据科技日报,美国佐治亚理工学院科学家研制出一款新型NAND闪存。它既能高效处理人工智能(AI)任务,又能承受太空中的极端辐射,其抗辐射能力达到传统NAND闪存的30倍。相关研究论文已发表于最新一期《纳米快报》杂志。
新型NAND闪存利用了与硅工艺兼容的氧化铪材料的铁电性,即材料在一定温度范围内会自发产生极化,且极化方向可在外部电场作用下翻转。这一特性使铁电材料在信息存储、传感、人工智能及新一代低功耗芯片等领域颇具应用潜力。
氧化铪(HfO₂)核心上市公司(半导体高K介质/3D NAND/先进制程刚需)
氧化铪是5nm/3nm/2nm芯片、3D NAND闪存、DRAM、HBM必备高K栅介质材料,国内以锆铪分离、电子级高纯氧化铪为主线,直接对应你前面关注的新型NAND闪存上游核心材料。
一、A股最纯正、核心标的(按纯度+产能排序)
1. 三祥新材(603663)【绝对龙头】
- 国内唯一可量产5N(99.999%)电子级高纯氧化铪,锆铪分离自主技术
- 产能:140–160吨/年,2026年量产,直接供货长江存储、长鑫存储、雅克科技(前驱体)
- 逻辑:3D NAND/先进存储最大受益标的,AI+HBM+先进芯片三重需求爆发
2. 东方锆业(002167)
- 规划200吨/年电子级氧化铪产能,2029年投产,国内远期最大产能标的
- 锆铪资源充足,布局半导体+军工+核电高纯铪材料
3. 雅克科技(002409)
- 不生产氧化铪原料,采购高纯氧化铪做ALD前驱体,长江存储/长鑫核心供应商
- 氧化铪下游材料龙头,绑定存储大厂,直接受益NAND扩产
4. 盛和资源(600392)
- 海外锆矿资源+锆铪分离,布局高纯氧化铪、铪金属,海外铪资源龙头
- 间接供应半导体+军工领域
5. 东方钽业(000962)
- 稀有金属平台,布局高纯铪、氧化铪,军工+半导体双应用
二、上游配套/锆铪资源标的
- 盛达资源、中色股份:锆矿资源端,氧化铪原料源头
- 凯盛新材:精细化工、高纯试剂,氧化铪提纯配套
三、海外巨头(存储大厂主要采购)
- 美国:ATI、Cabot(全球高纯氧化铪主要供应商)
- 韩国:三星/ SK海力士自有配套材料体系
四、和你前面【新型NAND闪存】的直接关联
3D NAND、HBM、先进DRAM必须用氧化铪做高K栅介质,每片晶圆用量随制程缩小大幅提升;长江存储扩产新型NAND,三祥新材、雅克科技是最直接受益上游。
风险提示
1. 氧化铪属于小金属+半导体周期品,价格波动极大;
2. 锆铪分离技术壁垒高,产能释放进度不确定;
3. 海外ATI、Cabot垄断高端市场,国产替代进度不及预期。
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