缺货涨价大周期即将传导到VPD(从铜箔到PCB到MLCC到DrMOS到VPD)以及相关梳理

2026-07-08 17:38:067




​AI服务器及高性能计算领域的传导顺序通常是:材料(电子布/铜箔/CCL)→功能化电源PCB(HDI/埋嵌)→电感/MLCC→DrMOS/功率级→VPD模组ASP与交期全面抬升;时间窗从2026年下半年开启,贯穿2027年。​





目前已经传导到DrMOS​,预计很快将传导到VPD,

一、先说为啥是这个传导路径

本质反映了VPD带来的新架构下,随着AI芯片功耗激增和供电升级,供需矛盾将按“材料基础—关键载体—功能/被动器件—核心有源器件—系统模组”顺序依次爆发、沿产业链层层传导,“涨价+缺货”自上游率先体现,逐级影响至下游总成。

1. 起点:上游材料(电子布/铜箔/CCL)​​属性与地位​​:电子布、铜箔、CCL(覆铜板)等是功能化/高阶PCB制造的根本型原材料,决定高多层/高密度/重铜/嵌入式板的良率和产能。​​驱动明细​​:因AI服务器需求爆发,PCB用高端玻纤布、HVLP铜箔等出现​​供给紧张和多轮提价​​,部分材料缺口将延续至2027年。​​传导特征​​:上游材料紧张直接导致制造成本上升及下游PCB供货周期拉长,是全链价格上行的“起点”。2. 中游载体:功能化电源PCB(HDI/埋嵌)​​属性与地位​​:VPD/AI电源“从基板到功能化/内嵌器件载体”发展,要求更多层、重铜、埋容埋感等高阶HDI/嵌入式PCB——其核心瓶颈即在上述材料环节。​​传导机制​​:原材料成本直接传递至PCB单价,且高端产能扩张周期长,订单需提前锁定,PCB缺货/涨价效应优先显现(形成“保供不保价”常态)。​​应用特性​​:HDI/埋嵌PCB作为模组/平台承载体,是VPD难以被替代的根基环节,缺货价高效应传递顺畅。3. 功能被动件:电感/MLCC(多层陶瓷电容)​​属性与地位​​:VPD要求低高度(≤2-5mm)、高通量TLVR电感直接嵌入板内,MLCC大容量/高频/高可靠性同步升级。​​量价逻辑​​:AI平台VPD爆发单卡电感用量翻倍,MLCC高端用量/单价持续提升。产能扩张滞后,已现多轮涨价与排产到2028年现象,涨价传导至被动件。​​行业共识​​:被动器件为响应供电架构革新而集体上行,是上游材料/PCB紧张的顺延环节。4. 有源器件:DrMOS/功率级​​属性与地位​​:DrMOS、功率IC是VPD模组关键的有源环节,决定大电流/高效率供电能力,供给侧受控制晶圆产能/高端驱动芯片约束(周期长,弹性弱)。​​传导机制​​:有源环节体量有限,遇材料/被动件涨价后,BOM成本“刚性”上升,叠加自身产能扩张难、需求持续高位,涨价缺货延续。5. 终端总成:VPD模组ASP及交付

​属性与地位​​:VPD模组作为“顶层总成”,集成上述各环节物料与工艺,BOM结构高度耦合、对交期/价格极为敏感。​​最终体现​​:VPD模组ASP(单价)因上游综合成本大幅提升,自上而下传导至模组整体价格、排产窗口。尤其AI头部客户优先锁定产能,边际客户(国产品牌等)面临供不应求与溢价,涨价/缺货同步凸显。

传导顺序本质

总结为:​​“基础原材料—功能化载体—关键功能器件—有源供应—系统模组”这样的传导链,遵循了AI电源系统从底层(材料与结构)到底端(系统交付)的物理和经济逻辑——谁离供需矛盾和产能约束最近,谁率先涨价/缺货,最终由下游系统级产品吸收所有成本抬升和产能紧张。”​
这一顺序也可理解为:“物理依赖链+高端产能扩展瓶颈+AI新需求全面溢出”共同叠加的产业链涨价/紧张传导规律。

