CoWoS堆叠产业链全景梳理

2026-05-27 14:43:199
CoWoS堆叠产业链全景梳理

数据日期:2026年5月27日


一、CoWoS是什么

CoWoS(Chip-on-Wafer-on-Substrate)是台积电主导的2.5D/3D先进封装技术,核心逻辑:将逻辑芯片(GPU/AI芯片)与HBM高带宽内存通过**硅中介层(Silicon Interposer)**上的微小金属线互连,再封装到ABF有机载板上。


技术迭代路径:


CoWoS-S(硅中介层全尺寸)
CoWoS-R(RDL中介层)
CoWoS-L(局部硅桥+有机基板,当前主流占70%+)
CoPoS(玻璃基板,台积电计划2028年量产)

核心驱动力 AI芯片(NVIDIA/AMD/华为昇腾)对算力+内存带宽的极端需求。台积电CoWoS产能2026年底目标12万片/月,80%用于AI芯片,供需缺口超10倍。


二、产业链总览
┌─────────────────────────────────────────────────────────┐
│ 上游:封装材料与核心设备(国产化率 < 10%) │
飞凯材料 / 华海诚科 / 菲利华 / 联瑞新材 / 中微公司 ... │
├─────────────────────────────────────────────────────────┤
│ 中游:硅中介层与封装载板 │
│ 盛合晶微 / 汇成股份 / 兴森科技 / 深南电路 │
├─────────────────────────────────────────────────────────┤
│ 下游:封测代工(OSAT) │
长电科技 / 通富微电 / 华天科技 / 甬矽电子
├─────────────────────────────────────────────────────────┤
│ 终端需求 │
│ NVIDIA / AMD / 华为昇腾 / 寒武纪 / 谷歌TPU │
└─────────────────────────────────────────────────────────┘
三、上游:封装材料与核心设备

国产化率 < 10%,技术壁垒最高,替代空间最大。


3.1 核心材料
环节
公司
代码
核心产品
产业链位置与壁垒
临时键合胶
飞凯材料
300398
临时键合/解键合胶
CoWoS堆叠必需耗材,台积电供应链第二大国产供应商,国内市占率30%+
封装光刻胶
飞凯材料
300398
厚膜负性光刻胶+BARC
硅中介层RDL布线核心,分辨率0.8μm,替代东京应化,国内独家量产BARC
超低阿尔法微球
飞凯材料
300398
超低阿尔法互连微球
HBM/GPU高密度互连,突破50μm极小尺寸,填补国内空白
塑封树脂
华海诚科
688535
高端EMC环氧塑封料
多层晶圆堆叠封装必需,打破海外树脂垄断
超薄石英布
菲利华
300395
M9级超薄石英布
通过英伟达M9+台积电CoWoS双认证,国内唯一量产
球形硅微粉
联瑞新材
688300
高端封装填充材料
EMC核心填料
高端电子胶
回天新材
300041
先进封装胶黏剂
已进入送样测试阶段

飞凯材料为三重复合受益标的:临时键合胶 + 封装光刻胶 + 超低阿尔法微球,全面覆盖CoWoS全流程三大核心耗材,2025年净利润同比大增58.36%。


3.2 核心设备
环节
公司
代码
核心设备
受益逻辑
TSV深硅刻蚀
中微公司
688012
深硅刻蚀机
硅通孔加工核心设备,国内刻蚀设备龙头
LDI直写光刻
芯碁微装
688630
无掩膜直写光刻
硅中介层RDL精细布线,不受掩膜版产能限制
CMP减薄
华海清科
688120
CMP减薄机
TSV工艺+3D堆叠必需,订单交期1年以上
薄膜沉积/键合
拓荆科技
688072
PECVD+混合键合机
Chiplet/3D堆叠刚需设备
涂胶显影
芯源微
688037
涂胶显影+键合/解键合
2.5D/HBM扩产直接受益
清洗/电镀
盛美上海
688082
先进封装清洗+电镀
CoWoS扩产配套
刻蚀
北方华创
002371
TSV刻蚀设备
中微公司互补
四、中游:硅中介层与封装载板

