会议助理那句“目前所有参会者均处于静音状态”，冷冰冰的，像电影开场前最后一秒的黑屏。
然后中泰电子王峙博开口了。我本来以为，这又是一场常规的电子深度汇报——CoWoS、HBM、先进封装，翻来覆去那些词。结果听着听着，我发现不太对。
这哪是换材料。
这更像是，AI芯片住的那栋楼，要换地基了。
先说结论吧，免得你看到一半着急：玻璃基板不是小风口，它是先进封装往大尺寸、低线宽、高密度走的时候，被物理规律逼出来的一个方向。节奏不会一夜之间天翻地覆，但趋势，已经写在玻璃上了。
AI芯片长个儿，先喊疼的是“地板”以台积电CoWoS为代表的2.5D、3D封装，早就不是当年那个“少数派方案”了。从2011年第一代CoWoS-S开始，它一路爬坡，慢慢成了AI算力芯片的主流。
这里面有两个趋势，确定性很强。
一个，是集成度越来越高。
一个封装里，GPU数量越来越多，芯片越堆越密。NVIDIA从Blackwell到Rubin，再到后面可能出现的Rubin Ultra，封装面积一路膨胀。你想想，一座城市不断加盖楼层、扩街区，最先受不了的，往往是地下管网和地基。
另一个，是封装面积越来越大。
面积一大，工艺就得跟着变。台积电CoWoS的极限光罩尺寸，大概在3.3倍到4倍。再大，就得往CoWoS-R、CoWoS-L方向切。尤其是CoWoS-L，有望在2027年做到9.5倍光罩尺寸，后面还可能继续往上推。
还有一个趋势，容易被忽略：线宽越来越低。
为什么？内存墙。
GPU和HBM之间的互联带宽要持续提升，作为互联载体的中介层、载板，就得在有限面积里塞进更高密度的互连。亚微米级布线，就是这么被逼出来的。台积电CoWoS-S、CoWoS-L，不管中介层还是LSI硅桥，都在往这个方向走。
一句话：AI芯片要更大，大到装下更多GPU；要更密，密到每平方毫米都塞满互连；还要更快，快到数据在GPU和HBM之间飞奔。
然后，传统封装开始喘了。
真的，不是它不努力。
是有机ABF载板，物理性质摆在那儿。
传统有机ABF载板，在大尺寸、高密度封装面前，遇到三座山。
第一座，切割利用率下降。
以台积电CoWoS-S、CoWoS-L为例，方形中介层是从12寸晶圆上切下来的。晶圆是圆的，中介层是方的。尺寸越大，边角料越多。像从圆桌上切方砖，越切越心疼。成本自然下不来。
第二座，载板翘曲。
有机ABF载板热膨胀系数高，和硅芯片差距大。大尺寸封装一上高温，板子容易翘。像一块受潮的木板。良率、耐用性，都受影响。
第三座，表面平整度不够。
有机载板表面平整度大概在1到3微米。你想在它上面做超高密度布线，难度不小。有点像在略有起伏的柏油路上画微米级电路，笔一抖，线就歪。
这时候，玻璃的优势就出来了。
第一张牌：能做很大。
台积电现在的CPO方案里，已经用310毫米×310毫米的方形玻璃载板，替代12寸晶圆。方形对正方形，切割利用率显著提升，封装成本就有下降空间。中介层制造需要载板支撑，大尺寸方形玻璃载板，正好突破12寸晶圆的限制。
第二张牌：热膨胀系数可调。
康宁、肖特等厂商供应的低热膨胀系数玻璃，可以把热膨胀系数压到3.3左右。这个数字很关键，能有效缓解ABF载板的翘曲问题。硅芯片怕热胀冷缩，玻璃说：我陪你稳。
第三张牌：表面平。
玻璃基板表面平整度可达0.1微米，对比有机载板的1到3微米，简直是“镜面”和“砂纸”的差别。高密度布线，要的就是这种平整。
所以，玻璃在先进封装里，主要有两个应用方向。
一个，是玻璃芯载板替代传统有机芯ABF载板。
ABF载板现在应用很广，CoWoS、InFO等方案里都能见到。它过去的结构，是玻纤布预浸树脂芯层，加上两侧ABF布线层。但大面积封装下，翘曲、布线精度问题越来越突出。未来，用TGV玻璃替代有机板芯，凭借更低热膨胀系数、更高弹性模量，降低翘曲；凭借更低表面粗糙度，实现高密度布线。英特尔、京东方等厂商，都在尝试。
