晶盛机电：AI打开碳化硅衬底应用场景，晶盛SiC放量在即1、碳化硅衬底行业反转在即，核心驱动因素为AI打开应用场景：（1）HVDC率先放量：AI服务器的功耗持续攀升，对电源系统提出了极高要求，英伟达数据中心供电架构从传统低压系统向800伏高压直流（HVDC）架构演进，SiC凭借更耐高压、散热性更强等优势，天生比硅更适应高压环境；（2）三星正式重启8英寸碳化硅（SiC）代工业务，2027年建成试点线、2028年实现量产；（3）碳化硅龙头Wolfspeed公布了2026财年第三季度（截至2026年3月31日）财报，公司当期营收约1.502亿美元，同比下滑19%，但AI数据中心相关业务环比增长约30%，已成为新的增长引擎。2、晶盛碳化硅衬底已规划产能合计90万片：（1）导电型（6、8寸兼容）：国内一期30万片+二期新建60万片长晶产能，合计产能达90万片，外加海外马来西亚24万片切磨抛年产能，是国内为数不多能够实际量产8寸的衬底厂商；（2）半绝缘型：12寸衬底已通线，AR眼镜、CoWoS中介层等已经对接头部客户。3、晶盛核心优势在于设备自制+电费便宜+海外产能搭建：（1）长晶+切片+研磨+抛光所有设备全部自制，无需外采外部设备，成本低+迭代速度快；（2）长晶全部在宁夏银川，工商业电费很低仅需4-5毛，所以晶盛sic的生产成本极具优势；（3）目前国内唯一一家有实际海外产能的，在马来西亚规划了24万片工厂，主要配套英飞凌等海外器件大厂。碳化硅：AI拉动新需求，行业迎反转之年今日时代电气+20%，晶盛机电+13.20%，晶升股份+9.79%。主要受到碳化硅概念拉动，伴随AI拉动，碳化硅行业迎来反转之年。1、AI拉动碳化硅新应用场景。电源领域，SiC功率器件在数据中心电源、UPS、服务器电源显著提升转换效率与功率密度，配合800V HVDC架构提升整体能效。封装领域，NVIDIA预计在Rubin平台引入SiC并采用TSMC CoWoS，以SiC替代硅中介层，TSMC亦与供应商开发12英寸单晶SiC载板；光学领域，SiC高折射率与热导率在AI眼镜SRG波导/散热中具备优势，可能替代树脂成为未来方案。2、海外龙头业绩和股价反转。行业价格端，6英寸衬底价格止跌企稳，8英寸价格结构性反弹。海外龙头Wolfspeed一个月之内已翻3倍，毛利率环比改善超2位数，AI营收季增30%。3、国内公司具备显著规模和成本优势。相比Wolfspeed，国内衬底公司天岳先进、晶盛机电等在规模和盈利能力上具备显著优势，技术上也已实现反超，但国内行情刚刚起步，仍有较大空间。
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