18
2
20

2024
86
10
96

2025
144
62
206

2026E
199
139
338

2027E
402
491
893


关键数据：2027年高容MLCC需求达4.91亿美元，首次超越低容产品，成为AI服务器MLCC最大细分。 ▎全球MLCC市场进入18%高增长通道 AI与数据中心需求推动下，全球MLCC出货额预计从2025年的147亿美元增长至2028年的243亿美元，三年复合增速18%。 这一增速显著高于过去十年6.5%的趋势水平。AI/DC相关收入占MLCC总市场的比例，将从2024年的约5%提升至2031年的30%以上。 从需求结构来看，AI服务器、高速网络设备、智能汽车是MLCC需求三大核心引擎。其中AI服务器的增速最快，但汽车电子的单车用量提升同样不可忽视。一辆L3级自动驾驶汽车的MLCC用量可达1万颗以上，且高容产品占比持续提升。

年份
全球MLCC出货额（亿美元）
AI/DC占比
YoY

2024
约135
约5%
-

2025
147
约7%
约9%

2026E
约175
约12%
约19%

2027E
约205
约18%
约17%

2028E
243
约23%
约19%


三、供给侧：产能滞后，价格进入上行周期 ▎现货价格飙涨，合同价格跟涨 深圳华强北现货市场自5月初出现显著价格异动。部分高容规格（如0805 27uF）年内涨幅已达6倍。分销商对现货客户的报价较周期底部上涨2至10倍。 头部供应商在2026年二季度已将分销商价格上调20%至30%，并取消批量折扣。部分厂商甚至停止接单，显示出供需缺口正在扩大。 从涨价结构来看，高容产品涨幅明显大于低容产品。这与AI服务器需求结构向高容迁移形成共振。消费级低容产品虽然也有跟涨，但涨幅相对温和。 值得注意的是，此轮涨价与2017年的超级周期有本质区别。2017年涨价主要由智能手机多点开花驱动，属于总量扩张；本轮则由AI服务器高容化驱动，属于结构升级。高容MLCC的ASP提升是可持续特征，而非单纯的周期波动。 核心逻辑：价格上涨由结构升级驱动，而非单纯周期波动。高容MLCC的产能扩张周期长，供需错配可能持续至2027年下半年。 ▎日韩台龙头格局稳固，国产替代窗口观察 全球MLCC市场呈现高度集中态势。Murata以40.8%的份额稳居第一，SEMCO（22.5%）、太阳诱电（11.3%）、TDK（6.9%）、国巨（5.4%）分列其后。五家厂商合计占据近九成市场份额。 从盈利能力看，Murata和国巨的EBITDA利润率领先。据大摩估算，Murata预计2027年至2028年维持在33%左右，国巨可能达到38%以上。SEMCO借助AI相关产品快速追赶，利润率从2023年的约16%回升至2027年的约31%。 TDK因业务结构差异，MLCC利润率相对较低，约21%左右。TDK的MLCC业务在汽车和工业领域占比较高，AI服务器占比有限，因此未能充分享受本轮高容产品涨价红利。 从客户结构来看，Murata和太阳诱电在高端智能手机和工业/汽车领域根基深厚，SEMCO则在AI服务器和高速网络领域积极扩张。国巨通过并购策略扩大市场份额，但在高端AI服务器领域的渗透率仍有提升空间。

