据两位了解此事的人士透露，台积电正在考虑进军先进存储芯片制造领域。此举将使这家全球最大芯片制造商在人工智能硬件供应链中占据更大份额。
这两位人士称，应其最大客户英伟达的要求，这家芯片制造巨头近期开始拟定计划，准备生产一种特定类型的先进存储芯片——3D DRAM。人工智能硬件热潮引发存储芯片严重短缺，导致价格飙升，并促使英伟达和苹果等芯片设计公司寻求更多供货来源。今年早些时候，苹果以存储芯片成本上涨为由，提高了旗下设备的价格。
→ 台积电权衡先进存储芯片生产计划。
→ 公司考虑应英伟达要求制造 3D DRAM。
→ 此次扩张旨在扩大其在 AI 硬件供应链中的份额。
3D DRAM，即动态随机存取存储器，会在处理器使用数据时保存这些数据。与将存储单元置于单层的传统 DRAM 不同，3D DRAM 将存储单元垂直堆叠，以容纳更多存储空间。目前，存储芯片制造由三星电子、SK 海力士和美光科技主导。这三家公司也在开发 3D DRAM 技术，为下一代存储器制造领域的竞争拉开序幕。
目前尚不清楚台积电计划何时开始生产，也不清楚该公司打算如何获得所需的生产设施。上述两人补充说，台积电可能会选择新建工厂。
另一位知情人士称，台积电正在考虑的另一条途径是收购一座现有工厂，并将其改造成内存芯片生产设施。美光也在采取类似做法：今年 3 月，美光以 18 亿美元收购了台湾力积电的一座工厂，并计划将其改造为先进内存芯片生产基地。
台积电对厂房的选择和生产规模，将决定其成为成熟内存供应商竞争标准的速度。台积曾在 20 世纪 90 年代至 2008 年披露内存业务收入。
台积电在一份声明中表示：“对于市场传闻或猜测，我们不予置评。台积电始终专注于核心业务，即专注于【集成电路】代工。我们的使命是，未来多年持续成为全球逻辑【集成电路】行业值得信赖的技术和产能提供者。”英伟达未回复置评请求。
进军存储芯片制造领域，将使台积电暴露于全球半导体行业中周期性波动尤为显著的领域。过去，存储芯片短缺通常会促使厂商争相扩大产能，但往往等到新增供应能够交付时，需求已经回落。这会压低价格和芯片制造商的利润率。这种繁荣与萧条交替的周期性模式，可能会促使台积电暂缓存储芯片业务，尤其是如果未来几个季度供应增加或需求减弱的话。
据这两位人士透露，台积电的存储计划由负责先进封装技术的副总裁许国进领导。根据台积电的公司简介，许国进此前曾负责美光在台湾的业务，因此兼具存储器制造和芯片集成方面的经验。
台积电拓展内存业务还面临另一重复杂因素：2024 年，台积电与 SK 海力士达成合作，将台积电的制造技术用于 SK 海力士下一代高带宽内存的基芯片。HBM 通过堆叠多个内存芯片，为 AI 处理器快速供数；基芯片则负责管理连接。
台积电多年来一直在探索内存技术。该公司拥有多项垂直 DRAM 设计专利，介绍了如何通过向上构建存储结构，在每颗芯片中容纳更多内存。
但要将研究成果转化为可靠的大规模生产，可能需要数年时间，尤其是 3D DRAM。增加层数会提高制造复杂度，也会增加出现缺陷的可能性。三星、SK 海力士和美光已花费数十年时间，不断改进以低成本、稳定地生产内存的方法。
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