另一个，是作为临时玻璃载板。
台积电的CoPoS方案，可以理解为面板级CoWoS。它把中介层加工过程中的12寸晶圆，替换成310毫米×310毫米方形面板，再在上面加工多个中介层。切割效率大幅提升。中介层制造需要临时载板支撑，玻璃芯载板就派上用场。未来，台积电也有望把玻璃芯载板引入CoWoS和CPO封装。
市场空间有多大？
中泰电子测算，2028年、2030年，全球玻璃芯载板市场空间预计可达约650亿元、2700亿元。说实话，我第一次看到这个数，也愣了一下。这不是小修小补，是一个巨大的新市场。
看海外，玻璃基板已经是一场军备赛。
最积极的，是英特尔。
2023年5月，英特尔在先进封装蓝图里提出，用玻璃芯载板替代传统封装载板。到2023年9月，就推出业界首款先进封装玻璃芯载板。动作是真快。
为什么英特尔这么急？
因为它要推EMIB方案，去承接台积电先进封装产能溢出的市场。
CoWoS是主流，但缺点也明显：中介层要用晶圆级工艺制造，技术难、成本高、产能建设慢。EMIB本质上没有中介层，只有一层ABF载板，在载板制造完成后挖槽埋入硅桥，实现局部高密度互联。它不需要中介层产能，成本和扩展速度都有优势。性能虽和CoWoS有差距，但能吃到不少溢出订单。
英特尔也在持续演进EMIB，推出EMIB-M、EMIB等方案，面积继续增大，2028年可能做到12倍光罩尺寸。客户方面，2027年量产的芯片有望采用，Meta也在评估用于自家AI芯片。大尺寸EMIB封装，会进一步提升平整度需求，英特尔的玻璃芯EMIB方案有望更快渗透。今年年初，英特尔已在展会上展出封装面积达两倍光罩尺寸、合计22层的玻璃芯EMIB方案。产能上，美国工厂技改，印度投资33亿美元建玻璃基板产线。未来投入重心，也在玻璃基板和新材料。
台积电呢，稳，准，狠。
短期，它的CoPoS工艺会采用玻璃临时载板。远期，也有望把玻璃芯载板引入自己的载板层。CoWoS-L计划2027年实现9.5倍光罩尺寸，2028年实现14倍；面积达40倍光罩尺寸的SoW方案，预计2027年具备量产能力。CoPoS工艺预计2028年底到2029年初量产，初期确定性采用玻璃临时载板，把12寸晶圆临时载板替换成310毫米×310毫米方形面板。供应链可能与FOPLP玻璃载板类似。同时，台积电也在合作群创等厂商，测试玻璃芯ABF载板。如果大面积翘曲问题明显，台积电也有望把玻璃芯载板引入CoWoS或CoPoS封装，替代有机芯substrate。
韩系也没闲着。
三星计划2028年实现玻璃芯载板大规模量产；SKC计划2027年实现玻璃基板大规模量产。这场竞赛，已经从实验室烧到产线。
玻璃基板的工艺流程，听起来很硬核：低热膨胀系数玻璃原片，经过表面处理、激光诱导刻蚀、通孔填铜、RDL制造，最终成为玻璃芯ABF载板。
其中，玻璃原片、通孔、沉铜、RDL布线，是壁垒最高的几道工序。
先说玻璃原片。
它本质上和显示面板玻璃类似，但理化性质要求更严。也是硼硅玻璃配方，但要减少氧化铝、增加二氧化硅，把热膨胀系数调低。目前更多采用溢流下拉法，实现更高表面平整度。供应链仍以海外龙头为主：康宁、肖特、旭硝子、电气硝子。
再说TGV通孔。
TGV和TSV不同。TSV主要用干法气相刻蚀，先打盲孔，背面减薄成通孔。TGV一般直接刻蚀通孔，再填铜。难点在于：小直径，提升布线密度；高深宽比，同样厚度下孔径更小。行业已形成共识，激光诱导刻蚀是大规模TGV制造的主流。先用超短脉冲激光扫描玻璃内部需要打孔的区域，让玻璃改性，再把基板放进酸或碱刻蚀液。相比激光直接烧蚀，它能避免机械应力和热应力产生的裂纹、边缘损伤，可制造深宽比超过50:1的TGV通孔。
然后是金属化填充。
