先说观点，一会再说大背景，市场只看到推荐的晶升设备订单超预期，因此晶升涨停，但实际上，A股SiC主要就是天岳、晶升、晶盛机电、三安和露笑，实际主要看天岳和晶升就行，分别是衬底龙头和设备龙头，其中天岳是全球第一梯队（12英寸衬底全球第1），晶升是全球第二或者三梯队（长晶炉中国第1，全球第3），而且演绎顺序通常是：设备先行→衬底材料涨价→下游器件业绩兑现，此次晶升股份爆发，设备先行得下一步就是衬底涨价了，也就是要演绎到天岳先进这一层了，再往后就是下游器件业绩兑现。市场目前只看到晶升设备订单排到10月，尚未演绎下一步即将发生的衬底涨价，此为低共识高预期差的机会。
先明确表达一下观点，在SiC领域
天岳先进 = 当前全球绝对龙头，全球都应该看天岳先进的表现来反馈才合理。
下面分四部分写一下：
一、宏观背景，SiC迎来发展期
1、全球推动:
近期全球多国出台多项政策促进第三代半导体（SiC和GaN）加速和产业化
。
在韩国将功率半导体提升至核心战略地位、AI电源提前等消息影响。海内外SiC标的普遍大涨。
2、国内政策支持：
政策层面已形成“顶层设计→地方落地”的闭环，明确支持第三代半导体、特别是“支持8寸及以上衬底产业化”的导向，为SiC新一轮扩产与大尺寸化提供中长期确定性支撑。
（下表可看出今年最新的政策是很支持SIC尤其是天岳先进、晶盛机电所在的衬底，直接写到政府工作报告里的）
节点核心内容级别2019.11第三代半导体产品纳入《重点新材料首批次应用示范指导目录》工信部2021.03“十四五”与2035远景：发展碳化硅/氮化镓等宽禁带半导体全国人大纲要2026政府工作报告：支持8寸及以上衬底产业化国务院/政府工作报告3、产业动能切换：
在新能源车/光伏构成的“第一增长曲线”之外，AI数据中心的800V HVDC电源与先进封装散热、中介层探索，正成为“第二增长极”，需求结构从单一车用扩展到算力基础设施与封装材料，行业进入“新能源存量+AI增量”的新周期。
4、功率半导体复苏带动SiC发展
功率半导体正在迎来复苏，量价齐升，产业信息表名功率半导体近期即将再一次涨价，SiC作为上游材料也将显著受益。功率半导体包含SiC器件，SiC是功率半导体技术升级的关键。
二、全球与国内格局：份额洗牌与技术节点突破
全球/国内格局重塑：2024年全球衬底市场中Wolfspeed仍居首，但中国厂商天科合达与天岳先进份额快速提升（17.3%与17.1%）；多源信息显示2025年天岳先进导电型衬底市占率升至27.6%并领跑，国内在8英寸与12英寸技术节点的突破带动份额从“追赶”转向“领跑”。
全球厂商与竞争态势
全球SiC产业链分布：设备（AMAT/拉姆研究/北方华创/晶盛机电等）、衬底（Wolfspeed、Coherent、Rohm、天科合达、天岳先进等）、外延（昭和电工、Cree、瀚天天成、东莞天域等）、器件制造（英飞凌、安森美、意法半导体等）分工明确，海外在器件端持续主导、国内在材料端快速追赶。行业观点：Yole讨论要点显示“CY25需求修复，CY29扩至约570亿美元（注：报告为行业更广泛口径）；200mm（8英寸）仍具短期优势；中国在衬底追赶快、器件仍落后，西方供应仍有角色”。这与“国内份额上升”的事实并存，说明短期技术路径与客户结构仍多元化。市场份额与多源对照
2024年全球衬底份额：Wolfspeed 33.7%、天科合达 17.3%、天岳先进 17.1%、Coherent 13.9%；显示国内双龙头快速追近。2025年多源称天岳先进导电型衬底市占27.6%居首（并在8英寸份额达51.3%），提示国内在大尺寸与良率上的阶段性领先；但统计口径与样本边界可能存在差异，需持续跟踪第三方年度报告与龙头年报核验。技术节点：8英寸量产与12英寸探索