行业总结

​材料/电子布/CCL等本质属于所有高技术PCB的“瓶颈基础”,率先进入短缺和涨价。​功能化电源PCB(HDI/埋嵌)——VPD的“物理载体”,直接承接材料涨价,技术共振产能爬坡慢,率先供不应求。​被动件电感/MLCC因AI需求爆发/规格升级,供需紧张后延时体现涨价与交期压力。​有源环节DrMOS/功率级受限于扩产和验证周期,供需因上游约束再添一“共振”,涨价周期延长。​最终VPD模组面对全链BOM与材料系统的价格压力,ASP与交期同步抬升,AI平台升级刚性需求又进一步放大缺货风险。


​这是一条“垂直供电”VPD产业升级下,产业链供需压力自材料到模组的层层传导路径,是当前AI服务器新架构周期中的核心产业联动逻辑。顺序合理且高度现实,完全由物理产业链和产能技术结构决定。​


二、预计VPD(垂直供电)多会出现缺货涨价





经过前期各环节的涨价,当前缺货涨价已传导到DrMOS(参考资料:DrMOS缺货涨价梳理(以及潜在预期差,绑定ADI长协价享受制造红利)
),预计2026年下半年很快将传导到VPD。





VPD(垂直供电)相关环节的“缺货+涨价”窗口高概率自2026年下半年开启,并在2027年贯穿全年,核心受制于高端PCB/CCL/铜箔/电子布与功率器件、TLVR电感等关键要素的供给瓶颈;模块与功能化电源PCB价格、交期最先体现,随后传导至电感、MLCC与DrMOS/功率级​
​。

芯片供电架构从水平供电(左)向垂直供电(右)迭代


1. 现状梳理:VPD进入实质落地期,需求确定性抬升

​采用端进度​​:谷歌TPU已走在前列(APEC公开三代VPM量产与演进),模块位于ASIC背面,24相支持1000A,后续多轨集成与液冷演进;输入链路在54V下探索“54→13.5V/6.75V→Core”与“54V直降Core”,同时为±400V/800V/1500V高压链路预研PDB+VPD+IVR协同方案。​​客户与路线​​:谷歌、AWS、AMD、特斯拉等已使用VPD;英伟达被多方判断将于Rubin Ultra/“费曼”代切入VPD/模块(但亦有机构提示Rubin短期可能不全面采用,属于节奏差异而非方向分歧)。​​门槛与使能件​​:VPD模块Z向高度常≤2mm,倒逼电感/电容内嵌与HDI/重铜/微孔填铜等工艺;TLVR电感用于提升瞬态、降低电容用量;英飞凌、MPS、Vicor、Empower等在VPD/IVR方向布局。2. 缺货+涨价的节奏判断​​总时间窗​​:高阶PCB/CCL/上游材料的供需紧平衡与产能扩张周期(18–24个月)叠加CSP/ASIC平台上量,​​使“26H2→27年”的紧缺与涨价具高概率持续​​;各子环节呈“材料先行→PCB/功能化电源板→电感/MLCC→VPD模组/功率级”的传导顺序。

VPD“缺货+涨价”的核心并非单一厂商行为,而是26H2–27年期间由上游材料、制造产能与器件供给共同作用的系统性结果:先材料、再载体(电源PCB/埋嵌)、继而电感/MLCC与功率器件,最终抬升VPD模组ASP与交期​​。

三、VPD相关梳理

VPD(垂直供电)是AI算力突破1000A电流极限的必经路线,也是当前至2027年高阶GPU供电的最优解,但其终极形态将向片内集成(IVR)演进。这一技术转换不仅解决了算力扩张的物理死结,更将直接带动单卡电源价值量实现3倍以上的提升。

