面向2.5D/3D先进封装 长电科技高深宽比TSV研发取得突破

事件：2026‑08‑19，长电科技官宣，联合产业链伙伴完成高深宽比TSV（硅通孔）样品试制，补齐2.5D/3D先进封装底层关键工艺短板。
核心技术参数
TSV孔径：1.5μm
硅孔深度：17μm
深宽比11.3:1
覆盖全流程：深硅刻蚀→孔壁绝缘沉积→阻挡层/种子层→无缺陷铜填充
1.5μm小孔径对刻蚀精度、孔壁薄膜覆盖、铜填充无空洞要求极高，是硅中介层制造的硬核门槛。
什么是TSV
TSV硅通孔是2.5D/3D异构集成、Ch­i­p­l­et、HBM的底层核心工艺，相当于芯片内部垂直高速通道，穿透硅中介层实现芯粒上下垂直互联，缩短信号路径、降低延迟与功耗，是AI算力芯片、高带宽存储必不可少的基础能力。
对长电科技的意义
现有XD­F­OI多维异构集成平台已经实现2.5D封装量产，此前路线侧重有机RDL再布线中介层；本次TSV突破补齐硅中介层通孔制造环节。
能力升级：从多芯片堆叠封装，延伸到硅中介层通孔制备，具备硅基2.5D/3D一站式工艺交付能力。
技术储备：为后续硅中介层、混合键合、HBM配套、下一代3D‑IC堆叠打下工艺基础，承接算力芯片Ch­i­p­l­et需求外溢。
下游应用场景
AI高性能计算GPU、AS­IC芯粒异构集成
HBM高带宽存储配套硅中介层
3D芯片堆叠、多维异质异构微系统封装
风险提示（资本市场视角）
当前仅完成样品试制，尚未进入中试与量产，距离大规模商业落地还有较长周期；良率、成本、设备材料国产化仍存在不确定性。
TSV只是先进封装其中一环，整体竞争力还要看混合键合、RDL、测试、客户导入进度。
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