随着AI硬件的迭代，英伟达、AMD新一代AI服务器GPU单芯片功耗逼近1000W，HBM不断往更高堆叠，HBM4堆叠了12-16层，HBM5将迈向20层堆叠、超高带宽迭代。堆叠层数越高，HBM中积聚的热量就越多，过热会触发芯片降频、算力缩水、整机稳定性下降。据亚洲商业日报等韩媒报道，英伟达和AMD等客户已要求HBM供应商加强散热管理和低功耗设计。
可以预见，当散热成为HBM产品“出厂配置”的一部分，HBM产品价格将随着价值量的提高而提高，相应地，高导热铜材、特种硅散热材料、先进封装混合键合、WLP晶圆级封装等上游材料和封装端的订单有望持续放量。对于下游IDC厂商而言，HBM芯片级集成散热普及后，AI服务器从整机外置液冷慢慢向芯片原生散热+冷板辅助过渡，将进一步降低数据中心整体液冷成本。有业内人士表示：“随着存储器制造商采用更先进的散热解决方案，整个开发流程更紧密的整合将变得越来越重要。代工厂和存储器制造商之间的合作效率很可能成为关键的竞争因素。”（财联社）
1. 特种硅散热材料→核心对应：联瑞新材Low-α球形硅微粉+球形氧化铝
文章特种硅散热材料=HBM封装GMC/EMC塑封填料，正是联瑞拳头产品：
球形硅微粉（M9/M10 Low-α）：封装骨架基材、基础散热、抑制α射线软错误，HBM多层堆叠必备，国内唯一量产、已批量供货三星/海力士/美光；
Low-α球形氧化铝：高导热补强填料，HBM5堆叠越高添加比例越高、产品单价大幅抬升，同属联瑞HBM散热产品线，是三大厂内置散热升级刚需原料。
逻辑：HBM从外置整机液冷→芯片原生内嵌散热，封装胶从普通规格升级高导热配方，硅微粉+球铝用量、单价同步上行。
2. 高导热铜材
三星HPB、海力士iHBM均内嵌高纯铜导热结构，高纯无氧铜、超薄精密铜带需求放量；博威合金、金田股份为核心铜材标的。
3. 先进封装（混合键合+WLP晶圆级封装）
封测：长电科技、通富微电、太极实业，适配三家不同内嵌散热封装工艺，承接HBM4/HBM5封测增量；
封装材料：华海诚科、飞凯材料（高导热EMC/LMC环氧塑封料），散热升级倒逼封装胶改性提导热、价值量抬升。
4. 下游IDC数据中心
行业变革：AI服务器散热从整机外置昂贵液冷→HBM芯片原生散热+冷板辅助，IDC整机液冷投入成本下降，加速AI服务器大规模落地，反向拉动HBM采购需求。
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