CXMT产量低于韩国存储巨头的根本原因在于：硅通孔TSV
据外媒报导，中国最大的DRAM制造商CXMT已开始试生产第四代高带宽内存(HBM3)，但其初始良率提升甚微。与SK海力士相比，差距显而易见。SK海力士自2022年起便开始量产该产品，良率已超过90%。业内人士指出，造成这一差距的根本原因在于硅通孔(TSV)技术的成熟度存在差异。TSV是堆叠和连接多层DRAM的关键工艺。
同兴达002845：控股子公司日月同芯与日月光旗下昆山日月新合作布局先进封测，预研储备TSV硅通孔、混合键合、RDL等2.5D/3D 封装技术，为后续拓展AI芯片封测预留技术空间。
公司在互动平台明确表示，公司已掌握并沉淀了金/铜镍金凸块Bump、FC等先进封装的关键技术，并持续研发储备化学镀、硅通孔（TSV）、重布线（RDL）和混合键合（Hybrid Bonding，HB）等关键技术，为后续开展先进封装业务做好准备。
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