SK海力士发布声明称，SK海力士与闪迪推出高带宽闪存(HBF)的行业首套标准规范，HBF属于下一代存储技术。两家企业组建联盟约六个月后达成这一里程碑进展。谷歌与Tenstorrent同样加入该HBF联盟。HBF是介于高带宽内存(HBM)与固态硬盘之间的新型存储层级；该技术兼具接近HBM的高速数据传输能力，同时依托NAND闪存技术实现存储容量大幅扩容。
快克智能，公司TCB热压键合设备目前针对HBM堆叠工艺进行开发，未来可根据HBF具体应用进行设备迭代。
【东吴电子陈海进】RDL、TSV与Bump：先进封装如何把多颗芯片“连成一颗”
📌 国内先进封装扩产正由封测产线向核心互联工艺延伸。
随着2.5D/3D、Chiplet及HBM封装需求增长，国内设备和材料厂商持续完善RDL、Bumping、TSV等工艺布局。
📌 RDL、TSV与Bump分别有什么作用？
RDL即重布线层，负责将芯片焊盘在平面重新排列和延伸；TSV是在硅片内部制作导电通孔；Bump则是芯片、中介层与基板之间的连接点。简单来说，RDL负责“横向布线”，TSV负责“上下打通”，Bump负责“界面连接”。
💡 为什么先进封装的工艺价值量更高？
传统封装的线路较粗、互联数量有限，而Chiplet和3D堆叠需要更多层RDL、更小间距凸点及更深、更密的TSV。每增加一层互联，通常都会增加光刻、刻蚀、电镀、清洗和检测等工序，对设备精度、材料纯度及套刻能力提出更高要求。
💡先进封装正在呈现“后道工艺前道化”。
先进封装的线宽、对准和缺陷控制要求不断向晶圆制造靠拢，封装厂的竞争也从简单组装转向完整互联工艺和量产良率。随着多芯片集成数量增加，增量价值有望由OSAT向光刻、刻蚀、电镀、清洗、CMP及封装材料环节持续传导。
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