VPD(垂直供电)成为AI芯片三次电源“重构价值链”的主线,产业价值沿两条主攻方向迁移:一是贴近芯片的VPD电源模组/IVR,二是承载其低寄生、大电流的功能化PCB(HDI/内埋器件/电源载板)​​。

VPD(垂直供电)是解决高阶AI算力千安培电流损耗的唯一现实路径,其全面铺开将直接带动单卡电源价值量实现3至4倍的跃升。当前全球VPD市场呈现高度集中的寡头格局,底层专利和核心芯片被Vicor、英飞凌等海外巨头牢牢把控;国内厂商直接突围难度极大,但以新雷能为代表的企业正通过与海外芯片巨头深度绑定实现“借船出海”,迎来从0到1的业绩高弹性期。

​核心标的四类值得系统跟踪​​:

模组/系统集成(台达、伟创力、Vicor、MPS、ADI/Empower、新雷能);功能化PCB与埋嵌(中富电路世运电路威尔高);关键无源(TLVR/VPD电感:铂科新材、顺络、龙磁等);控制/功率器件(英飞凌、MPS、TI、ADI、瑞萨)。VRM垂直供电与水平供电对比图。1. 技术脉络与价值迁移:VPD为何重构三次电源​​VPD定义与收益​​:将VRM从芯片周边移至主板背面、处理器正下方,经垂直通孔向上直达焊盘,​​供电路径最短化→PDN阻抗与I²R损耗显著下降​​,同时释放正面空间用于HBM/高速互连,支撑更高电流与更快瞬态响应;VPD模块典型​​Z向高度约≤2mm​​,直接倒逼内嵌/薄化的电感电容与HDI/重铜等PCB工艺升级。​​量化进展(板-载板-衬底演进)​​:背面VPD(BVM)→主板嵌入式BVM(ME‑BVM)→​​衬底嵌入式BVM(SE‑BVM)​​,集总PDN由约​​10–15μΩ→8–13μΩ→7–10μΩ​​,每一步都伴随散热与结构集成新挑战,显示供电“靠近芯片”的长期方向性。​​产业链位势​​:VPD驱动PCB由“基板”走向​​功能化载板/内埋器件​​,三次电源板对​​高多层、重铜、微孔填铜、窄线宽/间距、埋容/埋感​​的能力提出跃迁需求,价值量显著抬升。

