存储芯片行业全景深度分析报告（AI分析）

请各位大佬帮忙看看，我用AI分析的行业报告，水平如何？

是否可以作为选择加入股票池？

谢！

谁在真正生产？谁在概念？—— 全球供给格局
+ 中国大陆核心公司逐个拆解
+ 供需缺口与价格走势
+ A股投资五星级评价体系

数据截至
2026年8月17日
| 来源：TrendForce、CFM闪存市场、公司年报/公告、研报、公开资讯
核心结论先行

1. 行业本质：存储芯片是半导体产业最大单一品类（占全球半导体27%+），分DRAM（易失性，占54%）、NAND Flash（非易失性，占43%）、NOR Flash（占3%）三大主流。HBM是DRAM的高端进化形态，AI算力刚需。

2. 全球格局：DRAM三巨头（三星~34%、SK海力士~35%、美光~23%）垄断95%+；NAND五家（三星~33%、SK海力士~21%、铠侠~15%、美光~13%、西部数据~11%）占93%。中国大陆两强（长江存储NAND、长鑫存储DRAM）正快速追赶，份额已达8-13%。

3. 真正量产短名单：第一档（制造层）——兆易创新(603986)、北京君正(300223)；第二档（卖水者）——澜起科技(688008)、聚辰股份(688123)、江波龙(301308)、佰维存储(688525)、深科技(000021)；第三档（HBM材料/设备）——华海诚科(688535)、联瑞新材(688300)、雅克科技(002409)。长江存储/长鑫存储尚未上市但为产业基石。

4. 价格体温计：2025Q2起进入新一轮超级上行周期，DDR4现货涨幅最高达896%、DDR5达377%、NAND达282%。中信证券预计供不应求至少持续至2026年底。

5. 五星评级：澜起科技＞兆易创新＞江波龙＞佰维存储＞聚辰股份＞德明利＞北京君正＞深科技＞普冉股份＞东芯股份（详见第五部分）。
目录

一、正本清源：定义、逻辑与应用场景

二、全球供给格局：一张表看清"谁真量产、谁在概念边缘"

三、中国大陆核心公司逐个拆解（按纯度+弹性排序）

四、供需缺口分析与价格走势分析（体温计）

五、A股投资五星级评价体系排序

一、正本清源：定义、逻辑与应用场景1.1 存储芯片是什么？

存储芯片（Memory Chip）是半导体中用于数据存储与传输的核心基础元件，占全球半导体市场约27%份额（2024年规模约1655亿美元，WSTS数据）。其核心功能是写入、读取、临时或永久存储数据，是AI、消费电子、车载工控产业的核心基石。

1.2 核心分类与逻辑

以"断电后数据是否保留"为第一性分类标准：

大类

细分品类

核心特性

占存储市场

核心应用

易失性存储
( 断电数据丢失 )

DRAM
(DDR4/DDR5/LPDDR)

速度快、容量大、性价比高，需周期性刷新

~54%

手机运存、电脑内存条、服务器主存

HBM
( 高带宽内存 )

TSV 3D 堆叠 DRAM ，带宽 TB/s 级，成本极高

~3%→ 快速增长

AI GPU 配套显存、高性能计算

SRAM
( 静态随机存储 )

速度最快，成本极高，容量小

极小

CPU L1/L2/L3 高速缓存

GDDR
( 图形 DDR)

高吞吐，面向图形 /AI

~2%

显卡显存

非易失性存储
( 断电数据保留 )

NAND Flash
(SLC/MLC/TLC/QLC)

容量大、成本低、 3D 堆叠迭代降本

~43%

SSD 、 U 盘、手机存储 (eMMC/UFS)