8英寸：国内“2025年为8英寸冲刺年”，多家头部企业加速量产与应用导入，产业链配套成熟度提升，支撑“价稳量增”。12英寸：国内企业（天岳先进、晶盛机电、三安光电）已实现工程样品/研发突破/中试线打通，但良率低、成本高（产业调研口径约2万美元/片），仍处验证与降本攻坚阶段；成熟商业化时间表需审慎评估，短期不宜作为业绩主线。设备与国产化
外延设备技术路线上，热壁水平/温壁行星式/准热壁立式CVD并存，国内厂商（晶盛机电、北方华创、48所、深圳纳设智能、苏州芯三代）实现覆盖，设备与工艺能力成为支撑8英寸良率与成本的关键底座。产业链价值集中上游，设备国产化与工艺know-how是国内材料与外延环节的核心护城河，决定份额与盈利质量持续性。梯队划分不同标准略有差异，但大差不差，参考下就行：
衬底赛道梯队：全球第一梯队：天岳、Wolfspeed、Coherent；
国内第二梯队：天科合达、露笑、三安自产衬底；
全球第一梯队：PVA TePla；
全球第二梯队：日系设备；
全球第三梯队（国产）：晶升、晶盛、北方华创；
你原文把衬底、设备混在一起说梯队，容易混淆两个细分赛道竞争格局。
A股几个主流SiC标的的定位一句话总结就是：
天岳先进：衬底全球第一梯队，导电型 / 8 英寸全球第一，12 英寸唯一批量出货，纯材料壁垒龙头；晶升股份：SiC 长晶炉国内第一，纯设备弹性标的，行业扩产最先受益；晶盛机电：设备 + 衬底一体化，双重收益，长周期产能扩张逻辑；三安光电：全产业链 IDM，直接受益下游整车需求；三、演绎顺序
设备先行→衬底材料涨价→下游器件业绩兑现
产业链价值分配决定龙头分化
SiC 衬底占器件总成本 45%-50%，是整条链最高壁垒环节，因此天岳能走出全球龙头；长晶炉是衬底扩产前置刚需，行业大规模资本开支阶段设备股先涨，这轮晶升涨停就是 “设备先行” 炒作；三安、露笑收益来自下游新能源车、光伏终端需求。
四、后续涨价趋势判断
2026年以来全球功率半导体龙头厂商，尤其是聚焦第三代半导体的碳化硅（SiC），迎来显著涨价。主流品类整体涨幅在10%–25%，其中SiC及车规级产品涨幅最高可达40%。
相关的功率半导体等也已经2轮涨价，第三轮涨价正在发生中，预计下半年功率半导体领域有望出现新一轮补涨，届时预计SiC也会跟随涨价。
供需持续紧平衡
2026年8英寸产能短缺、下游AI服务器与新能源汽车高景气度叠加，行业预计未来6-12个月仍将供不应求。新增产能投放以年底或2027年为主，短期紧张难以有效缓解。AI数据中心、储能及新能源汽车推动SiC需求扩容，存量与增量市场不断扩大。二次及多轮涨价概率高
当前为年中至三季度再次实施调价的窗口期，国内外企业多有计划。士兰微、英飞凌、意法半导体已明确年内二度涨价，其它主流公司亦高度可能跟进，且后续仍存第三波调价的空间。产品结构升级与技术驱动继续支撑高景气
SiC渗透持续提升，向中低端车型与储能等新领域拓展，下游客户成本承受能力较强，有助于企业持续传导端价格。行业逐步进入估值重估窗口，利润率和ROE呈现上涨趋势天岳先进和晶升都是A股SiC领域的核心绝对龙头，不同细分里的绝代双骄！！
最后参考下外盘的市场信息：来看一下隔夜美股的SiC各环节表现，衬底的wolf大涨8%+，盘后还涨了4%，涨幅是最多的，比设备的ASML 5%、AMAT 3%涨幅还大，也比芯片/器件的IFNNY、ON、STM、ROHM涨幅大。
附：SiC用途广泛，和以下行业都有关
新能源（新能源汽车、光伏/储能/风电）；电力基础设施/智能电网/充电桩；AI数据中心/高算力基础设施/先进封装/高性能散热；通信（尤其5G/光通信）；工业控制/自动化/轨道交通；消费电子（快充/无线充/家电等）；航空航天、军工及医疗高端装备。作者声明： 本文转载自第三方，旨在提供资讯参考，并非证券推荐或投资建议。作者对内容的真实性、准确性不承担保证责任。本文不构成任何投资建议或证券推荐。截至发文日，作者与文中提及的标的不存在持仓关系。