英特尔 XBM 专利舍弃 HBM 硅中介层：后段晶体管 DRAM 搭配 UCIe，打造高性价比 AI 内存英特尔一份名为跨批次内存（XBM）的全新高带宽内存架构专利已于 2026 年 7 月 2 日公开，旨在解决当前依赖中介层的 HBM 方案存在的封装与良率瓶颈。核心创新点：将 DRAM 晶体管集成至芯片后道制程（BEOL）层，彻底取消成本高昂的硅中介层；同时采用速率 32 吉传输 / 秒的通用芯粒高速互联（UCIe）串行链路，替代 HBM 的超宽并行物理层（PHY）。英特尔该架构内存裸片最高可堆叠 16 层，单颗裸片容量约 1.5GB；基底裸片搭载内置自修复（BISR）电路与冗余备用通道，提升高层堆叠结构的量产良率。
#英特尔XBM
UCIe是通用芯粒互联行业标准，XBM采用32GT/s串行UCIe链路作为内存与计算芯片的数据通道，替代传统HBM并行总线，实现去中介层、芯粒模块化设计。
#和顺石油：奎芯UCIe Chiplet 互联 IP， 已用于国产大算力芯片中， 可支持万卡级算力集群扩展。 已服务超过 60 家客户， 其中包括国际存储行业巨头和 AI 领域的独角兽企业。
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