NOR Flash

读取快、支持 XIP 片上执行，容量小成本高

~3%

BIOS/ 固件启动、车载 ECU 、 IoT

EEPROM

单字节擦写，容量极小

极小

设备参数配置存储

1.3 应用场景矩阵

应用场景

存储类型需求

需求驱动力

2025 年增速

AI服务器

HBM + DDR5 RDIMM +
企业级 SSD

大模型训练 / 推理，单台存储需求是传统服务器 8-10 倍

极高

智能手机

LPDDR5X + UFS

AI 手机端侧推理，容量持续升级（ iPhone 17→256GB ）

高

智能汽车

车规 DRAM + NOR + eMMC/UFS

L3+ 自动驾驶单车存储需求提升 40 倍

高

PC/笔记本

DDR5 + SSD

AI PC 渗透， Windows 10 停服换机潮

中

工业/IoT

SLC NAND + NOR + EEPROM

工业自动化、边缘计算设备

中

1.4 行业核心逻辑：为什么"谁真量产"是关键问题？

存储芯片是半导体行业进入壁垒最高的赛道之一。原因：

（1）资本壁垒：一座12英寸存储晶圆厂投资动辄数百亿元，折旧周期长；

（2）技术壁垒：DRAM制程迭代（25nm→17nm→12nm）、NAND堆叠层数竞赛（232层→300层+）、HBM TSV封装技术，每一代都需要巨额研发投入；

（3）客户壁垒：下游（手机厂、云厂商、PC厂）认证周期长（车规AEC-Q100认证可达2-3年），一旦进入供应链粘性极强；

（4）周期壁垒：3-4年一个完整周期，下行期亏损累累，只有头部企业能扛过寒冬。

因此，"谁在真正量产"不仅意味着收入利润的直接兑现，更意味着通过了以上四重壁垒的验证。纯概念股往往只有PPT没有产线，只有故事没有客户认证。

二、全球供给格局：一张表看清"谁真量产、谁在概念边缘"2.1 梯队排序与核心公司

梯队

公司

赛道

全球份额 (2025)

核心产品

关键事实

第一梯队
全球垄断者

三星电子

DRAM+NAND+HBM

DRAM ~34% / NAND ~33%

DDR5 、 HBM3E 、 V10 NAND

唯一全覆盖巨头， HBM 验证遇困导致份额下滑

SK 海力士

DRAM+NAND+HBM

DRAM ~35% / NAND ~21%

HBM3E( 独家供货英伟达 ) 、 DDR5

2025 年凭 HBM 红利首超三星登顶 DRAM 第一

美光科技

DRAM+NAND+HBM

DRAM ~23% / NAND ~13%

1β/1γ DRAM 、 HBM3E 、 QLC SSD

精准填补三星 / 海力士让出的标准 DRAM 市场

第二梯队
日本 / 美国追赶者

铠侠

NAND

NAND ~15%

BiCS 3D NAND ， 332 层（行业最高）

与西部数据合资，聚焦 NAND

西部数据

NAND

NAND ~11%

218 层 NAND 、企业级 SSD

与铠侠共享工厂产能

第三梯队
中国国产双雄

长江存储(YMTC)

NAND

NAND 13-16%

232 层 ( 等效 294 层 )3D NAND ， Xtacking 架构

全球 NAND 第四， IPO 进行中 ( 估值 ~3000 亿 )

长鑫存储(CXMT)

DRAM

DRAM ~7.7%

DDR5(8000MT/s) 、 LPDDR5X

全球 DRAM 第四， IPO 过会 ( 募资 295 亿 )

第四梯队
利基设计商

兆易创新 / 华邦 / 旺宏等

NOR/ 利基 DRAM

NOR 全球前二

NOR Flash 、 SLC NAND 、利基 DRAM

细分市场领导者，非 IDM

全球DRAM市场份额（2025年）

厂商

份额

SK 海力士

35%

三星

34%

美光

23%

长鑫存储

7.7%

其他

0.3%

来源：TrendForce 2025Q4数据，需核实原文

全球NAND Flash市场份额（2025年）

厂商

份额

三星

33%

SK 海力士

21%

铠侠

15%

美光

13%

西部数据

11%

长江存储

7%

来源：TrendForce 2025Q2-Q4数据，需核实原文

2.2 核心客户分析

存储巨头

核心客户

绑定深度

SK 海力士

英伟达（ HBM 独家主力供应商）、谷歌 TPU

极深， HBM3E/HBM4 深度绑定

三星

英伟达（ HBM 验证中）、 AMD 、苹果

广覆盖， HBM 验证遇困影响份额

美光

英伟达（ HBM3E 第二供应商）、 AI PC 、手机厂

均衡策略，吃 " 挤出红利 "

