2026年7月13日盘后讯，东方算芯首颗大算力芯片DF1000今日发布，采用“软件定义＋3D堆叠近存计算”的技术路线，是采用DRAM-Logic晶圆级混合键合3D垂直封装的AI芯片。通过3D混合键合技术将计算层与存储层垂直堆叠集成，把互连间距压缩至亚微米级别，访存带宽达6.4TB/s。
混合键合是3D堆叠、HBM、Chiplet、华为韬定律逻辑折叠的核心工艺，产业链分为键合核心设备、配套工艺设备、先进封测代工、关键耗材材料四大板块。
一、核心混合键合整机设备（直接生产W2W/D2W键合机，赛道核心）
1. 拓荆科技（688072）
旗下拓荆键科为国内晶圆对晶圆（W2W）混合键合设备龙头，大基金三期重点投资；设备适配3D逻辑折叠、HBM堆叠，已进入头部晶圆/封测厂验证，国内稀缺量产型混合键合整机厂商。
2. 迈为股份（300751）
国内少数可成套提供D2W芯片对晶圆混合键合设备企业，对位精度≤100nm，已向华为交付设备适配昇腾、麒麟先进封装产线，布局临时键合、解键合全流程设备。
3. 芯源微（688037）
临时键合、解键合设备为混合键合前置必备工序，产品批量供给先进封装产线，配套超薄晶圆堆叠工艺。
4. 快克智能（603203）
TCB热压键合设备龙头，同步布局低温混合键合机型，设备进入长电、盛合晶微产线验证，适配算力芯片3D堆叠。
5. 联得装备（300545）
同步布局TCB与混合键合双路线，高精度键合设备送样国内头部封测企业。
二、混合键合配套工艺设备（CMP、电镀、检测、切割刚需）
1. 华海清科（688120）
混合键合必须极致晶圆平整度，公司先进封装专用CMP抛光设备已规模化出货，覆盖铜层/介质层纳米抛光，国产替代核心标的。
2. 盛美上海（688085）
先进封装铜电镀设备龙头，混合键合铜互连层电镀核心配套设备，国内市占领先。
3. 中科飞测（688361）
纳米级表面缺陷、键合对准检测设备，用于混合键合后晶圆良率筛查，填补国产检测空白。
4. 光力科技（300691）
高端晶圆划片机，3D堆叠、混合键合后超薄芯片切割刚需，配套华为先进封装供应链。
5. 赛腾股份（603283）
HBM、3D堆叠全流程检测设备，覆盖混合键合晶圆外观、电性检测。
三、具备混合键合量产/研发产线的封测上市公司（下游工艺落地端）
1. 长电科技（600584）
国内混合键合封测龙头，自研XDFOI异构集成平台，搭建完整Cu-Cu混合键合中试产线，承接AI算存3D堆叠封装订单。
2. 华天科技（002185）
布局晶圆级混合键合工艺，面向CIS图像传感器、存储堆叠开发配套封装方案。
3. 通富微电（002156）
掌握2.5D/3D Chiplet基础工艺，推进混合键合产线建设，配套海外算力芯片客户。
4. 太极实业（600667）
子公司海太半导体与SK海力士合资，HBM封装深度绑定，同步导入混合键合工艺用于新一代存储堆叠。
5. 甬矽电子（688362）
Fan-out、超薄晶圆封装技术储备，开展混合键合小批量工艺验证。
四、混合键合核心材料耗材（铜互连、抛光、靶材、键合胶）
1. CMP抛光耗材
1. 安集科技（688019）
混合键合铜层、介质层专用抛光液，适配TSV/3D堆叠工艺，已批量导入头部封测/晶圆厂。
2. 鼎龙股份（300054）
先进封装抛光垫、配套抛光液，覆盖混合键合平坦化工序耗材。
2. 高纯金属靶材（铜/钨互连层）
1. 江丰电子（300666）
高纯铜靶、阻挡层金属靶材，混合键合晶圆薄膜沉积核心耗材。
2. 中钨高新（000657）
高纯钨靶材，用于混合键合阻挡层，批量供货长电、通富微电等封测厂。
3. 临时键合胶、封装配套材料
1. 德邦科技（688035）
超薄晶圆临时键合胶、解键合材料，混合键合前置超薄晶圆加工刚需耗材。
2. 上海新阳（300236）
先进封装铜电镀液，用于混合键合铜互连金属层制备。
统一风险提示
1. 多数国产混合键合设备仍处于客户验证阶段，大规模量产订单落地周期较长；
2. 混合键合产线资本开支极高，封测企业扩产进度受下游算力芯片需求波动影响；
3. 部分企业仅小批量送样、工艺研发阶段，相关业务营收占比极低，短期难以贡献业绩；
4. 海外设备厂商（EVG、BESI）仍占据全球主流市场，国产替代进度存在不确定性。
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