分两步：种子层沉积、电镀填铜。关键是用铜快速、无缺陷地填满TGV通孔。第一步常用PVD，在孔壁沉积钛或铬作为过渡层，再沉积铜种子层，缓解金属与玻璃之间的热膨胀系数适配，控制内部应力。难点在于，深宽比大时，PVD种子层容易在通孔中心区域难以连续覆盖，出现局部分层，影响后续电镀。行业正在开发湿法化学镀工艺。电镀填充时，内部无空洞是难点。TGV是通孔填充，不是盲孔填充，容易出现孔口过早封闭、内部空洞，导致电联通性能受损。业界普遍用抑制剂、加速剂、整平剂协同，让TGV中部填充速度高于两端，实现无空洞填充。
最后是RDL布线。
载板主要采用SAP工艺。主流有TS、SAP、MSAP。封装载板对线宽线距要求高，所以SAP为主。难点是低线宽和应力控制。干膜贴合附着力、种子层附着力，都是工艺难点。未来线宽低于5微米时，SAP可能遇到走线缺陷和漏电挑战，行业可能提出更半导体级别的布线方案。内部应力控制也难。ABF材料在XY方向热膨胀系数高，和玻璃芯差距大。高多层压合后，高温场景下容易因内部应力集中而爆板。这对制造厂商的玻璃层压工艺、玻璃芯加工应力控制，要求都很高。
一句话：玻璃基板制造，像在玻璃上打微米级井，再灌铜、绣花、压合。每一步，都是硬功夫。
玻璃桥：给光互联修一条“高速匝道”再看远期增量：玻璃桥和CPO玻璃基板。
康宁在2017年就提出用于板级互联的玻璃波导方案；2021年发布CPO玻璃基板demo；2025年9月与格罗方德联合发布用于PIC和光纤连接的玻璃桥方案。可以理解为，把CPO玻璃基板的波导功能单独拿出来，做一个更容易落地的分体方案。
玻璃桥主要用在CPO边缘耦合方案。传统CPO边缘耦合使用FAU进行光信号输出，面临Pitch间距和耦合对准两大难点。
Pitch方面，硅光芯片封装空间有限，未来需要持续降低波导间距，提升单位面积通道数量。与硅光芯片对接的FAU，Pitch也要同步降低。目前FAU以127微米为主，下一代量产80微米。但硅光芯片Pitch理论上已可轻易做到50微米甚至以下，两者密度存在明显错配。
耦合对准方面，传统FAU使用人工有源对准方案，需要系统通光后，通过6轴设备人工调整FAU方向，找到局部光功率最大点，再固定。效率、良率、耦合难度，都是拖累。
康宁玻璃桥方案，用带波导的玻璃桥替代FAU进行耦合，具备低损耗、可被动组装、高光功率兼容、可拆卸四大优点。传统光路是硅光波导→FAU→光纤；玻璃桥方案是硅光波导→玻璃桥波导→MPO→光纤，用玻璃桥里的波导替代FAU微型槽功能。
它基于两大关键能力：PIC与玻璃桥的耦合定位设计，低损耗小半径玻璃波导制造。
耦合上，PIC和玻璃桥波导采用倏逝波耦合，降低对准精度要求，降低耦合损耗。对准上，采用纯机械限位加被动对准，不再需要人工主动对准，仅用机器视觉和机械限位自动对准。好处有三：无需主动对准，借助机械限位和精密光学标记，实现XYZ三方向高精密对准；插损低，玻璃桥和PIC界面插损对XY方向微米级对准误差敏感性低，界面插损可控制在1.5dB以下；可拆卸，玻璃桥和PIC无需胶合固定，故障可拆卸替换，延长CPO系统可维护性。
玻璃波导制造，康宁主要采用离子交换方案。流程包括表面处理、金属掩膜制造、涂胶、激光直写曝光、刻蚀、离子交换、去掩膜，之后反向离子交换，将玻璃波导埋入玻璃中。关键指标是弯曲半径、传输损耗、MPO侧插损。康宁通过高曲率波导工艺，在损耗可控下降低波导距离，减少占地面积；通过工艺调整和玻璃成分，把传输损耗降到较低水平；通过机械对准和模场匹配，把MPO插损降到0.5dB以下。
玻璃桥，有望解决CPO放量面临的诸多难点。当前CPO仍在小批量出货到大批量爬坡，放量受耦合效率、可维护性限制。玻璃桥不需要主动对准，耦合效率高于传统FAU，支持拆卸维护，有望成为加速CPO放量、提升系统效能的关键工艺。中短期看，玻璃桥落地可能性高于集成度更高的CPO玻璃基板。康宁自身有深厚波导制造know-how，与格罗方德密切合作，核心工艺优势大。国内厂商在冷加工之外，也可参与低损耗波导加工环节。京东方、水晶光电等，已与康宁有合作。
