日本TOK、JSR、信越化学、富士电子2026年6月宣布对中国ArF/EUV光刻胶停止新单，KrF大幅压减；驻场技术团队全面撤离。光刻胶占芯片制造成本30%、耗时50%，日企全球市占率约80%（EUV超97%）。
断供冲击面覆盖28nm以下所有产线。
中国对日依赖度：光刻胶整体进口依赖度高达80%~90%，其中50%以上来自日本。具体到品类：KrF光刻胶自给率约5%；ArF光刻胶几乎完全依赖进口；EUV光刻胶为零自给。
光刻胶是芯片制造中最关键的耗材，占整个制造成本约35%。按光源波长从大到小，分为g线（436nm）、i线（365nm）、KrF（248nm）、ArF（193nm）和EUV（13.5nm）等品类，波长越短，对应的制程越先进，技术壁垒越高。
四重动因：①美日对华半导体管控从设备端延伸至材料端，围堵密度加大；②国产光刻胶在中低端已具规模替代能力，日企长期垄断根基松动；③JSR已宣布在台湾为台积电2nm产线设立工厂，资源东移；④看清中国高端光刻胶量产"破晓"前夜，选择在最后一刻掐断供应线。
断供短期制造阵痛，中长期倒逼替代提速，供给侧重组不可逆！！！
英特美二期项目年产1000吨电子材料中间体目前已完成小试、中试、备案工作，正在有序开展设计、四评及招标等前期筹备工作，2026年2月底左右正式开工建设，预计将于2026年底前建成，目前中试产品已得到了客户的验证，并与下游重要客户签署了采购量为281吨的框架性采购协议。传统业务方面，2026年一季度佳先股份本部经营状况改善，顺利实现扭亏为盈，自2026年3月起，公司结合行情及时进行提价，单月盈利有效改善。
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