长江存储

联想、戴尔、惠普、微软 Azure 、华为、手机厂

" 致态 " 品牌 SSD 切入全球供应链

长鑫存储

阿里云、字节跳动、腾讯、小米、联想、 OPPO

国产云厂商 + 手机厂深度合作

2.3 关键事实总结

（1）DRAM三巨头合计份额~95%，寡头垄断格局短期难撼动，但长鑫正快速追赶；

（2）NAND前五合计~93%，长江存储已跻身全球前四，技术差距收窄至一代；

（3）HBM是当前行业最核心变量：SK海力士凭HBM红利终结三星40年统治；HBM晶圆产能占DRAM比从2023年6%→2025年20%，挤压标准DRAM供给；

（4）新建产能最快2027年上线，2026年新增产能有限，供需缺口至少持续至2026年底。

三、中国大陆核心公司逐个拆解（按纯度+弹性排序）3.0 分层框架

产业基石(未上市) → 第一档：制造层/设计龙头 → 第二档：卖水者(材料/设备/接口/模组) → 第三档：概念/边缘

产业基石：长江存储(NAND原厂)、长鑫存储(DRAM原厂)——尚未上市，但为全部A股存储公司的上游来源和产业根基。两家正在冲刺科创板IPO，估值预期3000亿-8000亿。

3.1 第一档：真正量产本体的（制造层/设计龙头）1. 兆易创新 (603986.SH)　纯度：★★★★★

指标

2025 营收

归母净利

毛利率

PE(TTM)

数值

92.0 亿

16.5 亿

42.8%

~107x

市场地位：NOR Flash全球第二（市占率~18.5%），中国第一；全球唯一在NOR Flash、SLC NAND、利基DRAM、MCU四大领域均跻身全球前十的IC设计企业。

逻辑亮点与优势：① NOR Flash结构性缺货+国产替代双驱动，2025H1利基DRAM营收同比+120%；② 与长鑫存储同一实控人（朱一明），2025年关联交易11.82亿元保障DRAM供应；③ MCU国内32位通用市占率第一，累计出货超20亿颗。

核心技术壁垒：NOR Flash引脚优化降低客户改造成本90%，车规带宽达200MHz对标国际头部；2024年新增授权专利101项，累计1059项；年均研发投入占比超15%（2024年11.2亿元）。

产品覆盖：NOR Flash（512Kb-2Gb）、SLC NAND、利基DRAM（DDR3L/DDR4/LPDDR4/LPDDR5）、MCU（63大系列700+款）。

产能情况：Fabless模式，代工主要依赖长鑫存储（代工采购9.95亿元）、中芯国际等。

主要客户与认证：车规NOR通过AEC-Q100认证，已在奇瑞、吉利等车型量产；MCU获比亚迪、理想定点；产品进入三星、小米、联想供应链。

业绩验证：2025年营收92.0亿（+25.1%），归母净利16.5亿（+49.5%）；2026Q1营收41.9亿（+119.4%），归母净利14.6亿（+522.8%），量价齐升验证充分。

不足与风险：高估值偏高（PE 107x），若涨价周期见顶则估值消化压力大；中DRAM代工依赖长鑫，自主可控性有限；中HBM布局尚在早期。

一句话本质：买的是"利基存储国产替代的结构性缺货红利
+ 长鑫生态圈的协同溢价"。

2. 北京君正 (300223.SZ)　纯度：★★★★☆

指标

2025 营收

归母净利

毛利率

PE(TTM)

数值

47.4 亿

3.76 亿

34.1%

~120x

市场地位：全球利基型DRAM第六（中国第一），SRAM全球第二（车规SRAM全球第一），NOR Flash全球第七。

逻辑亮点与优势：① 收购ISSI获得车规存储完整产品线，SRAM/车规DRAM/Flash认证寿命长，客户粘性极强；② 境外收入占比82.7%，全球化分销网络成熟；③ XBurst CPU IP低功耗差异化+AIoT视频SoC稳定盘。

核心技术壁垒：车规AEC-Q100认证壁垒极高（2-3年导入周期），一旦进入供应链替换成本极高；3D DRAM研发中（填补国内空白）。

产品覆盖：存储芯片29.1亿（61.4%，利基DRAM/SRAM/Flash）、计算芯片12.9亿（27.3%，XBurst SoC）、模拟与互联5.1亿（10.7%）。

