《2026碳化硅（SiC）衬底与外延产业调研白皮书》正在进行调研工作，即将发布。
美国佛罗里达大学的最新研究表明，在技术方面，将碳化硅中介层用作主动热层，在层内添加微流体通道来实现局部冷却，未来12英寸碳化硅成本达到较为合理的位置，它在2.5D先进封装的应用是可以帮助芯片厂商解决散热的大麻烦。
台积电已经向部分企业提出较为明确的12英寸中介层SiC衬底需求，今年将开启交付，而且明年的需求预期量将翻倍增长。
露笑科技002617：国内少数已实现 6 英寸碳化硅（SiC）衬底量产，并积极布局 8 英寸、12 英寸大尺寸碳化硅（SiC）衬底的核心企业。露笑科技一期规划30-50 万片/年6英寸碳化硅（SiC）产能，已投产并爬坡，12英寸碳化硅最近已取得关键性进展，导电与半绝缘双赛道齐头并进。
特别声明:文章内容根据公开信息整理，不作为买卖参考，如有不妥请联系删改。
作者声明： 本文转载自第三方，旨在提供资讯参考，并非证券推荐或投资建议。作者对内容的真实性、准确性不承担保证责任。本文不构成任何投资建议或证券推荐。截至发文日，作者与文中提及的标的不存在持仓关系。