第一部分：VPD——算力狂飙下的“隐秘卡脖子”环节与爆发前夜
在全球大模型参数量呈指数级爆发的背景下，算力基础设施正面临物理定律的终极考验。市场普遍聚焦于GPU芯片本身，却忽视了制约超大算力落地的两大底层“卡脖子”瓶颈：供电墙（Power Wall）与内存墙（Memory Wall）。
VPD（Vertical Power Delivery，垂直供电技术 / Vital Product Data，关键参数存储）在这两大领域均扮演着不可替代的核心角色。无论是由英伟达Rubin架构与华为引领的板级垂直供电变革，还是由CXL/eSSD驱动的新一代存储参数管理，VPD都是国产超大算力网络中完全绕不开的核心标的，正处于全面爆发的前夜。
随着AI芯片算力密度激增，芯片核心电压虽维持低压，但电流呈指数级上升，高性能计算的电流密度已达3~4A/mm²。传统的横向供电（LPD，Lateral Power Delivery）受制于物理定律，其长距离传输带来的I²R电阻损耗与PDN阻抗，已无法满足现代AI核心对小于1V的严苛电压容差要求。
VPD（垂直供电技术）应运而生，成为行业确定性方案：
VPD通过将电源模块直接贴装在GPU/ASIC的正下方（PCB背面），实现供电路径的物理折叠。这一变革不仅大幅压降了线损，更将主板正面极其宝贵的空间还给了HBM显存与高速I/O。
二、 击穿“内存墙”：VPD芯片卡位新一代AI存力基建
除了供电维度的VPD，在数据中心存储架构演进中，VPD芯片（Vital Product Data）同样是核心的卡脖子环节。大模型推理场景中，固态硬盘（SSD）不再仅仅是数据容器，而是深度参与运算的“扩展内存”，承担KV Cache缓存等实时任务。
CXL与eSSD架构带来的VPD刚需：
CXL（Compute Express Link）作为全新的互联技术标准，能够让CPU与GPU实现高速互联，大幅度扩展内存容量，这对于AI大模型训练至关重要。市场预期全球CXL市场规模将从2026年的21亿美元飙升至2028年的158亿美元。 在这一架构中，VPD芯片被集成于E3.S等新一代EDSFF eSSD模组和CXL内存扩展模组中，用于提供关键参数管理、设备识别及系统级校验能力。
国产龙头的全球领先身位：
新雷能技术对标国际，在壁垒最高的VPD（三次电源）领域，新雷能选择与ADI深度绑定（ODM模式），利用ADI的芯片技术和海外渠道，成功绕过北美头部客户长周期的直接认证壁垒。目前双方已联合申请多项国际专利，VPD产品已有客户提出需求，并正为国内客户提供定制化开发。以聚辰股份为代表的国产芯片龙头，已与牵头制定行业标准的全球领先存储原厂建立深度合作，成为全球首家进入设计验证阶段的VPD开发商。这种深度的先发优势构筑了极高的技术与生态壁垒，成功打破了海外垄断，成为国产AI存力基建中极具弹性的稀缺标的。
三、 软硬共振：国产大模型驱动下的全面爆发近期 DeepSeek-V4 的重磅发布，标志着国产大模型在Agent能力、世界知识和推理性能上达到新高度，更为关键的是其与国产算力底座的深度适配。据技术报告披露，DeepSeek-V4在后训练阶段采用了细颗粒度EP并行策略，在华为昇腾芯片上实现了1.5至1.9倍的速度提升；同时在推理端也与寒武纪等国产芯片完成了基于vLLM框架的深度适配。
随着下半年超级节点大批量上市，国产算力将迎来真正的可用拐点。而算力集群的大规模落地，必将向上游核心元器件传导。作为高算力不可或缺的底层支撑，VPD（无论是解决供电瓶颈的垂直供电方案，还是解决存储瓶颈的参数管理芯片）将迎来确定性的戴维斯双击。
总结在AI算力军备竞赛进入深水区的今天，“堆芯片”已不再是唯一解。突破物理极限的供电架构（Power VPD）与打破存储瓶颈的关键组件（Storage VPD），构成了超算力产业链中最具爆发力的“隐秘角落”。在国内大模型与国产算力芯片双向奔赴的浪潮中，提前卡位VPD核心技术的企业，必将享受行业从0到1、从1到N的巨大红利，建议重点关注并布局该赛道相关的核心标的。
第二部分：算力浪潮下的高阶硬件传导路径
随着AI服务器架构的持续升级（如英伟达GB200向Rubin架构演进），AI硬件底座正迎来一场从“量变”到“质变”的革命。从底层材料的供给错配，到PCB形态的功能化演进，再到供电网络（PDN）架构向VPD（垂直供电）的终极跨越，产业链呈现出极其清晰的“材料→功能化PCB→被动元件→VPD模组”传导顺序。这一量价质三重共振的时间窗口将于2026年下半年全面开启，并贯穿整个2027年。
以下我们将结合产业深度数据，为您全景图解这一传导路径的核心逻辑。
一、 核心脉络：AI硬件升级的四大传导梯队
图表解读：
AI服务器的迭代对底层硬件提出了极端的性能要求。由于上游高端材料（如高端电子布、高性能铜箔）扩产认证周期通常长达2-3年，供给弹性的缺失与终端指数级的需求增长形成了严重的供需错配。这种材料端的稀缺不仅直接推升了成本，更进一步倒逼中游PCB制造工艺迭代，并最终汇聚于解决“能耗巨兽”供电瓶颈的VPD模组端，形成了层层递进的涨价与价值重估周期。
图表解读：
AI服务器内部功率密度的极速攀升，直接重塑了供电网络（PDN）的结构，被动元件与供电模组迎来了前所未有的超级周期。
总结：从“上游高阶材料的刚性缺口”，到“中游PCB的形态跃迁”，再到“下游VPD与被动元件的量价齐升”，AI基础设施建设已进入深水区。2026年下半年至2027年，将是这条传导链上各个核心节点兑现业绩高弹性的黄金时间窗。
新雷能在谷歌链的布局已进入关键验证期，7月13日谷歌将召开内部订单大会。公司依托ADI，向谷歌送样的±400V转50V二次电源（800-54V方案）5月初样已通过，近期已交付正样，预计7月出结果。同时三次电源VPD处于全球第一梯队，供应资格基本锁定。一旦结果正面（新雷能相关技术实力处于全球第一梯队，预计很大概率正面），公司将正式切入谷歌TPU整机柜的批量电源配套，打开中期业绩弹性——二次电源放量明年预计贡献25亿收入、4-5亿利润，一次电源潜在空间50-100亿订单，远期市值有机构看到500-600亿，3倍以上空间。
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