深圳远见智存科技有限公司今日正式发布自主研发的HBM3/3e高带宽存储芯片，推出24GB和12GB两款产品，带宽达819GB/s，符合JEDEC国际标准。这是国内企业在HBM领域取得的重要进展，此前SK海力士、三星、镁光三家海外巨头占据全球逾95%的市场份额。随着AI大模型向超大规模参数和多模态方向演进，算力芯片与内存带宽之间的矛盾日益突出，业界称之为“内存墙”。HBM通过多层DRAM裸片堆叠与TSV硅通孔技术，实现远超传统DDR的带宽与容量密度。据YOLE预测，2026年全球HBM市场规模将突破460亿美元，2030年有望接近1000亿美元，年复合增长率约33%。两大差异化技术优势
产品配备1024bit数据总线位宽，较DDR5的64bit实现量级跃升。在对齐JEDEC国际标准之外，远见智存发布的HBM还具备两大差异化优势：其一，通过优化核心电路电压域设计，整体功耗降低20%； 其二，采用TSV冗余性布局和可修复性设计，芯片制造良率提升约8%，相当于同等产能下节省近十分之一的晶圆成本。十年磨一剑：全球首批HBM工程师团队
远见智存是一家国际化的Fabless（无晶圆厂）芯片设计公司，创始团队早在2016年即涉足前一代HBM研发，是全球最早一批从事HBM开发的工程师。团队在全国设有多个研发中心，国内及国际专家团队来自Micron及Elpida等存储巨头。HBM设计融合逻辑芯片与存储芯片的系统工程，远见智存正是凭借这批拥有一线实战经验的国际化团队，完成了DRAM Die到Base Die的全部自主设计。公司明确表示，无论是逻辑芯片还是存储芯片部分，全部知识产权归属远见智存。HBM产品采用“芯片设计+晶圆代工+封装测试”的Fabless模式，整套供应链均由我国供应商配套完成。公司指出，近年来我国HBM相关产业链技术实力显著提升，此前市场普遍认为的多项瓶颈正在逐步突破。作者声明： 本文转载自第三方，旨在提供资讯参考，并非证券推荐或投资建议。作者对内容的真实性、准确性不承担保证责任。本文不构成任何投资建议或证券推荐。截至发文日，作者与文中提及的标的不存在持仓关系。