8月28日消息，中国DRAM制造企业长鑫存储已在其DRAM晶体管中导入高K金属栅极(HKMG)技术。该技术以氧化给等高介电常数材料替代传统硅基绝缘层，以定制化金属栅极堆叠取代传统多晶硅栅极，可缓解制程微缩带来的漏电难题消除多晶硅耗尽效应，改善功耗、提升开关速度，为向更先进的1a级DRAM节点演进奠定基础。目前该技术正应用于G4代DRAM制程及LPDDRSX产品，长鑫存储同步推进G5制程开发、HBM系列产品布局、DDR6内存芯片研发验证，产能持续扩张，当前月产能约20万片晶圆，目标年底前提升至30万片/月，后续规划新建工厂扩产，相关预测显示其2030年前后产量有望超越美光。
铪极度稀缺（锆铪比50:1）且无法单独扩产，下游3nm/2nm扩产正导致全球高纯铪出现结构性紧缺，价格具备极高向上暴涨弹性。公司高纯铪产品有望迎来供不应求的红利期，业绩弹性巨大，~
龙佰集团公司下属子公司朝阳东锆新材料有限公司生产氧化铪，产能约为20吨/年
三祥新材：借东风于英伟达Vera芯片，高纯铪迎来爆发性业绩弹性
最新消息，英伟达CEO黄仁勋宣布新款Vera CPU将采用SK海力士DRAM，并密集会晤三星、LG等巨头。全球AI算力硬件及先进内存的下游需求正式进入爆发期。
在AI芯片向5nm及以下先进制程迭代的背景下，高纯度铪作为High-K介电材料及存算一体器件的核心原料，已成为产业链的稀缺刚需。三祥新材作为国内锆铪新材料领军者，成功攻克锆铪分离核心技术，正加速推进氧化铪量产，打破海外垄断，精准切入半导体前驱体赛道。
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