功率半导体涨价潮正酣，英飞凌、意法、TI 全线提价，MOSFET/IGBT 涨幅 10%-60%。这轮涨价背后的核心增量不在硅，而在碳化硅（SiC）—— 第三代半导体材料，高禁带、高击穿、低损耗，是 800V 高压平台 + AI 数据中心高功率电源的不可替代方案。
核心催化：
AI 算力高压化：GB300/Rubin 机柜功耗飙升，800V HVDC 配电架构推动 SiC 器件渗透率从 0 到 1；
新能源车 800V 快充：2026 年主流车企全面切换高压平台，SiC MOSFET 成标配；
国产替代窗口：海外衬底产能长期紧缺，交付周期拉长，国内厂商加速导入。
核心标的：
上游衬底（最卡脖子、价值量最高）：
天岳先进：国内 SiC 衬底龙头，导电型市占率全球前三，8 英寸量产 + 12 英寸已出货，直接对标 Wolfspeed；
露笑科技：6 英寸导电型衬底稳定量产，12 英寸样品完成验证，合肥基地扩产中；
晶盛机电：8 英寸 SiC 衬底整线设备核心供应商，行业扩产直接受益。
中游器件（放量最快）：
三安光电：SiC 全产业链 IDM，8 英寸产能 1000 片 / 月，二极管 / MOSFET 批量供货头部客户；
斯达半导：车载 SiC 功率模块龙头，主流车企定点订单充足；
士兰微：自研 SiC 外延工艺，车规器件持续送样验证。
结论：SiC 是功率半导体从 "硅基" 向 "高压高能效" 跃迁的核心材料。上游衬底是产业链最稀缺、壁垒最高的环节，国产替代 + AI 高压电源双轮驱动，景气度刚起。
核心标的：天岳先进、露笑科技、三安光电、晶盛机电、斯达半导、士兰微
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