产能情况：Fabless模式，委托大型专业代工厂生产。21/20nm、18/16nm先进制程产品在研。

主要客户与认证：汽车电子（比亚迪"天神之眼"、蔚来、特斯拉供应链）、工业/医疗市场。AEC-Q100车规认证完备。

业绩验证：2025年营收47.4亿（+12.5%），归母净利3.76亿（+2.7%）；扣非3.09亿（-0.9%），毛利率34.1%（-2.6pct），增长偏弱。2025Q4营收13.05亿（+29.0%），归母1.2亿（+95.0%），四季度加速。

不足与风险：高毛利率持续下行（34.1% vs 2023年36.7%），存储段毛利31.95%受commodity摩擦；高扣非净利率仅6.5%，3年营收CAGR -4.3%，尚未回到2022年54亿前高；中境外82.7%，关税/出口管制悬剑；中DDR5/LPDDR5尚在"规划和评估中"。

一句话本质：买的是"车规SRAM/利基DRAM的认证护城河
× 存储周期向上段"，但34%毛利和3% ROE是安全带。

3.2 第二档：核心材料/耗材/核心设备/卖水者（不造本体，但行业绕不开）3. 澜起科技 (688008.SH)　纯度：★★★★★　HBM核心

指标

2025 营收

归母净利

毛利率

PE(TTM)

数值

36.4 亿

22.4 亿

62.2%

~119x

市场地位：全球内存互连芯片第一（2024年市占率36.8%），DDR5 RCD芯片全球市占率超45%；PCIe Retimer全球第二（10.9%份额）。

逻辑亮点与优势：① JEDEC董事会成员，牵头制定DDR5 RCD/MDB/CKD国际标准——标准制定者+产品先行者的双重壁垒；② HBM3存储控制器通过美光、SK海力士验证并小批量供货；③ 2024年三款新芯片（PCIe Retimer、MRCD/MDB、CKD）合计创收4.23亿（同比+8倍），成为新引擎。

核心技术壁垒：自主SerDes IP（32GT/s已量产，64GT/s在研），全球仅两家之一发布DDR5第一子代MRCD/MDB芯片。

产品覆盖：DDR5 RCD/DB/SPD/TS/PMIC全系列接口芯片、MRCD/MDB、CKD、PCIe 5.0 Retimer、HBM接口芯片、津逮服务器CPU。

产能情况：Fabless，无自有产线。前五大供应商采购占比81.8%。

主要客户与认证：英特尔、AMD（深度绑定生态）、美光、SK海力士（HBM合作）、英伟达、亚马逊。前五大客户收入占比76.8%。

业绩验证：2025年营收36.4亿（+59.2%），互连芯片收入33.5亿（+53.3%）；2025H1营收26.3亿（+58.2%），扣非净利10.3-11.2亿（+89-106%）；毛利率稳定65%+。A+H股同步推进中。

不足与风险：高客户集中度极高（前五大76.8%），若下游AI资本开支收缩直接冲击；高供应商集中（前五大81.8%），产能受制于代工厂；中估值偏高（PE 119x）；低HBM接口芯片尚在小批量，收入贡献有限。

一句话本质：买的是"AI服务器运力瓶颈的必然解
+ DDR5/HBM迭代的标准制定者溢价"。

4. 江波龙 (301308.SZ)　纯度：★★★★☆

指标

2025 营收

归母净利

毛利率

PE(TTM)

数值

227.7 亿

14.2 亿

19.4%

~27x

市场地位：国内存储模组龙头，拥有FORESEE（行业嵌入式）+ Lexar雷克沙（消费零售）双品牌；企业级SSD国内领先。

逻辑亮点与优势：① 自研主控芯片，"芯片+主控+封测"垂直整合，AI服务器模组(SOCAMM)放量；② 2026H1营收240.9亿（+30%+），Q3单季归母净利6.98亿（同比+20倍），模组厂"一个季度赚足一年利润"；③ 企业级存储2025Q1收入3.19亿（同比+200%+）。

核心技术壁垒：自研主控芯片降低成本，LPDDR产品获联发科、紫光展锐平台认证。

产品覆盖：嵌入式存储（eMMC/UFS）、固态硬盘（SATA/PCIe SSD）、移动存储（U盘/SD卡）、内存条（RDIMM/UDIMM）、AI服务器存储模组。

