1. MLCC（多层陶瓷电容）
MLCC（纳秒级高频滤波）： 距离GPU最近，价值量从GB300的一千多美金跃升至Rubin的四千多美金（+182%），高端产能供不应求，将挤压中低端并持续涨价。
用量与布局：预埋MLCC的数量取决于终端客户GPU背面的空间需求和电压稳定性要求。模块占用了原本PCB上放置MLCC的空间，因此必须补回相应的电容。
技术差距：同尺寸下能塞入更多容值代表技术更强，但目前各PCB和封装厂技术差异不大，电容主要向外企（如三星电机、村田）采购。
容值提升：随着GPU功耗增大，所需稳压电容增多，MLCC厂商不断演进（如从1206封装220微法升级至470微法）。
耐温提升：高功耗GPU如同“火炉”，其下方的电源模块需承受极高温，MLCC需从X6系列升级至耐更高温度的X7系列。
用量参考：几百千瓦的GPU可能需要数千甚至上万微法的电容，密密麻麻分布于背面。
2. 硅电容（Silicon Capacitor / 规电容）定位与前景：主要用于芯片级/立体封装，与MLCC并行而非替代关系，配合IVR（集成电压调节器）技术使用于3000W以上的高端GPU，预计3-5年后普及。
超薄与小型化：采用光刻/CMOS工艺（14nm/22nm）和深沟槽蚀刻，可做极薄，匹配未来高频（几十至上百兆Hz）IVR，使磁性器件体积缩小至1/100。
高稳定性：无陶瓷电容的压电效应，容值不随温度/电压衰减，可靠性高，寿命长，耐高温。
低阻抗：寄生阻抗更小，产生纹波电压更小，适合大功率GPU快速瞬态电流响应。
市场格局与动态：
目前市场规模约20亿美金（主要应用于消费电子、汽车、光模块等，数据中心占比较小）。
三星机电近期获得约9-10亿美金硅电容订单（传为Google或Marvell项目）。
海外领先：日本及韩国企业（村田、三星电机、台积电）领先；工艺路径多样（MIM、DTC等）。
国内现状：技术大幅落后。鸿远电子（有军工订单，25年有发布）、苏州林存等有布局，但整体差距明显。
3. 铝电解电容（毫秒级低频滤波/储能）
位于PSU层级。单机柜电源板从8块增至20多块，需求呈几十倍增长。该赛道由中国厂商主导，江海股份（75%自供）、海星股份（供化成箔）、东阳光（全球独家基层箔专利，联合泰达配套NV）。
4.
超级电容（秒级储能调峰）
从0到1的渗透，Rubin机柜储能容量比前代提升20倍。江海股份（切入海外供应链）、元力股份（上游活性炭）。
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