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三星已经量产并商业出货，SK hynix、美光也开始批量出货。竞争焦点正从“谁先发布”转向客户验证、量产良率和先进封装产能。
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🧠 单颗 AI 芯片为何需要 432GB HBM4
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AI 芯片需要持续读取模型权重、激活值和 KV cache。内存带宽跟不上，计算核心就会等待数据，新增算力无法充分释放。
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HBM 把多层 DRAM 堆叠在计算芯片附近，通过硅通孔和超宽接口提高数据吞吐。AMD MI455X 因此搭载 12 个 HBM4 堆栈，总容量 432GB，峰值带宽 23.3TB/s。
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美光预计，全球 HBM 可服务市场将由 2025 年约 350 亿美元增至 2028 年约 1,000 亿美元。
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🔬 HBM4 的难点已不只是 DRAM
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- I/O 从 HBM3E 的 1,024 个增加到 2,048 个
- 堆叠从 12 层向 16 层扩展，减薄、翘曲和散热难度上升
- 逻辑基底承担更多控制功能，TSV、键合、模封和测试共同决定良率
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🏁 三大厂进入量产竞速
- 三星：2 月宣布 HBM4 量产并商业出货，6 月送出 HBM4E 样品
- SK hynix：第二季度开始 HBM4 批量出货，12 层 HBM4E 已送样
- 美光：向首要客户平台大批量出货，其他客户仍在认证
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🏭 增量沿制造链条展开
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DRAM 晶圆 → TSV → CMP/减薄 → 多层键合与模封 → 逻辑基底 → 2.5D 先进封装 → 测试 → AI 加速器。
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TrendForce 预计，2026 年底 HBM 投片量约占整体 DRAM 投片量的 22%，对应位元供给约占 9%。更高的晶圆消耗和封装复杂度，把增量带向前驱体、CMP/减薄、键合设备和高导热封装材料。
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🇨🇳 国内产业进展
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- 雅克科技：公司称产品已在客户 HBM 环节稳定供应
- 华海清科：CMP 设备进入国内 HBM、三维堆叠产线
- 联瑞新材、华海诚科：布局低 α 粉体和高导热封装材料
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接下来重点看 HBM4 客户验证、12/16 层量产良率，以及热压键合设备和 CoWoS-L 扩产。
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资料来源：Samsung、SK hynix、Micron、AMD、TSMC、ASMPT 官方资料；TrendForce；相关公司年报与业绩会。数据截止 2026-08-18。本文不构成投资建议。
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