CoWoS核心环节,连接逻辑芯片与HBM的关键桥梁。


4.1 硅中介层(Silicon Interposer)
公司
代码
核心能力
行业地位
盛合晶微
688820
TSV高深宽比通孔+晶圆凸块+多层芯粒堆叠全套技术
国内唯一规模化量产2.5D硅中介层企业,85%国内市占率,深度绑定华为昇腾、寒武纪
汇成股份
688403
CoWoS-L玻璃基+硅基双路线;玻璃TSV通孔工艺
国内稀缺CoWoS-L供应商,通过头部AI芯片厂商认证
4.2 ABF/FCBGA封装载板
公司
代码
核心能力
行业地位
兴森科技
002436
ABF高阶FCBGA量产,TGV工艺(玻璃基板)
国内ABF载板量产龙头,批量供货华为昇腾CoWoS配套场景
深南电
002916
5nm高阶FCBGA,硅基/玻璃基双路线
切入英伟达供应链,载板国产替代核心标的
五、下游:封测代工(OSAT)

承接台积电外溢订单,国产AI芯片封测核心受益环节。


公司
代码
核心平台
主要客户
核心进展
长电科技
600584
XDFOI(对标CoWoS)
英伟达H20/GB300、AMD、海光
4nm量产,良率98.5%,先进封装收入占比70%+,2026产能利用率超95%,扩产50%
通富微电
002156
Chiplet/类CoWoS-S
AMD MI300系列、昇腾
5nm量产,良率97%,成本降40%,南通扩产20%,定增44亿扩产
华天科技
002185
eSinC 2.5D平台
国产AI芯片
获大基金三期扶持,量产节奏略慢于长电/通富
甬矽电子
688362
2.5D/3D堆叠
长鑫存储、智元
100%聚焦高端封测,小体量业绩弹性大
六、三条投资主线
主线一:封测龙头(确定性最强)

逻辑: 台积电CoWoS产能严重紧缺→订单外溢→国内OSAT直接承接量价齐升


标的
确定性
核心看点
长电科技 600584
★★★
全球前三封测,已获英伟达订单,XDFOI技术对标CoWoS
通富微电 002156
★★★
AMD核心封测伙伴,先进封装收入占比达70%
盛合晶微 688820
★★★
大陆唯一量产2.5D硅中介层,绑定昇腾(但未上市流通)
主线二:核心设备(扩产刚需,订单可见性最强)

逻辑: CoWoS产能建设→先进封装设备需求爆发→订单交期1年以上


标的
核心看点
中微公司 688012
TSV深硅刻蚀设备国产龙头
芯碁微装 688630
LDI直写光刻,国产替代加速
拓荆科技 688072
混合键合机,3D堆叠刚需
华海清科 688120
CMP减薄机双设备布局
主线三:封装材料(弹性最大,国产替代空间最大)

逻辑: 国产化率 < 10%,认证壁垒极高(1-3年),2026-2028年关键窗口期


标的
核心看点
飞凯材料 300398
三重受益(键合胶+光刻胶+微球),台积电供应链认证,2025净利+58%
华海诚科 688535
塑封树脂国产替代,批量供货头部封测
菲利华 300395
M9级石英布通过英伟达+台积电双认证,全球稀缺
七、技术演进方向
技术
状态
特点
受益标的
CoWoS-L
当前主流
局部硅桥+有机基板,降低翘曲与成本,适配大尺寸芯片
兴森科技汇成股份
CoPoS玻璃基板
台积电2028年量产
14倍光罩尺寸,可集成20个HBM堆栈
兴森科技(TGV)、飞凯材料(TGV材料)
SoIC
台积电推进中
3D IC,芯片直接堆叠无需中介层
长电科技(XDFOI)
八、核心催化与风险
核心催化
台积电CoWoS产能2026年底扩至12万片/月,80%用于AI芯片
大基金三期3440亿元重点扶持先进封装
国产AI芯片2026年出货量预期突破5000万颗
ABF载板订单交期拉长至8个月以上
NVIDIA订单排至2027年

主要风险
风险维度
具体说明
客户认证周期
英伟达/AMD认证需1-2年,切入慢则错过窗口
技术路线迭代
CoPoS/SoIC等新方案可能替代CoWoS-L
核心设备依赖海外
部分高端设备和材料仍需进口
扩产周期长
新产线设备到位到爬坡量产需12-18个月

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