未来板载电源解决方案的发展趋势

2. 核心标的地图(按价值链分组)​​总览要点​​:​​模块/系统​​:CSP/ASIC平台模块化推进快,NV当前偏分立方案,​​当功率逼近~3kW模块化概率显著上升​​;Vicor在VPD路线专利与第四→第五代产品推进上具先发与选择性供货策略;台达、伟创力在AWS/Google项目中承担重要角色;​​ADI拟收购Empower切入IVR/VPD​​;国内新雷能布局一/二/三次电源并与ADI协同,谋求VPD突破。​​PCB/载体​​:VPD电源板/预埋PCB是价值迁移“抓手”,​中富电路世运电路​在内埋器件/芯片埋入PCB技术上积极卡位;​威尔高​在NV一次电源PCB卡位,同时评估三次板机会。​​无源/电感​​:TLVR/VPD电感朝​​超薄(≤2mm)、高通量、耦合/多相​​演化,​铂科新材、顺络​​在芯片电感与VPD/TLVR赛道被多次提及;行业反馈显示​​电感供需趋紧​​。​​控制/功率器件​​:​​英飞凌​​推出2A/mm²四相VPD功率模块;​​MPS​​推进Z轴/高密度多相;​​TI、ADI、瑞萨​​均在多相控制/PMIC/IVR等方向布局,构成模组核心硅基底层。2.1 模块/系统集成类(代表公司与要点)​​台达(Delta)​​:Google侧电源模块与PSU主力,​​800V/HVDC及AI电源生态​​深度参与;在VPD项目中作为模块一方承接,配套PCB供应链扩展(含中富等)。​​伟创力(Flex)​​:​​AWS/Google VPD模块供应商​​之一,亦与MPS等协同;其VPD项目PCB合格供方包括中富与深南电路等。​​Vicor​​:VPD先行者,​​FPA/PRM+VTM(电流倍增)​​体系支撑高电流,市场披露指​​已支持>2500–3000A​​;公司强调​​第四代放量→第五代切换​​与​​IP许可/专利变现​​,对客户采取选择性供货策略,新增产能预计在第二座晶圆厂(~2028)之后释放。​​MPS​​:推进​​Z轴供电架构​​与高功率密度VRM,NV与CSP平台均有覆盖;在NV生态中与PCB供应商(如中富/深南)协同推进。​​ADI/Empower​​:市场消息称ADI​​拟以约15亿美元收购Empower​​,后者在​​IVR/VPD​​上具核心IP;行业解读其为​​加速贴近芯片的电源集成​​战略落子。​新雷能​:一/二/三次电源全栈布局,​​48V→12V二次模块批量,800V→50V送样在途​​;三次电源同时覆盖​​PowerBlock与VPD​​,与​​ADI深度协作​​切入海外客户,海外产能(马来西亚)规划服务外单。2.2 PCB/载体类(功能化/内埋)​中富电路(300814)​​:把​​VPD电源PCB与内埋器件​​列为重点方向,配置适配​​内埋工艺/窄线宽间距​​专用设备;卖方/公众号多次提及其为​​Google/AWS/AMD​​ VPD三次电源PCB合格供方,并称部分客户批量交付与二季度开始交付(需以后续订单落地验证);公司年报与深度报告披露​​内埋电感/高导热/高阶HDI​​已形成产品储备与小批量收入,海外(泰国)产能爬坡服务数据中心客户。​世运电路​:推进​​芯片内嵌式PCB封装​​,用于系统集成与散热/信号优化;卖方称其​​英伟达LPU算力卡埋嵌​​项目打样、良率领先,明年中或量产(需跟踪量产与份额兑现)。​威尔高​:NV​​一次电源PCB核心供货​​(PSU侧),并在台达处对​​三次电源板​​做小批量评估,若成行将实现从一次向三次延伸(需跟踪认证进度)。2.3 无源/电感(TLVR/VPD)​铂科新材​:卖方观点强调​​纳米晶材料​​在2–5MHz高频下铁损优势,匹配​​VPD+TLVR​​高频、超薄、小型化需求;看好作为​​高端电感​​材料/产品受益(需跟踪大客户导入节奏)。​顺络电子​:产业反馈称​​VPD电感≤2mm厚度​​、几十瓦功率难度高;有观点称顺络在某VPD新品类​​为Empower独家供货​​(属市场纪要表述,需以客户侧佐证为准)。​龙磁科技等​​:行业交流显示​​TLVR电感​​涨价与产能紧缺,带动国产电感​​导入机会​​提升(需跟踪实际中标与放量)。2.4 控制/功率器件(多相控制、DrMOS、PMIC、IVR)​​英飞凌​​:推出​​OptiMOS TDM2454xx四相VPD功率模块​​,电流密度达​​2A/mm²​​;其VPD布局为​​多相与模块化​​并进,在AI机架上限提升中受益。​​MPS/TI/ADI/瑞萨​​:在​​多相控制器/PMIC/IVR​​方向全栈布局,被英伟达生态伙伴/行业追踪多次点名;器件技术推动供电架构自下而上演进。3. 客户侧采用差异与路径观察​​英伟达​​:Blackwell/Bianca已在板上采用VPD(VRM位于GPU正下方背面),并推进​​48V直降约0.7V​​减少级数;同时交流/纪要显示​​当前NV以分立式DrMOS+电感为主​​,预计当单GPU功率​​逼近~3000W​​时,更大概率转向模块化(Feynman代被多份卖方/纪要作为潜在切换窗口)。​​Google/AMD/AWS/特斯拉等​​:多方信息显示​​模块化VPD​​采用更快,由台达、伟创力、Vicor等承接;​​AWS模块​​由伟创力与Vicor主供,Google模块由​​伟创力/台达​​为主、立讯为辅(需持续跟踪订单验证)。​​产业共识​​:HBM占据封装周边、AI芯片电流阶跃→​​VPD为确定性方向​​;​​ME‑BVM→SE‑BVM​​的迭代目标明确,但每一代均有新热/机械/可靠性门槛需跨越。