产能情况：外购长江存储/长鑫颗粒+自研主控+委托封测。资产负债率63.3%（偏高）。

主要客户与认证：传音控股、中兴通讯、三星电子、TCL、小米、联想、华硕、奇瑞汽车、长安汽车；消费类客户包括京东、亚马逊、沃尔玛。ODM合作方：华勤技术、闻泰科技、龙旗技术。

业绩验证：2025年营收227.7亿（+30.4%），归母净利14.2亿（+185.4%）；2026Q1业绩预告归母净利11.4-14.8亿（同比+6715%-8747%），超级周期弹性爆发。

不足与风险：高无自研颗粒，成本受原厂涨价影响大，毛利率仅19.4%；高资产负债率63.3%偏高，经营性现金流-12亿（囤货周期）；中存货周转天数269天，周期拐头时减值风险大；中行业竞争激烈。

一句话本质：买的是"存储超级周期的量价弹性
× 自研主控的降本能力
× 企业级存储放量的结构升级"。

5. 佰维存储 (688525.SH)　纯度：★★★★☆　AI端侧

指标

2025 营收

归母净利

毛利率

PE(TTM)

数值

113.0 亿

8.53 亿

21.4%

~27x

市场地位：AI端侧存储新锐，存储模组与封测一体化；惠州佰维掌握16层叠Die、30-40μm超薄Die等先进封装工艺。

逻辑亮点与优势：① AI端侧存储领先：2024年AI新兴端侧营收超10亿（同比+294%），AI眼镜收入1.06亿，2025年预计+500%+；② 晶圆级先进封测项目2025下半年投产，Chiplet能力突出；③ 嵌入式存储占比60.9%+PC存储32.7%。

核心技术壁垒：16层叠Die先进封装量产能力达国际一流；一站式存储芯片测试设备和算法自研。

产品覆盖：嵌入式存储（eMMC/UFS）、PC存储（内存条/SSD）、工车规存储、AI端侧存储模组。

产能情况：惠州佰维封测基地，晶圆级先进封测项目在建中。资产负债率64.5%（偏高）。

主要客户与认证：Meta、华为核心供应商；AI眼镜、AIPC领域绑定头部客户。

业绩验证：2025年营收113.0亿（+68.8%），归母净利8.53亿（+429.1%）；2026Q1归母净利28.99亿（同比+34153%），业绩爆发式增长。

不足与风险：高无自研颗粒，毛利率仅21.4%；高资产负债率64.5%偏高，2025年经营性现金流-19.7亿；中存货周转257天，周期下行减值风险；中封测产能爬坡需时间。

一句话本质：买的是"AI端侧存储爆发的先行者溢价
× 先进封测的国产替代红利"。

6. 聚辰股份 (688123.SH)　纯度：★★★★☆　DDR5配套

指标

2025 营收

归母净利

毛利率

PE(TTM)

数值

12.2 亿

3.64 亿

57.3%

~57x

市场地位：DDR5 SPD芯片全球重要供应商，EEPROM车规级覆盖全面。

逻辑亮点与优势：① DDR5 SPD芯片2025年收入同比快速增长，直接受益于DDR5渗透率提升；② EEPROM全面覆盖车规/消费/工业级；③ 毛利率57.3%，高毛利赛道。

核心技术壁垒：DDR2/3/4/5全系列SPD芯片+TS芯片产品组合，深度绑定内存模组生态。

产品覆盖：EEPROM（核心业绩支柱）、NOR Flash、电源管理芯片、DDR5 SPD/TS芯片。

主要客户与认证：内存模组厂（配套三星/海力士/美光/长鑫等原厂颗粒的模组组装），车规级产品持续放量。

业绩验证：2025年营收12.2亿（+18.8%），归母净利3.64亿（+25.3%）；但Q4单季归母净利0.44亿（-44.6%），增速放缓信号。

不足与风险：中体量偏小（12亿营收），抗周期能力弱；中Q4增速放缓，需关注DDR5渗透节奏；低毛利率高但规模有限。

7. 深科技 (000021.SZ)　纯度：★★★☆☆

指标

2025 营收

归母净利

毛利率

PE(TTM)

