CXMT产量低于韩国存储巨头的根本原因在于：硅通孔TSV
据外媒报导，中国最大的DRAM制造商CXMT已开始试生产第四代高带宽内存(HBM3)，但其初始良率提升甚微。与SK海力士相比，差距显而易见。SK海力士自2022年起便开始量产该产品，良率已超过90%。业内人士指出，造成这一差距的根本原因在于硅通孔(TSV)技术的成熟度存在差异。TSV是堆叠和连接多层DRAM的关键工艺。
同兴达：控股子公司日月同芯与日月光旗下昆山日月新合作布局先进封测，预研储备TSV硅通孔、混合键合、RDL等2.5D/3D 封装技术，为后续拓展AI芯片封测预留技术空间。
大港股份：孙公司苏州科阳掌握了晶圆级芯片封装的TSV先进封装核心技术，包含了覆盖锡凸块、铜凸块、垂直通孔技术、倒装焊等技术。
灿芯股份：公司基于自研设计系统完成2.5D/3D设计流程建立， 支持Bump/TSV阵列规划、 多芯片通信吞吐与延迟分析及热管理方案， 适配Chiplet架构对高带宽、 低延迟的异构集成需求。
晶方科技：公司专注于集成电路先进封装技术，尤其在晶圆级TSV先进封装技术领域具备显著领先优势，相关技术在3D堆叠、异质集成等领域具有应用前景。
华天科技：公司主营业务为集成电路封装测试，拥有FC、TSV、Bumping、Fan-Out、PLP、2.5D/3D等先进封装技术。
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