拆解算力底层硬件:碳化硅百亿基准向千亿扩容

2026-05-17 12:05:5511

聚焦AI算力底层硬件赛道,本文拆解核心变量碳化硅(SiC)在算力电源与先进封装环节的产业现状。

一、Citrini研报催化与供需双端预期差

5月13日,Citrini披露AI供应链深度调研,将碳化硅(SiC)确立为AI算力硬件的基础环节。该报告发布后,海外产业链相关企业Wolfspeed盘中出现显著的价格异动。当前市场对SiC环节的认知普遍停留在产能过剩与周期下行的产业旧有印象中,而产业实际运转的核心变量在于AI电源与基建配套对SiC材料的真实消耗量,这种供需两端的数据错位构成了当前的产业预期差。

二、AI电源架构升级与SiC渗透转换

在AI基础设施建设中,高功耗电源组件与算力集群同步扩张。由于SiC器件在转换效率与热管理上的物理属性,其技术路径与AI电源的高并发需求直接匹配。基于产业链成熟度与效率考量,AI电源架构的底层核心增量来源于SiC的替代渗透,产业端正处于加速导入并逐步替代传统硅基材料的节点。

三、30年占比50%基准与2000亿级衬底扩容推演

基于产业端测算,至2030年,AI电源应用预计将占据SiC电源市场的50%份额,此量级将超越此前市场对车规级应用翻倍的单一判断。按此微观数据推演,配套电源市场对SiC衬底及长晶设备的需求量将面临约10倍级别的基数扩容。此外,在CoWoS等先进封装环节的SiC材料应用,其消耗体量预计将超越纯电源市场。综合底层量化指标,全球SiC衬底市场规模具备从当前的百亿级向2000至3000亿级区间扩张的产业基础,并同步形成对上游设备端的大规模产线拉动。

四、行业观察

在全球SiC产业链条中,天岳先进定位于SiC衬底制造环节;晶升股份作为长晶炉等SiC生产核心设备的供应商参与上游扩产。此外,产业链生态中涵盖晶盛机电三安光电芯联集成宏微科技时代电气以及阳光电源等企业,分别在材料制造、器件代工及电源集成等环节占据特定的节点位置。当前阶段的底层逻辑在于高景气增量现实与存量定价之间的偏离修复。

风险提示:下游需求释放不及预期等。

作者声明: 本文转载自第三方,旨在提供资讯参考,并非证券推荐或投资建议。作者对内容的真实性、准确性不承担保证责任。本文不构成任何投资建议或证券推荐。截至发文日,作者与文中提及的标的不存在持仓关系。

合规声明:本站发布的所有文章及观点均系个人研究共享,投资心得交流,不代表本站立场,且不构成任何形式的投资建议。投资者据此操作,风险自担,请务必保持独立审慎的决策态度。