数值

157.5 亿

11.4 亿

18.3%

~24x

市场地位：存储封测龙头，从晶圆封测到模组制造完整产业链。

逻辑亮点与优势：① 存储半导体收入40.9亿（占比26%），封测环节确定性受益于存储放量；② 高端制造收入85.4亿（54.2%），计量智能终端30.2亿（19.2%），业务多元分散风险；③ 亚太收入占比48%，客户结构全球化。

产品覆盖：存储半导体（封测+模组）、高端制造（EMS）、计量智能终端。

主要客户：存储原厂封测代工客户（含海外巨头），亚太地区客户为主。

业绩验证：2025年营收157.5亿（+6.2%），归母净利11.4亿（+22.1%），稳健增长。

不足与风险：中毛利率仅18.3%，封测加工属性重，附加值有限；中资产负债率39%，非纯存储标的；低业务多元，存储纯度偏低。

3.3 第二档补充：HBM关键材料/设备（卖水者中的卖水者）8. 华海诚科 (688535.SH)　纯度：★★★★☆

定位：国内唯一量产HBM封装必备材料GMC（颗粒状环氧塑封料）的企业。

事实：适配12层HBM3E堆叠，已通过长电科技、通富微电认证，技术对标日本住友电木。2025年GMC产能规划2000吨。收购衡所华威整合技术。

业绩：2025年营收4.58亿（+38.1%），归母净利0.24亿（-39.5%），增收不增利，产能爬坡期投入大。

风险：高体量极小（4.58亿），HBM业务收入占比尚低；中归母净利下滑39.5%。

9. 联瑞新材 (688300.SH)　纯度：★★★★☆

定位：全球仅三家量产Low-α球形硅微粉企业之一，HBM封装GMC的核心填料。

事实：技术指标接近德国默克，2025年产能规划5万吨/年，客户包括台塑、日立化学。全球球硅市占率超70%。

业绩：2025年营收11.2亿（+16.2%），归母净利2.93亿（+16.4%），毛利率40.7%，ROE 18.4%。财务质量高。

风险：低财务稳健但HBM直接收入占比尚需跟踪。

10. 雅克科技 (002409.SZ)　纯度：★★★★☆

定位：HBM介电层前驱体材料核心供应商，子公司UP Chemical是SK海力士核心供应商。

事实：前驱体可满足1b DRAM、200X+ NAND、3nm逻辑芯片量产供应；联合华为开发HBM4专用材料。大基金重仓942万股。

业绩：2025年营收86.1亿（+25.5%），归母净利10.0亿（+14.8%），毛利率31.0%，ROE 12.6%。

风险：中有息负债率61.4%偏高；中非纯存储标的（含LNG保温材料）。

11. 德明利 (001309.SZ)　纯度：★★★☆☆

定位：国产存储主控芯片首家上市公司，"主控+固件+模组"全栈自研。

业绩：2025年营收107.9亿（+126.1%），归母净利6.88亿（+96.4%）；Q4单季归母7.15亿（同比+1105%）。2026Q1归母33.46亿，TTM PE ~22x。

风险：高无自研颗粒，毛利率仅14.8%；高经营性现金流-22.4亿，连续3年负现金流；高资产负债率73.3%。

3.4 概念边缘/需谨慎的标的

东芯股份 (688110.SH)：2025年营收9.21亿（+43.8%）但归母净利-1.95亿（亏损扩大），扣非-2.22亿。亏损主因对砺算科技股权投资损失1.66亿。SLC NAND利基赛道，存储纯度一般，GPU投资亏损拖累。高持续亏损+投资拖累。

普冉股份 (688766.SH)：NOR+EEPROM利基赛道，2025年营收23.2亿（+28.6%）但归母净利2.08亿（-29.0%），毛利率28.4%（-5.2pct）。增收不增利典型。中产品价格承压明显。

纯概念标的特征：仅披露"涉足存储"但无量产产线、无客户认证、无收入贡献。投资者需严格区分：有无实际存储收入占比？有无通过下游大厂认证？有无产能稼动率数据？三条都答否的，即为纯概念。

