韩媒报道长鑫 HBM3 量产良率偏低，并非 DRAM 颗粒存在问题，核心瓶颈在于 TSV 硅通孔工艺。TSV 打孔、铜填充与多层堆叠难度极高，国内和海外巨头存在数年差距，重点关注 TSV 相关产业链环节
继续重点推荐长鑫 HBM TSV 电镀材料供应商【天承股份】（TSV 填孔电镀药水，长鑫先进封装验证 + 小批量供货）、【艾森股份】（TSV 电镀液、先进封装负性光刻胶，批量供给长鑫存储适配 HBM/DRAM 封装），覆盖 TSV 铜填充、RDL 再布线核心材料环节。
TSV足“Through SiliconVia”的缩写，指的足在灯DRAM分层堆叠时，在每一层中垂直穿过铜质导线，以传递电信号的结构。这一工艺需要捋DRAM心片切割成八微米厚，然后在那层薄薄的硅片上钻出数千个微小的孔，并用铜填充这些孔洞。即使是一个孔洞的位置不准确或填充不均匀，也可能导致整层芯片报废，因此这种工艺属于半导休制造中精度要求最高的工艺之一。
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