荷兰后端设备公司BESI在2026年4月23日的Q1财报电话会上释放了关键信号：三星电子预计在2026年年中（约Q2末）正式决定采用混合键合技术。这与2月份2025年全年/Q4财报会上的指引一致。
传统热压键合（TC Bonding）：使用微小的金属凸点连接堆叠芯片。
混合键合（Hybrid Bonding）：无需凸点，直接实现芯片铜表面与铜表面的连接，芯片间间隙仅约7微米。
更高的集成密度与更短的互连长度 → 性能提升
更低的功耗
降低成本（省去凸点工艺）
混合铜键合（HCB）是TC键合的15倍
超过TC键合的100倍
JEDEC放宽高度限制的影响，被市场过度担忧，实际影响有限
JEDEC（联合电子设备工程委员会）正考虑将下一代HBM的封装高度上限从当前的775微米放宽至825微米或900微米。这被视为可能延长传统TC键合的使用寿命，从而推迟混合键合的采用。
BESI CEO Richard Blickman 的解读（关键）
“JEDEC考虑放宽厚度规格的唯一原因，是因为三家内存厂商中的一家需要这个高度来适配其工艺。另外两家不受此变化影响。”
三星电子、SK海力士、美光。
言下之意，有两家厂商并非因为厚度限制才采用混合键合，而是出于性能、功耗、散热等技术优势。
在2026年3月NVIDIA GTC大会上，三星已公开展示其用于HBM的混合键合技术，并宣称相比TC键合
热阻改善超过20%
支持16层及以上堆叠
Blickman强调
“混合键合相对于传统TC键合在回路速度、功耗、发热方面的优势越来越清晰。正如三星公开披露的，HBM厚度限制的放松并未改变混合键合的采用节奏。”
量产时间表：2027年进入量产
三家内存厂商正根据同一家最终客户设定的标准进行设备评估。
该最终客户要求内存厂商在2026年底前完成混合键合堆叠产品的能力建设，目标是2027年将成品推向市场几乎可以肯定是NVIDIA（唯一能统一三家HBM厂商标准的买方）。
BESI预计，基于混合键合的HBM将在2027年开始量产。
BESI是混合键合设备全球领导者
在精度和吞吐量（特别是die bonding设备）方面处于全球领先地位。
全球最大的半导体设备公司应用材料（Applied Materials） 持有BESI 9% 的股份，为其第一大股东。
这意味着BESI将显著受益于三星、SK海力士、美光三家未来的混合键合设备采购。
在这场技术变革中，最确定的受益者首先是设备商。目前，全球混合键合设备市场呈现出“一超多强”的局面。荷兰的BESI凭借极高的对准精度和吞吐量，占据了全球约70%的市场份额，并与半导体设备霸主应用材料（AMAT）深度绑定，形成了极高的技术壁垒。
然而，对于中国资本市场而言，真正的看点在于“国产替代”的从0到1。
面对海外的技术封锁，中国设备厂商正在加速突围，试图在3D集成这条新赛道上换道超车
拓荆科技：作为国产薄膜沉积设备的龙头，已率先推出了首台量产级混合键合设备，并获得了客户的重复订单，处于国内领跑地位。
迈为股份 & 百傲化学：这些跨界或深耕细分领域的企业也在加速追赶，其混合键合设备已交付客户并进入产业化验证阶段。
矽赫微科技：作为新兴力量，专注于提供全栈键合解决方案，致力于打破国外在高端键合设备上的垄断。
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