一、公司核心概况
- 成立时间：2023年9月，总部位于广东深圳，是国产HBM（高带宽内存）赛道的新锐领军企业。
- 核心定位：全球首批、国内首家实现HBM3/3e标准芯片商业化发布的企业，打破了海外巨头在该领域的垄断格局。
- 实控背景：核心团队由全球首批HBM工程师组成，技术底蕴深厚；A股上市公司中天精装（002989）通过投资平台间接持有其6.71%股权，为其重要的产业资本股东之一。2026年国产HBM完整梯队排名（芯片自研+封测全维度，投资级）
我按「自研HBM芯片」和「封测/配套」两大赛道拆分，只看技术落地进度、商业化能力、行业壁垒，不玩虚的。
一、核心赛道：自研HBM芯片（真正卡脖子环节）
🔴 第一梯队：HBM3/3e 正式发布/量产，对标国际标准
1. 远见智存（深圳）
- 核心地位：国内首家正式发布商用级HBM3/3e的企业，国产自研HBM天花板
- 产品参数：12GB/24GB两款，带宽819GB/s，符合JEDEC国际标准，1024bit位宽
- 技术亮点：功耗降低20%，良率提升8%，已完成设计验证，进入送样阶段
- 产品路线：2027年推HBM+HBF融合架构，2028年HBM4/4e（2.5TB/s），2029年HBM5
- A股关联：中天精装（002989）间接持股6.71%，唯一直接参股标的
2. 长鑫存储（CXMT）
- 核心地位：国内唯一量产DRAM原厂，技术底蕴最厚，HBM3已送样
- 产品进度：16nm制程HBM3样品交付华为等客户，2026年中小规模量产，2027年HBM3E开发
- 技术亮点：12层堆叠技术突破，避开EUV工艺，用成熟工艺降本
- 差距：商业化进度落后远见智存1个节点，暂未正式发布HBM3e
🟡 第二梯队：HBM2e成熟，HBM3在研/送样
代表企业：
- 长江存储：聚焦3D NAND，HBM相关技术布局中，暂未发布产品
- 其他DRAM厂商：如紫光国微旗下DRAM业务，HBM技术处于实验室阶段，未商业化
- 特点：有存储芯片研发基础，但HBM核心技术（TSV堆叠、3D集成）未完全突破，进度落后第一梯队1-2年
🟢 第三梯队：仅做HBM相关设计/IP，不做完整芯片
代表企业：
- 澜起科技：HBM接口/控制器芯片龙头，HBM3控制器认证通过，CXL技术领先
- 聚辰股份：HBM时序控制芯片，进入头部封测厂供应链
- 特点：卡位HBM接口核心环节，不做完整DRAM芯片，属于配套环节，壁垒低于自研芯片
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