《张江高科》参股Micro LED光通信（光互联）龙头芯元基半导体接近12%股权
张江高科上市公司本身参股芯元基半导体6.2%
上市公司母公司张江集团参股5.6%
总计合计接近12%
芯元基半导体：非上市光通信 Micro LED 芯片头部企业
核心布局：2025 年 12 月正式启动光通信 Micro LED 专项研发，依托自研 4-6 英寸 DPSS GaN 外延平台
技术亮点：已实现 < 10 微米像素尺寸的蓝光 Micro LED 阵列，单通道调制速率超 8Gbps，位错密度 < 5×10⁸/cm²
研发方向：聚焦电流注入效率提升、像素隔离优化，探索与 CMOS 驱动 IC 的集成方案
官方gzh推文：
https://mp.weixin.qq.com/s/zVxsqPIQagNukCaiOEUb6Q
随着AI大模型对算力需求持续增长，数据中心内部的数据传输正面临带宽、功耗和距离的多重挑战。传统电互连方案在高速场景下已接近物理极限，业界开始探索新型互连技术路径。
近期，Micro LED因其低功耗、高并行密度和与CMOS工艺兼容等特性，逐渐进入短距光互连的研究视野。相比电互连，基于Micro LED的光互连方案具备以下优势：
全链路功耗可低于
1 pJ/bit；
单芯片集成数百个发光单元，支持
Tbps级聚合带宽；
光信号不受电磁干扰，适合高密度服务器环境；
与CMOS工艺兼容性高。
目前，海外已有企业如Avicena、Credo推进相关产品开发，部分头部云厂商和芯片公司也在进行技术评估。
在此背景下，芯元基半导体正式启动面向光通信应用的Micro LED专项研发。
作为国内较早布局GaN Micro LED的企业之一，芯元基在材料、器件和集成方面积累了一定基础：
拥有自主研发的4–6英寸DPSS GaN外延平台，位错密度
<~×10⁷ cm⁻²；
已实现
<10μm像素尺寸的蓝光Micro LED阵列，发光波长集中在
420–450nm；
单通道调制速率实测超过
8 Gbps，支持独立寻址；
当前正聚焦电流注入效率提升、像素隔离优化，并探索与CMOS驱动IC的集成方案。
“我们的目标是开发适用于光互连场景的‘通信级’GaN光发射芯片。”
——
芯元基技术负责人
Micro LED光通信仍处于技术验证阶段。全球主要参与者预计在2027年后逐步推进产品落地，相关接口标准尚在制定中。
作者声明： 本文转载自第三方，旨在提供资讯参考，并非证券推荐或投资建议。作者对内容的真实性、准确性不承担保证责任。本文不构成任何投资建议或证券推荐。截至发文日，作者与文中提及的标的不存在持仓关系。