磷化铟衬底的获取正成为半导体行业面临的一个关键风险。
中国在磷化铟供应链中占据主导地位，根据美国地质调查局的数据，其供应量占全球总量的70%。
⚠️风险提示：磷化铟（InP）是1.6T/CPO高速光模块光芯片核心衬底；衬底环节壁垒最高、供需最紧张；部分公司尚在建设/研发/送样阶段，磷化铟相关业务营收占比普遍不高，题材波动大；以下仅产业链科普，不构成投资建议。
产业链分层：上游铟资源→磷化铟衬底→外延片→InP光芯片→光模块
第一梯队：磷化铟衬底（最核心、壁垒最高，已量产/在建产线）
1、云南锗业 002428
A股最纯正标的；控股鑫耀半导体（华为哈勃参股）；2‑4英寸磷化铟衬底稳定量产，现有15万片/年；扩产30万片，建成后总产能45万片；6英寸研发小批量；下游供给头部光芯片、光模块企业 。
2、博杰股份 002975
参股珠海鼎泰芯源（24.68%），布局磷化铟衬底；同时提供化合物半导体晶圆划片设备；鼎泰尚处在产能爬坡阶段，规模较小 。
3、宿迁联盛 603065
合资公司布局磷化铟衬底项目，一期建设中，尚未量产，属于远期预期标的 。
第二梯队：上游高纯铟原料（磷化铟原材料，不做衬底）
1、锡业股份 000960
全球铟资源龙头，可生产6‑7N高纯铟，国内衬底厂主要原料来源。
2、株冶集团 600961
铟冶炼，半导体级高纯铟量产。
3、有研新材 600206
高纯铟、特种金属材料，7N超高纯铟技术储备。
4、兴业银锡 000426
伴生铟矿产资源，矿产铟原料端，冶炼深加工能力有限 。
第三梯队：外延、IDM光芯片（采购磷化铟衬底做外延、芯片）
1、三安光电 600703
IDM模式，磷化铟外延、高速光芯片；6英寸InP产线，采购衬底后做外延‑芯片一体化；AI高速激光器芯片方向布局 。
2、光迅科技 002281
自研InP基DFB/EML光芯片，上游外采磷化铟衬底；国内光芯片龙头。
3、仕佳光子 688266
InP平台高速光芯片研发、流片。
4、海特高新 002023
参股华芯光电，磷化铟、砷化镓外延研发，规模较小 。
第四梯队：下游光模块（终端应用，采购InP光芯片）
中际旭创、新易盛、天孚通信；本身不生产磷化铟材料，是磷化铟终端需求方，逻辑最弱。
关键澄清&风险
1、全球高端磷化铟衬底长期海外垄断；国内只有云南锗业实现规模化商用；其余衬底标的处于爬坡/建设/规划；扩产+客户认证周期2‑3年，短期供给很难快速释放。
2、业务区分：
- 铟矿/高纯铟：只是原料，不直接受益磷化铟衬底溢价；
- 衬底：产业链价值最高环节；
- 外延/光芯片：向外采购磷化铟衬底再加工；
- 光模块：最下游，不直接参与磷化铟材料环节。
3、风险：价格暴涨后扩产潮、下游光模块需求不及预期、良率爬坡不及预期、估值高位波动。
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