路透社11月6日电：据两名知情人士透露，中国最大闪存芯片制造商长江存储（YMTC）规划中的第四座工厂，计划从国内供应商采购最高70%比例的生产设备。
该目标相较于长江存储三期工厂迈上一个台阶；三期工厂将于今年晚些时候投产，其设备中国产厂商占比仅略高于50%。这份规划，成为衡量中国芯片制造设备国产替代进展的新标尺。
知情人士称，这座位于长江存储总部武汉的规划中新工厂，将生产公司最先进的NAND芯片，垂直堆叠存储单元层数超过300层；相关人士因无权对外发声而选择匿名。
该工厂产品将主要面向数据中心与人工智能领域存储芯片。
知情人士表示，长江存储为这座新工厂设定的国产设备占比底线至少60%，争取目标达到70%。工厂预计明年动工；不过截至目前，长江存储仅与供应商开展初步磋商，尚未下达正式订单。
第四工厂的建设时点以及国产设备目标为首次对外披露。
该规划出台的背景：美国出口管制限制长江存储获取部分美国芯片制造技术；同时也给三星、SK海力士等韩国竞争对手在华扩产、重大技术升级带来阻碍。
长江存储这座新工厂可实现的存储堆叠层数，高于竞争对手在华产线所能达到的水平。此前路透报道，三星正在改造西安工厂，用于生产286层NAND；SK海力士则对大连产线升级，从192层提升至240层以上。
市场研究机构Omdia数据：长江存储NAND芯片在中国市场份额，从2025年的28%提升至今年二季度的38.5%，已经超越三星成为国内第一大NAND厂商。
长江存储、三星、美国商务部均未回应置评请求；SK海力士不予置评。
利好中国设备厂商
知情人士表示，更高的本土化采购目标将惠及北方华创（002371.SZ）、中微公司（688012.SH）等国内设备企业。
新增国产订单大多集中在成熟主力工艺环节，包括晶圆清洗、抛光、刻蚀；国内供应商的设备已经在长江存储产线上完成验证落地。
目前国产厂商已经供应长江存储大部分清洗、抛光设备，并在先进NAND所需高深垂直结构加工设备上取得进展。
但长江存储在部分高端精密设备上依旧依赖海外供应商，例如光刻、高端检测以及其他先进制造工艺设备。
美国管制推动本土化进程
美国商务部2022年12月将长江存储列入实体清单，美国供应商向其出售特定技术需要申请许可。
三星、SK海力士向其中国工厂引入美制芯片设备，每年都需要获得美国授权。美方去年表态，无意批准可让两家韩企在华大幅扩产、重大技术升级的设备许可。
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