华灿 Micro LED-ELS（CPO2.0 新一代并行 ELS）：用微米级阵列 Micro LED 芯片替代传统 InP 激光器做外置泵浦源，依托 LED 天生多通道并行发光属性，打造高密度数百通道并行外置光源，匹配英伟达 GB200/Blackwell“宽并行、低单速率、高聚合带宽” 短距光互连路线，是行业全新 ELS 技术分支。
2. 两条 ELS 路线核心差异
表格项目传统 InP 激光器 ELS（源杰 / 长光华芯）华灿 Micro LED 阵列 ELS（300323）发光单元单颗 / 少数通道 CW 激光器，串行 / 少通道Micro LED 阵列（单芯片数百像素发光），天然并行单位功耗3~4pJ/bit＜1pJ/bit（仅传统 1/3、铜缆 5%）带宽形态单路高速 PAM4（112G/224G），窄而快多路低速 NRZ 并行，单芯片聚合 Tbps 级带宽晶圆产线4 英寸 InP 化合物，造价高6 英寸 GaN 量产线，单片成本低 30%+传输距离短距＜2 米最远 50 米，覆盖机柜 / 机架 / 层间互联二、华灿 Micro LED-ELS 技术架构拆解1. 产品结构：Micro LED 光芯片 + MPD 微像素器件（ELS 核心组件）华灿 ELS 完整模组 =6 英寸 Micro LED 阵列发光芯片 + MPD 微像素集成器件 + 驱动电路（新相微配套）+ 外置可插拔封装，整体作为独立 ELS 光源单元，替代传统分立 CW 激光器光源盘：Micro LED 发光芯：芯片尺寸＜50μm，单片晶圆集成数百路独立发光像素，纳秒级开关速率，满足光通信调制响应；外延基于 GaN 成熟 LED 工艺，复用显示端巨量转移、阵列封装技术。
MPD 微像素器件：自研微像素光电集成件，完成光束准直、分光耦合，把阵列光统一耦合进多路保偏光纤，一对一接入硅光 CPO 光引擎微环调制器，实现一路 LED 对应一条光通道并行传输。
外置模组形态：标准化可插拔 ELSFP 封装，和传统激光器 ELS 接口兼容，可直接适配英伟达现有 CPO 交换机插槽，热控独立、故障单独插拔更换，不用更换 CPO 主板。
2. 全链路并行光互连工作流程
ELS 外置发光端（华灿）：独立温控仓内 Micro LED 阵列发出多路连续泵浦光，经 MPD 耦合→保偏光纤阵列 FAU；
CPO 封装端（硅光引擎）：多路泵浦光进入 ASIC 旁共封装硅光芯片，硅基微环调制器受电信号调制，将电信号加载至各路光束；
接收端：调制光经光纤送至 GPU / 另一交换机 CPO 光引擎，片上 PD 光电转换完成数据传输，数百通道同步并行收发，单模组聚合 1~3.2Tbps 带宽。
三、核心技术壁垒与对比优势（华灿独有）
1. 功耗壁垒（AI 算力核心痛点）Micro LED-ELS＜1pJ/bit，传统 InP 激光器 ELS≈3pJ/bit、铜缆≈20pJ/bit；AI 3.2T CPO 整机功耗下降 30%+，大幅缓解 GPU 集群散热瓶颈，适配 GB200 超高密度机柜部署。2. 量产制造壁垒
全球首条 6 英寸 Micro LED 光通信专用量产线（珠海金湾 2025 投产），芯片良率＞90%，MPD 年产能 220 亿颗；行业主流激光器仍以 4 英寸 InP 产线为主，单片晶圆出货量、成本劣势明显。
IDM 全链条自研：外延→芯片制造→MPD 封装一体化，京东方玻璃基载板协同（2026 京东方 × 康宁玻璃光互连战略合作），解决 Micro LED 高精度封装耦合难题。
3. 产业链协同闭环
驱动芯片：新相微（688593）战略合作，联合开发 “Micro LED 光源 + 专用驱动 IC” 一体化 ELS 模组，补齐电路短板，从芯片直达光模块落地；
封装载体：京东方 + 康宁玻璃基板，玻璃基无源光路替代硅基，降低 CPO 无源器件成本；
客户端：英伟达供应链验证（国内唯一 LED 光源厂商），Micro LED-ELS 已送样英伟达 Blackwell 平台 CPO 项目评估，进入备选光源名录。
四、产业链定位：华灿在 CPO 的角色（上游光源，非光模块厂）
CPO 产业链三层拆分：上游（华灿）：ELS 光源芯片→Micro LED 阵列 + MPD，CPO “发光源头”，对标源杰 / 长光华芯的激光器赛道（差异化新一代路线）；
中游（中际旭创 / 天孚通信）：CPO 光引擎、FAU 光纤阵列、光模块，采购华灿 ELS 光源做整机；
下游（英伟达 / 云厂商）：AI 交换机、GPU 集群整机。
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