四、供需缺口分析与价格走势分析（体温计）4.1 本轮周期的核心驱动逻辑

本轮是"AI需求结构性抬升 + 供给侧物理约束"共振的超级上行期，不同于此前依赖单一驱动（2016-2018手机升级、2020-2023疫情PC需求）。

（1）需求端：AI服务器存储需求是传统服务器8-10倍；八大云厂商2026年资本开支预计达6020亿美元（2024-2026 CAGR 51.9%）；iPhone 17存储升级至256GB；L3+自动驾驶单车存储需求提升40倍。

（2）供给端：三巨头2023-2024主动减产去库存；HBM晶圆产能占DRAM比从6%→20%，挤压标准DRAM供给；美光宣布停产DDR4/LPDDR4X；新建产能最快2027年上线。

（3）供需缺口：预计2025年DRAM位元供需比97.9%（接近紧平衡），NAND 98.3%；中信证券预计供不应求至少持续至2026年底。

存储芯片现货价格走势（2025年初低点至今涨幅）

品类

现货价格涨幅 (%)

DDR5 16Gb

+376%

DDR4 16Gb

+610% （最高 896% ）

DDR4 8Gb

+324%

TLC NAND 256Gb

+200%

TLC NAND 512Gb

+282%

合约价涨幅均值

+60%

来源：Bloomberg、DRAMeXchange（截至2025年11月14日），中信证券研报引用，需核实原文

HBM晶圆产能占DRAM总产能比重变化

年份

2023

2024

2025E

2026E

HBM 占 DRAM 晶圆产能比

6%

14%

20%

25%

来源：Yole，金元证券研究所引用，需核实原文

4.2 关键价格数据（截至2025年12月中旬）

品类

价格

较年初低点涨幅

备注

DDR5 16Gb

26.27 美元

+374-377%

创历史新高

DDR4 16Gb

50.75 美元

+324-896%

DDR4 涨幅最猛（停产效应）

DDR4 8Gb

14.38 美元

+324%

—

TLC NAND 256/512Gb

—

+117-282%

超 2024 年高点 5-10%

合约价涨幅（截至 10 月）

—

+31-88%

滞后现货价，仍有追赶空间

4.3 风险预警：周期下行触发窗口

高盛预警：2027下半年-2028年，全球新增产能集中释放后，存储涨价动能大概率放缓。触发条件：

（1）AI服务器落地不及预期
/ 云厂商缩减Capex；

（2）原厂超计划扩产（长鑫/长江存储产能释放+三巨头新产线投产）；

（3）内存压缩/效率技术演进（如谷歌TurboQuant）降低单机存储需求。

但当前仍处于上行中段：9月起存储全面进入卖方市场，涨价扩张至全品类各环节。合约价仍在追赶现货价，预计合约价上涨空间仍大。

五、A股投资五星级评价体系排序（结合β+α）评价体系说明

β（行业弹性）权重40%：营收/利润对存储涨价的敏感度、收入规模弹性

α（公司壁垒）权重40%：技术壁垒深度、客户认证粘性、自研能力、毛利率水平

估值性价比权重20%：PE(TTM)相对行业中枢的位置、业绩增速消化估值的能力

排名

公司

代码

星级

β 弹性

α 壁垒

估值

总评

1

澜起科技

688008

★★★★★

★★★★☆

★★★★★

★★★☆☆

AI 运力核心 + 标准制定者， HBM 接口芯片导入，毛利率 62%+ ，但估值偏高 (PE 119x)

