一、 核心宏观判断：本轮上行周期强度前所未有
行业格局重塑：本月初存储行业经历了巨大整合，全球大型存储原厂仅剩三家（三星、SK海力士、美光），叠加国内新玩家加入，这是促使本次上行周期成为本世纪最强的核心原因之一。
供需严重失衡：需求端增长强劲，而供应端受制于制程迁移和厂商扩产谨慎，整体呈现供不应求。
低库存加剧紧张：大厂DRAM库存不足4-6周，NAND库存约6周，处于历史低位。周期跨度：价格的坚挺和供不应求的状态至少可持续至2027年（27Q1）。
二、 HBM（高带宽存储器）：需求能见度高，技术壁垒深厚
需求端：
核心驱动力是AI加速器（GPU/ASIC）的爆发。CSP资本开支大幅上调（2026年约6300亿美元），台积电资本开支向高端倾斜。
预计加速器出货量将从2025年的不到1000万片增至2027年的2370万片。HBM位元需求测算：2025-2027年分别为2.2、4.2、5.9 Exabytes（EB），同比增长91%和41%，能见度极高。
供给端：技术门槛高，仅三四家可做。预计2025-2027年HBM供给为2.7、4.2、5.6 EB，存在一定可控缺口。
技术迭代：从HBM3e向HBM4演进，堆叠层数从8层升至12/16层，单Stack容量迈向64GB；通信协议升级（引脚增加、CXL技术）；Base Die向Logic Die（逻辑层）转变（HBM4起，对具备逻辑代工能力的三星有利，海力士/美光需与台积电合作）；先进封装从TC-NCF向Hybrid Bonding演进以降低厚度、增加堆叠层数。
竞争格局：SK海力士在HBM3e时代凭借良率和性能占据绝对领先和垄断地位；三星曾因散热问题落后，但在HBM4阶段已通过英伟达验证，技术差距缩小；美光进度相对较慢，已跳过HBM3，声称已开始向英伟达供货HBM4。
价格：早期HBM毛利极高，后随DRAM/NAND涨价，HBM毛利反而不如传统产品。长期协议下，预计2026-2027年HBM价格稳定在约1.7美元左右，不会超过2美元。
三、 传统DRAM：AI结构性增长 + 传统服务器换机周期共振
需求端：数据中心（核心驱动）：两大因素推动，一是AI数据中心的新架构使得单GPU DRAM容量结构性上涨；二是传统数据中心进入5年更新换代临界点（DDR4向DDR5迁移），与CPU出货周期共振。除HBM外的服务器DRAM需求将从2025年的10.6 EB增至2027年的15.7 EB。
移动与PC：智能手机和PC出货量预期温和，因价格上涨对销量持谨慎态度。
总体需求：2025-2027年总需求为38.3、44.2、52.2 EB。服务器占比将从30%提升至42%，手机占比下降。供给端：
大厂有扩产意愿（不同于NAND），2025-2027年12英寸晶圆产能预计为1787、2272、2542万片。
但更关键的是制程迁移（从1a/1b向1b/1c升级，每次升级可增加约20%比特产出），海力士在1b节点后竞争力显著提升。预计2027年总供给为44.2、45.2 EB（此处纪要数据可能有口误，逻辑上供给仍小于需求）。技术路线：DDR5为主流，DDR6预计2027年推出；LPDDR6今年下半年首发手机，后向PC/服务器渗透（应对电力瓶颈）。制程节点处于10-20nm区间（1a/1b/1c等），海力士在EUV多次曝光上占据优势。远期（2028年后）可能向3D DRAM演进。
价格趋势：打破长期成本下降带来的线性降价趋势，受AI需求和换机周期拉动，价格自2023年起大幅上行，2026年一季度海力士DRAM环比增长高达65%。
四、 NAND Flash：架构革命催生海量新增需求
需求端：
AI架构变革（最大增量）：英伟达推出新型存储架构（G3.5层），专门用于存储大模型的KV Cache。每个AI服务器集群将额外产生数个PB的NAND需求，折算到单个GPU，NAND搭载量将提升73%-80%。
需求结构变化：AI服务器NAND需求将从2024年不足非AI服务器的一半，暴增至2027年的两倍以上（242 vs 500 EB）。总需求预计2025-2027年为1129、1356、1635 EB。供给端：
海外大厂（如海力士/闪迪）以利润为导向，对扩产极其谨慎（因2023年产能过剩亏损惨重），晶圆投入数持平甚至下降；国内长江存储有较强扩产意愿。供给增长主要靠3D堆叠层数增加（从200+层向321层、400层演进）及外围电路置于阵列下（4D NAND）等技术提高单位产出。总供给增速约19.5%，仍低于需求增速。
技术路线：核心方向为增加3D堆叠层数、CTF电荷俘获技术升级、TLC向QLC（甚至5bit/cell）演进。目前单晶圆比特产出较早期提升超16倍。
价格趋势：同样打破长期降价通道，现货与合约价格受AI需求催化大幅上涨，2026年一季度海力士NAND ASP同比增长75%。
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