最近，韩国政府正式启动“超级创新经济项目”，计划投入5000亿韩元（约合22.3亿元人民币）国家资金专项攻关下一代功率半导体技术。首尔经济日报报道称，韩国正将功率半导体定位为堪比存储芯片的核心战略产业。
同时，功率半导体市场又掀起了新一轮涨价潮。英飞凌、意法半导体、德州仪器等国际头部大厂先后发布涨价函，计划在2026年分阶段对旗下部分功率半导体产品实施价格上调。
一、韩国功率半导体战略：雄心勃勃的追赶之路2026年6月14日，韩国副总理兼经济财政部长官具允哲在紧急经济指挥部会议上正式敲定“超级创新经济项目”细则。这一项目的核心目标，是启动大规模的下一代功率半导体研发。具允哲明确表示：“结构改革和超级创新经济项目也将正式推进，挖掘第二、第三个半导体等未来增长动力。”
下一代功率半导体主要指碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）等化合物材料，与现有的硅（Si）基半导体相比，在高温、高压和高频环境下具有更优异的性能。
从时间表来看，韩国政府已经制定了清晰的路线图：
2026年，被定为向8英寸芯片量产过渡的“黄金时期”，重点进行基础设施建设准备工作。
2027年，开始量产关键部件，例如1.2kV级SiC MOSFET。
2030年，将功率半导体的技术自主率和国产化率提高一倍。
为什么韩国如此急切的重金押注功率半导体？
第一，构建本土化供应链安全体系。目前，韩国国内依赖进口来满足其90%至95%的功率半导体需求。一位来自韩国的业内人士表示：“全球功率半导体领域的竞争对手已经进入成熟阶段，中国企业在关键技术领域已经大幅赶上，但韩国却严重缺乏可用的功率半导体芯片。”
第二，抢占下一代功率半导体发展先机。以SiC和GaN为代表的第三代半导体仍处于产业发展早期，技术路线尚未完全收敛，市场格局未定。
第三，支撑新能源汽车和AI产业。功率半导体是新能源汽车和AI基础设施的核心器件。韩国在电动汽车领域有现代、起亚等整车企业，在AI领域也在积极布局。通过发展本土功率半导体产业，韩国可以更好地支撑下游应用产业的发展，形成产业链协同效应。
在资金投入方面，韩国此番出手颇为慷慨。5000亿韩元的国家资金，若加上民间配套资金，总规模可达7500亿韩元（约合4.94亿美元）。韩国政府计划本月内最终确定下一代功率半导体的商业化技术路线图，并要求产业链企业参与从材料、器件、模块到系统演示的全周期开发过程，进行“全链条覆盖”的开发模式。
从6英寸到8英寸的跨越是此次攻关的核心任务之一。目前，功率半导体晶圆主要采用6英寸技术，而8英寸晶圆的量产将显著提高产量并降低单位成本。韩国政府已将完成8英寸公共晶圆厂基础设施建设作为重点任务，以加快向私营代工厂的技术转移。
在产业链组织模式上，韩国此次采用了创新的“需求驱动型研发模式”。与传统的以供应商为中心的研发体系不同，韩国引入了由“需求方企业”（即产品的实际用户）直接参与规划并承担商业化责任的方法。这一模式借鉴了“K-On-Device AI半导体技术开发项目”的成功经验，将无晶圆厂和代工厂组成联盟进行协同开发。这一模式的关键特点在于，它显著降低了已开发技术被工业界忽视的可能，因为技术的需求方从一开始就深度介入研发过程，商业化路径更加清晰。
二、京瓷因为重稀土短缺被迫减产高端IGBT陶瓷管壳
日本京瓷是全球陶瓷基板与管壳的绝对龙头，其生产所必需的氧化钇等中重稀土93%依赖中国进口。2026年2月中国加强出口管制后，审批几乎停滞，京瓷库存仅够维持10-15天。2026年3月起，京瓷高端产线已减产25-30%。由于陶瓷管壳（陶瓷封装管壳）与重稀土（氧化钇、氧化镝、氧化铽）之间存在紧密的“材料-工艺-供应链”关联。重稀土是陶瓷管壳生产中的关键“烧结助剂”，重稀土的添加极大改善了陶瓷管壳的力学、电学、光学和热学性能，使其具备高气密性、高热导率、高机械强度，并能与芯片（如Si）实现热膨胀系数匹配，满足高功率、高频、高速等高端封装需求。在没有稀土的情况下，京瓷被迫减产IGBT陶瓷管壳。
IGBT陶瓷管壳：千亿人民币的庞大市场
陶瓷管壳、封装散热基板等功率半导体器件产品上游主要为铜材、瓷件等原材料供应商，下游为晶闸管、IGBT、IGCT等功率半导体模块厂商。应用范围覆盖特高压输变电、新能源发电、工业控制、新能源汽车、智算中心、轨道交通等领域。晶闸管：2024年全球晶闸管行业市场规模约为10.8亿美元，预计2025-2033年市场规模将以3.6%的年均复合增长率增长至14.8亿美元。中国晶闸管行业市场规模自2020年开始持续增长，由2020年15.8亿元增长至2024年32.8亿元，年复合增长率为20.03%。IGBT模块：全球市场规模从2018年的43.7亿美元增长到2022年的67亿美元，预计2029年将达到145亿美元，年复合增长率为11.7%
三、赛英电子：份额仅次于京瓷，是中国和日美主要功率半导体企业的核心供应商
京瓷IGBT压接式陶瓷管壳全球市占37%，赛英30%。
公司专注大功率半导体器件用陶瓷管壳研发制造二十余年，是国家级专精特新“小巨人”企业、国家高新技术企业、江苏省民营科技企业及无锡市瞪羚企业，承担并完成了7项国家级及省级科研项目，截至2025年12月31日，公司一共拥有53项已授权专利，其中发明专利9项，实用新型专利44项，与中车时代、英飞凌、日立能源等功率半导体龙头企业保持长期密切的合作关系。
公司自2002年成立以来，专注于功率半导体器件关键部件领域，不断进行技术积累，主要产品由设立之初比较单一的普通整流管、晶闸管用陶瓷管壳，发展至如今涵盖1-6英寸多规格晶闸管、压接式IGBT、GTO、IGCT等多种大功率器件用陶瓷管壳以及应用于焊接式IGBT功率模块的平底型、针齿型封装散热基板等多元产品体系，持续增加对市场主流需求的覆盖，综合实力不断增强。客户方面，公司作为艾赛斯、中车时代、东芝和英飞凌等行业头部企业的主要压接式IGBT陶瓷管壳供应商，相关产品市占率亦处于行业前列
四、日本京瓷被迫减产，赛英电子迎来泼天富贵
京瓷IGBT压接式陶瓷管壳全球市占37%，赛英30%，国内唯一同级别量产厂商，已过英飞凌认证。
京瓷收缩车规、IDC电源、高压IGBT管壳供货后，英飞凌、斯达半导、中车时代半导体定向加大采购，补齐京瓷空缺份额，是该细分订单唯一主要承接方。
当前的功率半导体有点类似MLCC。
全球领先的功率半导体公司（STM、On Semi、Infineon、Rohm、Vishay）的资本开支在2023和2024年连续下降，2026年虽然预计有温和回升，但增幅也就11%左右，跟历史高峰比根本不算什么。更关键的是中国本土厂商的动向：士兰微、芯联集成这些原本做功率器件的IDM和代工厂，现在纷纷把资源转向AI电源管理（PMIC等），未来三年功率分立器件（IGBT、MOSFET）的产能增加非常有限
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