4. 重点公司速览

环节公司角色定位/进展客户/生态信号关注要点​​VPD模块/系统​​台达Google侧模块/PSU主力;参与800V生态Google模块主供之一;NV联盟PSU龙头模块化推进+供应链扩展(含PCB)伟创力(Flex)AWS/Google VPD模块;与MPS协同AWS/Google供货;PCB中富/深南合格供方ODM能力与多平台承接VicorFPA+VTM阵列;>2500–3000A能力;Gen4→Gen5、IP许可强调选择性供货与第二座晶圆厂后扩张专利/IP与产能约束并存MPSZ轴/高密度VRM;NV&CSP覆盖与中富/深南等PCB协同自研芯片+模块协同ADI/Empower拟收购Empower切入IVR/VPD强化贴近芯片的电源版图并购整合与客户落地新雷能一/二/三次电源全栈;VPD与PowerBlock并行;48→12V量产、800→50V送样海外客户批量;与ADI合作;海外产能规划二次放量+三次VPD突破​​功能化PCB/内埋​中富电路VPD电源PCB/内埋器件重点;设备/团队到位;内埋电感/高导热/HDI量产小批多方观点称入Google/AWS/AMD;泰国产能爬坡客户验证与大单兑现节奏世运电路芯片内嵌式PCB封装;卡位NV LPU算力卡打样良率领先、明年中或量产(需验证)技术量产与份额兑现威尔高NV一次电源PCB核心;三次板小批评估台达侧评估三次板一次向三次延伸的潜力​​无源/电感​铂科新材纳米晶电感匹配高频/超薄趋势高阶AI服务器链讨论中多次提及客户导入验证与爬坡顺络电子≤2mm厚度VPD电感;有“Empower独供”说法市场纪要口径(需验证)新品类量产与客户佐证​​器件/控制​​英飞凌2A/mm²四相VPD模块;多相/模块化并进AI机架功率上行带动份额机会路线与NV适配节奏5. 全球格局和国内格局VPD重塑AI电源价值分配,海外巨头收割专利红利,国内厂商借船出海破局

VPD(垂直供电)是解决高阶AI算力千安培电流损耗的唯一现实路径,其全面铺开将直接带动单卡电源价值量实现3至4倍的跃升。当前全球VPD市场呈现高度集中的寡头格局,底层专利和核心芯片被Vicor、英飞凌等海外巨头牢牢把控;国内厂商直接突围难度极大,但以新雷能为代表的企业正通过与海外芯片巨头深度绑定实现“借船出海”,迎来从0到1的业绩高弹性期。

产业逻辑与价值量跃升:为什么必须是VPD?