2

兆易创新

603986

★★★★☆

★★★★☆

★★★★★

★★★☆☆

NOR 全球第二 + 利基 DRAM 放量 + 长鑫协同， 2026Q1 净利 +523% ，但 PE 107x 偏高

3

江波龙

301308

★★★★☆

★★★★★

★★★☆☆

★★★★★

超级周期最大弹性标的， Q1 净利 +6715% ， TTM PE 仅 27x ，但无自研颗粒 + 高负债

4

佰维存储

688525

★★★★☆

★★★★★

★★★☆☆

★★★★★

AI 端侧先行者 + 先进封测， Q1 净利爆发， TTM PE 27x ，但毛利 21%+ 现金流承压

5

聚辰股份

688123

★★★☆☆

★★★☆☆

★★★★☆

★★★☆☆

DDR5 SPD 高毛利 (57%) ，车规放量，但体量小 (12 亿 )+Q4 增速放缓

6

德明利

001309

★★★☆☆

★★★★★

★★★☆☆

★★★★★

自研主控 + 全栈方案， TTM PE 仅 22x ，弹性极大，但毛利 15%+ 现金流 -22 亿

7

北京君正

300223

★★★☆☆

★★☆☆☆

★★★★☆

★★☆☆☆

车规 SRAM 全球第一 + 认证壁垒深，但毛利下行 + 扣非微缩 +PE 120x ，增长偏弱

8

深科技

000021

★★☆☆☆

★★★☆☆

★★☆☆☆

★★★★☆

封测龙头稳健， PE 24x 低估值，但存储纯度低 (26%)+ 毛利 18% 加工属性

9

普冉股份

688766

★★☆☆☆

★★☆☆☆

★★★☆☆

★★☆☆☆

NOR+EEPROM 利基，增收不增利，毛利下滑 5pct ，弹性弱于核心标的

10

东芯股份

688110

★☆☆☆☆

★★☆☆☆

★★☆☆☆

—

持续亏损 + 投资拖累，存储纯度一般，暂不建议关注

A股存储核心标的财务全景对比（2025年报）

公司

毛利率 (%)

营收增速 (%)

ROE(%)

净利率 (%)

研发投入比 (%)

澜起科技

62.2

59.2

22.8

37.1

15

兆易创新

42.8

25.1

14.2

17.9

15

聚辰股份

57.3

18.8

15.1

29.1

12

北京君正

34.1

12.5

3.1

7.9

15.2

江波龙

19.4

30.4

19.4

6.6

5

深科技

18.3

6.2

9.1

7.2

4

来源：各公司2025年年报/2026年一季报

A股存储核心标的TTM市盈率对比（2026年6月）

公司

PE(TTM)

德明利

22x

深科技

24x

江波龙

27x

佰维存储

27x

聚辰股份

57x

兆易创新

107x

澜起科技

119x

北京君正

120x

来源：各公司财报数据计算（TTM=四个滚动季度归母净利润之和），需核实

投资结论与策略框架

核心配置（α+β双优）：澜起科技(688008) + 兆易创新(603986)——全球壁垒型龙头，标准制定者/全球前二，AI+国产替代双驱动，适合中长期配置。

弹性进攻（β极强+估值低）：江波龙(301308) + 佰维存储(688525) + 德明利(001309)——超级周期最大弹性，TTM PE 22-27x，但需注意无自研颗粒+高负债+现金流风险，适合周期上行段配置。

HBM材料卡位（赛道确定性）：联瑞新材(688300) + 雅克科技(002409)——HBM封装材料/前驱体核心供应商，毛利率40%+，但HBM直接收入占比尚需跟踪。

车规存储（长期逻辑）：北京君正(300223)——车规SRAM全球第一，认证壁垒深，但短期增长偏弱+估值高，适合左侧布局等待车规放量。

需警惕的信号：① 2027H2-2028新增产能集中释放；② 云厂商Capex增速放缓；③ DDR5渗透率见顶后SPD/接口芯片增速回落；④ 模组厂现金流持续为负→流动性风险。

一句话总结：买存储，本质买的是"AI算力对存储带宽和容量的刚性需求
× 全球供给端物理约束（产能2027年前无法大幅扩张）× 国产替代的结构性红利"。但这是周期——只是波形的峰值更平、持续时间更长、下跌的触发点从"库存崩了"变成了"产能释放+需求二阶导转负"。

本报告基于公开数据和量化分析，仅供参考，不构成投资建议。市场有风险，投资需谨慎。

数据来源：TrendForce、CFM闪存市场、WSTS、Bloomberg、DRAMeXchange、各公司年报/公告/招股书、中信证券/长城证券/东海证券/金元证券/爱建证券等研报、东方财富/新浪财经等公开资讯。部分数据来源于研报引用，需核实原文。

免责声明：以上内容基于公开数据和量化分析，仅供参考，不构成投资建议。市场有风险，投资需谨慎。任何投资决策应结合个人风险承受能力、资金状况和投资目标独立判断，必要时咨询持牌专业机构。过往表现不预示未来收益。

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