MOCVD（Metal-Organic Chemical Vapor Deposition）即金属有机化学气相沉积，是制备化合物半导体单晶薄膜的核心外延技术，广泛用于 LED、激光器、功率器件与射频芯片制造。一、核心原理
前驱体（源料）：
Ⅲ 族 /Ⅱ 族：金属有机物，如三甲基镓 TMGa、三甲基铟 TMIn、二乙基锌 DEZn
Ⅴ 族 /Ⅵ 族：氢化物，如氨气 NH₃、磷烷 PH₃、砷烷 AsH₃
生长过程：
载气（高纯 H₂）将前驱体带入反应室
衬底（蓝宝石、SiC、Si 等）加热至500–1200℃
前驱体在衬底表面热分解、反应、外延生长，形成单晶薄膜
副产物随尾气排出并处理
二、设备构成
气体输送单元：高精度流量控制（±0.1%）
反应室：常压 / 低压（10–100 Torr），衬底旋转提升均匀性
加热系统：红外 / 石墨加热，温度均匀性 ±1℃
尾气处理：去除有毒 / 可燃气体，符合环保规三、关键特点
✅ 精确可控：纳米级厚度、组分、掺杂与界面控制
✅ 适用性广：生长 Ⅲ–Ⅴ 族（GaN、GaAs、InP）、Ⅱ–Ⅵ 族（ZnO、CdTe）等
✅ 量产能力强：单炉 24–61 片，年产能可达 500 万片 6 英寸外延片
✅ 晶体质量高：大面积均匀、低缺陷、高纯度
四、主要应用
光电子：蓝 / 绿 / 白光 LED、激光器（LD）、VCSEL、紫外探测器
功率半导体：GaN HEMT、SiC MOSFET（新能源汽车、光伏、工业电源）
射频 / 微波：5G 基站、卫星通信用 GaN 射频器件
电子材料：量子阱、超晶格、二维材料（如石墨烯、h‑BN）
五、行业地位
全球格局：设备市场长期由 **Aixtron（德）、Veeco（美）** 主导；中微公司、中晟光电等国产厂商快速崛起，实现部分替代。
技术对比：与 MBE（分子束外延）相比，MOCVD产能更高、成本更低、适合大规模量产；MBE 则专注超高精度、低缺陷的科研与高端器件场景。
六、总结
全系列 MOCVD：GaN（LED/Mini-LED）、GaAs、InP、SiC、GaN 功率都做。
代表机型：Prismo D-BLUE（GaN）、HiT3（GaAs/InP）、UniMax（SiC）。
地位：全球 GaN MOCVD 龙头，唯一能量产 InP 光芯片 MOCVD 的国产设备商。
2. 北方华创（002371）
MOCVD：GaN、GaAs、SiC；InP 机型在研（未出货）。
代表机型：Satur N800（GaN）、V700（SiC）。
地位：平台型设备商，2025 年批量出货 GaN/SiC MOCVD。
3. 晶盛机电（300316）
MOCVD：仅 SiC 专用（6/8 英寸），不做 GaN/GaAs/InP。
代表机型：自研双片 / 单片式 SiC-MOCVD。
地位：国内 SiC-MOCVD 市占领先，功率器件外延专用。
剩下的就是拥有MOCVD设备的厂商（特指InP，不包含GaN/GaS），具体数量信息不保证准确，：
东山精密索尔思：12-13台
海威华芯：8-10台三安光电：8台源杰科技：12-13台
长光华芯：7台
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