【zx航空航天】硅电容专家交流260629：从0到1，先进封装下的必然选择！
1、核心结论：硅电容低寄生电感（ESL）和寄生电阻（ESR），同时物理上“体积缩小80% + 厚度减薄至微米级”，成为1.6T以上光模块、先进封装下的唯一解。
2、硅电容相比传统MLCC，ESR和ESL更低、无温漂、无压降，适合高频信号传输场景。MLCC在67G频段性能显著下降，110G频段下差损大于1，而硅电容差损小于0.5，能够满足高速高频传输要求。
3、硅电容主要应用场景在1.6T以上光模块、先进封装下必须使用硅电容。更具体是，1.6T/3.2T以上光模块的信号端（AC耦合）使用硅电容，电源端（PDN去耦）仍继续使用MLCC；先进封装内（不管是GPU、NPU、XPU、CPU、HBM甚至部分SoC）必须使用。
4、1.6T光模块采用单波200G/224G PAM4，信号带宽提升到110GHz+，传统MLCC在这个频段已触及性能天花板。先进封装中厚度
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