厂商
2025年份额
2027E EBITDA利润率
主要优势领域
AI服务器布局

Murata
40.8%
约33%
高端手机+工业/汽车
高容产品领先

SEMCO
22.5%
约31%
AI服务器+高速网络
Embedded MLCC重点

太阳诱电
11.3%
约25%
高容MLCC
垂直供电方案

TDK
6.9%
约21%
汽车+工业
汽车电子为主

国巨
5.4%
约38%
并购驱动扩张
通用型产品


▎产能扩张滞后，供需紧张或持续至2027年 高容MLCC的产能扩张面临多重约束。首先是设备交付周期，高端叠层机和烧结炉的交付周期通常在12至18个月。其次是材料端，高端钛酸钡粉体的供应集中在日美少数企业手中。 第三是工艺调试周期，高容MLCC的良率爬坡通常需要6至12个月。这意味着从投资决策到有效产能释放，全程可能需要24至36个月。 大摩预计供需紧张将延续至2026年下半年和2027年。在此期间，以产品结构升级为驱动的ASP提升，将是行业盈利改善的主要路径。 四、产业链主要参与者观察 ▎上游材料与设备 MLCC上游主要包括陶瓷粉体、内外电极材料、离型膜、封装材料等。高容MLCC对钛酸钡（BaTiO3）粉体的粒径和纯度要求极高，纳米级粉体的制备技术壁垒较高。 日美企业仍占据高端粉体主要份额。日本堺化学、美国Ferro等企业在高纯度、纳米级钛酸钡粉体领域拥有技术领先优势。国内企业在常规粉体领域已实现突破，但在高端纳米级粉体方面仍有追赶空间。 内外电极材料方面，高容MLCC通常采用镍内电极和铜外电极，对电极浆料的分散性和烧结匹配性要求严格。离型膜和封装材料的技术门槛相对较低，但高端产品仍依赖进口。 ▎中游制造环节 风华高科作为国内MLCC龙头，产品覆盖消费电子、通信、汽车电子等领域。公司具备从材料到器件的垂直整合能力，在高容产品扩产方面已有明确规划。在AI服务器高容MLCC需求爆发的背景下，风华的高容产品良率爬坡进度和下游头部客户认证进展值得跟踪。 三环集团依托电子陶瓷材料优势，纵向延伸至MLCC制造。公司在5G通信和汽车电子领域已有布局，高容产品技术储备较为扎实。三环的粉体自供能力在一定程度上降低了成本波动风险。 火炬电子、鸿远电子等企业在军用高可靠MLCC领域积淀深厚。军品对可靠性和温度稳定性的要求远高于民用产品，这种技术积淀向民用高端迁移具备可行性。但军品转民品需要重新进行客户认证和产线调整，周期通常较长。 从国内厂商的整体竞争力来看，常规尺寸和低容产品已具备与国际龙头竞争的能力。但在0402及以下小尺寸、47uF以上高容、以及车规级高可靠产品方面，与国际龙头仍有明显差距。 ▎下游应用牵引 AI服务器、高速网络设备、智能汽车是MLCC需求三大核心引擎。其中AI服务器的增速最快，2024年至2027年复合增速超过100%。 高速网络设备方面，400G/800G光模块对电源完整性要求提升，带动高容MLCC用量增加。智能汽车方面，L2+至L3级自动驾驶的渗透率提升，推动单车MLCC用量从3000颗向1万颗以上迈进。 消费电子虽然增速放缓，但仍是MLCC最大的下游市场。智能手机、PC、可穿戴设备的MLCC用量趋于稳定，但高端机型对高容小尺寸产品的需求仍在增长。

下游领域
MLCC需求特征
增速预期
高容占比趋势

AI服务器
高容大容量为主
100%+ CAGR
快速提升

高速网络
中高容混合
30%+ CAGR
稳步提升

智能汽车
高可靠中高容
20%+ CAGR
持续提升

消费电子
小尺寸低容为主
5%左右
高端机型提升


五、个人主观观点与风险简述 从产业链调研来看，MLCC此轮景气周期与2017年的涨价周期有本质区别。上一轮主要由智能手机多点开花驱动，属于总量扩张；本轮则由AI服务器高容化驱动，属于结构升级。 总量扩张的周期通常来得快去得也快，因为产能扩张相对容易。结构升级的周期则更为持久，因为高容MLCC的产能扩张周期更长、设备投资更大、工艺调试更复杂。 那国产厂商能否抓住这次窗口？我觉得关键看两点。一是高容产品良率爬坡速度，这决定了能否在供需紧张窗口期内释放有效产能。二是下游头部客户的认证进度，AI服务器供应链的准入门槛极高，通常需要12至18个月的认证周期。 短期来看，日韩龙头仍是AI服务器供应链的主角。Murata和SEMCO在Embedded MLCC领域的技术积累和产能储备优势明显。国产厂商在常规产品和部分通信级高容产品上有机会，但在AI服务器核心供应链中的占比预计短期内有限。 风险方面，需警惕几个因素。一是AI资本开支可能出现阶段性放缓，如果云厂商 capex 增速回落，MLCC需求预期可能下修。二是高容MLCC产能扩张如果超预期，可能缓解供需紧张。三是消费电子需求疲软对中低容产品的拖累，可能拉低部分厂商的整体盈利。四是产业链调研数据存在时效性局限，实际出货节奏可能与预测存在偏差。 关键数据：全球MLCC出货额2025-2028年CAGR 18%，AI/DC是主导增量驱动力。高容MLCC产能扩张周期24-36个月，供需错配可能持续至2027年下半年。

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