核心定位：面向 AI 数据中心短距/柜内/板间/Chiplet 互连的下一代光互连技术。
一、 上游：材料、外延、芯片与核心设备1. 材料与外延核心：GaN（氮化镓）外延、蓝宝石/硅衬底；部分研究聚焦在GaN衬底以提升效率。
2. 通信用 Micro-LED 芯片核心参数：尺寸 10-50μm（主流 20μm）；波长含蓝光、绿光、红光。
核心优势：高效率、可靠性、高调制速率、高温可靠性；对温度敏感度远低于SiC VCSEL。
主要厂商：三安光电（三安集成/华灿光电）、京东方、晶能光电、聚灿光电等。
3. 核心设备（关键环节）设备名称：巨量转移设备
功能定位：将微米级LED阵列高精度转移至载板/晶圆/芯片；兼容晶圆、芯片；支持巨量前向转移。
主要厂商：国内（新益昌、迈为股份）、海外（K&S、韩国韩华）
设备名称：激光剥离设备 (LLO)
功能定位：用于Micro-LED剥离蓝宝石衬底。
主要厂商：日本迪思科 (Disco)
设备名称：测试分选设备
功能定位：高速测试，良率保障，一致性保障。
主要厂商：国内（奥特维）等
设备名称：混合键合设备
功能定位：实现Micro-LED晶圆与CMOS硅基晶圆异质键合，光互连核心工艺。
主要厂商：海外（Besi、AMAT、Evatec）
二、 中游：光电封装（全产业链价值最高环节）
核心工艺流程：电信号 → Micro-LED 阵列发光 → 微透镜耦合 → 多芯光纤/自由空间传输 → PD 光电探测器阵列接收 → 恢复电信号。
1. 载板/基板：TGV 玻璃载板、RDL 中介层。具备低损耗、高散热、低成本、高布线密度特点。（代表：沃格光电、京东方（联合康宁）、佳士光子）
2. 先进封装与异质集成：核心工艺为混合键合 (Hybrid Bonding)，实现Micro-LED与CMOS驱动晶圆异质键合，集成背光去除、TGV互连、热管理设计。（代表：国星光电、京东方；海外：台积电、力积电、日月光）
3. 光学耦合组件（行业主要卡点）：
需注意Micro-LED为部分偏振发光，发散角大（120~150°），需透镜集成，对准精度要求±1-2μm，耦合损耗易造成巨大光损耗。
微透镜/组件：微透镜阵列、TIR透镜、微透镜光纤、多模光纤束。
4. 高速配套芯片：
高速驱动芯片：驱动微台阵列，实现巨量并行高速调制；可简化或省去传统DSP。代表：国内（新微）、海外（Marvell、Credo）。
光电接收 PD 阵列：与发射Micro-LED一一对应，进行收发光电转换。代表：国内（芯思特、旭创）、海外（Majo Vision）。
5. 光引擎/有源光缆 (AOC) / CPO子模块：集成发射、驱动、透镜、接收、结构，再封装成AOC或有源光缆或CPO封装子模块。
海外：Avicena (LightBundle 器件、512-96Gbps)、Credo (Hyperlume)、1.6T-2T AOC。
三、 下游：系统与终端应用1. 海外算力巨头（定义架构与路线）微软 (Microsoft)：MOSAIC项目，结合Micro-LED光互连的光子集群架构，定义全套架构。
英伟达 (NVIDIA)：Feynman项目，将Micro-LED CPO作为下一代互连路线，投资Avicena，目标缩短互连距离，提升速率50%以上。
谷歌 (Google) / AWS / Meta：光机引擎/模块的原型测试。
2. 国内系统与设备厂商（验证与测试）交换机厂商：华为、中兴、锐捷网络。
3. 应用场景（聚焦10米以内短距互连）AI服务器内部互连、机架内互连、板间互连、Chiplet互连、存储-GPU互连。核心诉求：高带宽、低功耗。
四、 核心技术优势（与传统方案对比）超低功耗：1-2pJ/bit，接近VCSEL与硅光；比现行1.6T可插拔光模块功耗降低约30W（降至1.6W）。
耐高温，无需温控：Micro-LED无需激光器TEC温控系统，宽温散热，可简化系统。
工艺可复用：延续Micro-LED显示产业链（外延、巨量转移、封装），可改造后快速切入。
超高通道并行密度：单位面积可布置百万级通道，轻松实现超大带宽。
作者声明： 本文转载自第三方，旨在提供资讯参考，并非证券推荐或投资建议。作者对内容的真实性、准确性不承担保证责任。本文不构成任何投资建议或证券推荐。截至发文日，作者与文中提及的标的不存在持仓关系。