一、混合键合的优势
更高的互连密度与更低的功耗，并显著提升互连速度；
突破内存墙，扩展处理器性能，混合键合支持XPU与存储器（如SRAM、DRAM）的直接键合。这种集成方式可以“打破内存墙”，使缓存容量得以增加并降低延迟；
实现光电融合（CPO），混合键合是光电通信（CPO）的关键使能技术，例如台积电的COUPE技术就是利用混合键合将光芯片（PIC）和电芯片（EIC）集成在一起。
二、 市场前景
混合键合是实现先进封装的终极键合技术。逻辑芯片采用D2W（芯片到晶圆）混合键合的趋势非常明确，这有效弥补了HBM领域采用该技术的时间不确定性。
TAM（总可达市场）预测上调：预计到2028年，混合键合设备市场规模将激增至14亿美元。2028年设备出货量预计为367台（24%高于Besi的中性预测，8%低于其乐观预测）。
逻辑应用：预计2028年逻辑芯片混合键合TAM为8.87亿美元，设备出货量237台（此前预测为103台）。
HBM应用：预计2028年HBM混合键合TAM为4.89亿美元，设备出货量130台。
三、 混合键合采用轨迹清晰
逻辑芯片对混合键合的采用是推动市场增长的核心驱动力，主要得益于它能实现更高的互连密度并降低功耗。
XPU到XPU（逻辑与逻辑键合）：如AMD的Instinct GPU、Nvidia未来的Feynman GPU、苹果M5 Pro的融合架构。
XPU+存储（存储与逻辑键合）：打破内存墙。例如AMD的3D V-Cache架构（将逻辑芯片与SRAM键合）、Nvidia Groq LPU，以及中国龙芯将HBM和DRAM集成在芯片上的应用。
CPO（光电通信）：如台积电的COUPE技术，将光芯片（PIC）与电芯片（EIC）键合。
四、产能与设备预测
台积电（TSMC）：预计其SolC封装产能将从2025年底的1万片/月增长到2028年的8万片/月（增长8倍），混合键合设备装机量将从目前的约65台增至440台。每增加1kwpm产能约需5-6台键合机。
英特尔：已有30台设备，预计随着Clearwater Forest和Diamond Rapids处理器在2027年量产，将恢复产能扩张，2028年装机量达约65台。
预计逻辑芯片混合键合设备装机量将在3年内增长4.5倍，2028年达到582台。
五、HBM渗透仍存不确定性（风险）
尽管混合键合在逻辑芯片中已成主流，但在HBM中的采用将更为渐进，因为当前的热压键合（TCB）仍能满足需求。原因包括：JEDEC可能放宽HBM高度标准、HBM4E可能保持12层堆叠、以及三星和SK海力士在散热方面的改进。
三星：可能在2027年的16层HBM4E中开始采用混合键合，但初期可能仅有1层使用。若HBM4E仅为12层，则采用时间将推迟至2028年的HBM5。
SK海力士与美光：预计将在2028年跟进，主要用于HBM5。届时TCB仍为主流，但出货量将开始下降。
HBM的键合精度要求较低，每kwpm产能仅需2-3台设备（不到逻辑芯片的一半）。预计2028年HBM键合市场总规模达18亿美元。
六、海外混合键合设备企业
BE Semiconductor Industries (Besi) ：作为技术领导者，预计2028年在混合键合市场份额达76%（逻辑80%，HBM 70%）。
DISCO Corporation：2027年前主要受HBM和CoWoS驱动；2027年后，NAND CBA键合、BSPDN的采用、D2W混合键合的普及，以及SiC功率半导体的投资复苏将成为新动力。
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