电容与功率半导体正从结构性短缺走向系统性涨价，全产业链调价周期已开启。涨价已从MLCC向铝电解电容、薄膜电容、超级电容及功率器件全面扩散，日系、台系及大陆厂商先后发函调涨，形成全品类涨价浪潮。
具体而言，日本尼吉康于6月宣布全面涨价10%-15%，佳美工同步跟进，国内江海股份于6月20日将调价范围扩大至三大品类。驱动逻辑可从两个维度理解：成本侧，地缘冲突推高铝箔、化工原料及电力等核心生产要素价格；需求侧，AI服务器电容用量为传统服务器的3至10倍，功率订单呈现爆满状态。成本推动与需求拉动形成合力，行业加速低端产能出清，电力电子产业链价格传导机制已全面激活，市场份额向具备全链条能力的头部企业集中。
电容是算力系统的“电RAM”，这一比喻正在从叙事走向工程现实。我们在电容系列第一篇即提出“电容是新的电RAM”——HBM是数据的缓冲、电容是能量的缓冲。电RAM与DRAM在系统角色上存在三重高度同构：DRAM的“刷新—缓存层级—容量墙”，分别对应电容在AI供电系统中的“充放电响应—多级时间常数—容量配置”。二者在物理层面共享电荷存储与释放的器件原理，在系统层面共同承担“为高速运算提供够快、够近的即时缓冲”的核心角色。
算力越强，对电能缓冲的依赖越深，正如算力越强对数据缓冲的依赖越深——这是电容需求脱离“按GPU颗数线性外推”的根本原因。此外，市场对电容需求的认知长期停留在电源模块（PSU）内部的“白区”，而真正的增量大量发生在从电网接入到机柜之间多级降压、配电的“灰区”环节，系统级需求爆发正被市场系统性低估。
电容体系是一张“按时间常数分层”的缓冲网络，每一类电容对应一个供电时间尺度。沿着从芯片到电网的方向，硅电容在封装内承担亚纳秒级瞬态去耦，MLCC在板级承担纳秒级高频去耦，MLPC（多层聚合物电容）在板级承担微秒级中高频滤波与储能并在高容值区间替代多颗MLCC，牛角铝电解电容在电源模块承担微秒至毫秒级的稳压削峰，超级电容与锂离子电容在机柜侧承担毫秒至秒级的备电与功率缓冲，薄膜电容则在高压直流母线承担纹波吸收。
这套“时间常数阶梯”与存储系统的“访问延迟层级”在结构上高度对应：越靠近运算核心，响应越快、单位价值越高、技术壁垒越陡。AI供电升级不是某一类电容的单点放量，而是整张缓冲网络的同步加密。
相关标的：
1）电容：江海股份、火炬电子、东阳光、海星股份、艾华集团、祥和实业、元力股份、法拉电子、万裕科技、思源电气等。
2）MLCC：三环集团、风华高科、博纤新材、洁美科技、信维通信、国瓷材料、力源信息、火炬电子、利和兴、商络电子等。
3）功率半导体：士兰微、扬杰科技、斯达半导、宏微科技、时代电气等。
4）SST：四方股份、金盘科技、阳光电源、京泉华、可立克等。
5）SiC：天岳先进、晶升股份、宇晶股份、三安光电等。
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