随着先进封装向Chiplet多die架构演进,传统横向供电的物理损耗已成为算力扩张的硬约束。数据显示,在传统架构下,6V供电链路的损耗是48V的64倍,而2V供电链路的损耗更是高达48V的526倍。VPD通过将电源模块直接置于处理器正下方,极大缩短了供电距离,是目前唯一能满足英伟达Rubin等下一代架构严苛要求的方案。

这一技术迭代直接重塑了电源环节的财务模型。VPD模块不仅技术壁垒极高(需解决2mm厚度限制下的散热与机械应力问题),其单卡价值量较传统分立方案也实现了翻倍以上的增长,部分核心模块的ASP提升幅度可达3-4倍

全球格局:海外巨头把控底层专利与核心模块

全球VPD供应链的核心话语权掌握在少数几家模拟芯片和电源架构巨头手中,主要分为专利授权方和核心模块供应商两类:


Vicor(维谛/怀格):垄断底层架构的“收租者”
Vicor是VPD技术的绝对先驱,拥有FPA架构和垂直供电的底层专利。其第一代VPD产品已在Cerebras的晶圆级引擎中大规模应用。公司当前的核心商业模式正向“产品销售+专利授权”双轮驱动演进,通过发起ITC 337调查“以打促谈”,迫使OEM和云巨头签订全包式授权协议。其IP授权业务毛利率接近100%,长期目标是占到产品总收入的50%。即将推出的第二代VPD产品(厚度仅1.5mm,电流密度达3A/mm²)将进一步巩固其技术护城河。
Infineon(英飞凌)与 MPS(芯源微):核心模块的主导者
英飞凌是全球GPU电压调节器(VRM)的龙头,正加速推动从横向向垂直供电的过渡,明确预期垂直电源业务份额将持续增加。MPS则凭借在集成电源级模块和数字控制器上的优势,在高端GPU供电插槽中持续抢占份额。
ADI(亚德诺):通过并购补齐拼图
ADI通过收购Empower Semiconductor,获取了集成电压调节器(IVR)和硅电容器的核心技术,完成了从电网到核心(grid-to-core)全链路电源战略的关键布局,极大增强了其在VPD领域的竞争力。
国内格局:系统级龙头全面布局,细分黑马借船出海

国内厂商在VPD底层芯片上尚存差距,但凭借在电源组件开发、先进封装和快速响应上的优势,正加速切入全球供应链:



新雷能:绑定ADI的“借船出海”典范
公司是国内少有的具备一至三次电源全栈布局的企业。在壁垒最高的VPD(三次电源)领域,新雷能选择与ADI深度绑定(ODM模式),利用ADI的芯片技术和海外渠道,成功绕过北美头部客户长周期的直接认证壁垒。目前双方已联合申请多项国际专利,VPD产品已有客户提出需求,并正为国内客户提供定制化开发。若该模式在海外大客户中顺利放量,将为其打开极大的市值修复空间。
中富电路:封装制造环节的稀缺标的
VPD模块对PCB和封装工艺要求极高。中富电路作为国内极少数在客户研发初期即切入供应链的厂商,其VPD相关产品已在CSP(云服务提供商)客户处陆续实现批量交付。该环节国内竞争格局极优(目前仅中富、深南电路具备能力),享有显著的先发红利。
台达电(Delta):系统级龙头的全面升维
作为全球服务器电源绝对龙头,台达电在VPD领域同样进展迅速。其Gen5垂直电源交付解决方案的电流密度已超原定目标,目前正与超大规模AI和网络处理器公司展开合作,从交付评估板和在线工具开始逐步导入。6. 潜在催化ADI‑Empower​​交易落地与产品融合路线;​​NV Feynman​​代三次电源方案明朗(模块化比重/PCB方案认证);​​Google/AWS新平台​​VPD量产节奏与新增PCB/模组供应商名录更新。

与800V HVDC协同的系统性机会:机柜功率走高→上游配电直流化​​:英伟达等提出​​800V HVDC​​到机架侧的演进,配电级减少级数、提升效率;VPD在“最后一厘米”承担​​降低PDN、提升瞬态​​的职责,形成“从电网到芯片”的协同优化链路。​​对PCB/模组的牵引​​:800V→48V/6V链路下,二次/三次电源功率密度、热与可靠性要求更严,反向强化​​VPD+功能化PCB​​的需求紧迫度。


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