远期，康宁还会把玻璃桥方案推向系统集成度更高的CPO玻璃基板。康宁2017年提出概念，2021年展出demo，2025年已开始测试220毫米×255毫米、420毫米等大尺寸CPO基板。CPO玻璃基板结合TGV和光波导工艺：中间部分通过TGV实现高密度电封装，外侧区域制造波导，实现光引擎信号耦合输出。它同时具备高平整度、高电信号密度、低光耦合损耗优势，有望成为远期CPO终极方案。对国内厂商，也是增量：不只参与TGV，还可参与波导制造、RDL布线。
京东方：屏王想当“地基商”最后，落到推荐标的：京东方。
为什么是京东方？
第一，工艺底子厚。
作为全球显示面板龙头，京东方在玻璃表面布线方面，有丰富工艺积累。在此基础上，公司前瞻布局TGV和ABF层压工艺，逐步成长为覆盖原片加工、TGV、高多层RDL全制程的行业龙头。
第二，布局早，投入狠。
2021年，京东方开展TGV相关技术开发；2022年，投入4亿元建设玻璃基和硅基兼容的8寸晶圆级创新实验平台；2023年实现通线；2024年，又投资10亿元建设板级玻璃基载板试验线；2025年6月设备搬入，2025年12月建设完成；2026年上半年已实现全自动化设备通线。
第三，与康宁深度绑定。
今年5月21日，京东方公告与康宁签订合作备忘录，围绕玻璃基封装、可折叠玻璃、钙钛矿和光互联展开合作。这有望结合康宁在玻璃原材料领域的积累、海外客户关系，以及京东方精密玻璃加工制造能力，持续加速客户导入。目前，京东方产品已送样国内外终端芯片厂，部分客户进入技术测试阶段。未来，公司有望携手康宁，持续加速客户导入。
第四，产能和需求都在往上走。
当前京东方样品需求旺盛，有望持续扩充产能。今年年末，有望达到1000片/月的中试线设计产能。后续量产线也有望在2027年上半年达成量产线投决条件，未来持续大幅扩充产能，贡献利润增量。
远期，玻璃桥和Micro LED光互联，有望打开成长空间。
玻璃桥和CPO玻璃基板，是康宁向光互联T1升级过程中的重要产品。京东方与康宁合作开发玻璃桥，后续也有望针对CPO玻璃基板展开合作，持续受益CPO方案渗透。Micro LED光互联，凭借低功耗、低成本，未来有望成为铜退光进趋势下，短距离光互联的重要方案。公司旗下华灿布局Micro LED外延芯片和发光模组业务，具有全球首条Micro LED芯片6英寸量产线，通讯应用芯片产品已在2025年下半年产出样品，交付客户验证。京东方也成立Micro LED光互联系统项目组，进行前瞻技术预研，未来有望承担系统集成业务。
盈利预测上，中泰电子认为，未来几年消费市场回暖，TV、PC、手机营收温和增长。显示器件业务方面，随着高世代LCD稼动率提升、OLED出货增长、竞争格局改善、高世代LCD产线折旧逐步到期，毛利率有望显著改善，贡献利润增量。公司也在持续做少数股权收购，增厚归母净利润。预测2026、2027、2028年归母净利润分别为89.4亿元、122.5亿元、166.1亿元，对应PE分别为21.7倍、16.4倍、11.6倍，对比可比公司具备性价比。因此，上调至“买入”评级，持续推荐。
尾声：玻璃，从屏幕走向芯片地基过去，玻璃是屏幕的脸面。
未来，玻璃可能是AI芯片的地基。
它要更大，大到装下面板级封装；
它要更平，平到承载微米级布线；
它要更稳，稳到高温之下不翘不裂；
它还要更光，光到让光信号在玻璃波导里高速穿行。
先进封装的下半场，不只是芯片越叠越高，更是地基越换越硬。玻璃基板，正在从实验室走向产线，从海外龙头走向国内供应链。京东方，正站在这条新赛道的卡位上。
这不是一次小升级。
这是一场封装底层材料的迁徙。
而迁徙的方向，已经写在了玻璃上。
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