闪迪披露3D堆叠专利 揭示闪存算力一体化趋势

2026-06-22 21:57:3023

闪迪本次披露的 3D 堆叠方案(行业也称 HBF 高带宽闪存),核心是通过 CBA 混合键合技术实现 NAND 与计算芯片的垂直集成,利好将沿着核心合作封测 / 模组厂→键合 / 封装设备→3D NAND 材料→中介层 / 基板→散热方案的产业链顺序传导,以下按确定性层级与壁垒高低梳理对应标的:一、第一梯队:直接绑定 Sandisk,技术落地确定性最高这部分企业已与 Sandisk 建立深度合作,直接参与 CBA 技术的产业化落地,是事件驱动下弹性最明确的核心龙头。
长电科技(600584)
国内封测绝对龙头,持有 Sandisk 中国全资封测厂晟碟半导体 80% 股权,是 Sandisk 全球第二大封测服务商,承接其全系列 NAND 封测订单;已率先完成 HBF 全套封装工艺验证,2.5D/3D 堆叠、TSV 硅通孔等技术完全适配 “GPU+HBM+NAND” 的异构集成方案,是该技术量产的核心封测载体。
江波龙(301308)
Sandisk 在华唯一 TCM(技术合约制造)模式合作伙伴,双方联合开发高端存储产品;Sandisk 直接向其输出 CBA 先进封装技术与 218 层 3D NAND 颗粒,公司配套自研主控芯片与封测产能,是国内少数深度参与 Sandisk CBA 技术落地的存储模组厂商。
太极实业(600667)
子公司太极半导体自 2016 年起为 Sandisk 提供 NAND 闪存全流程封测服务,连续多年获评西部数据最佳供应商,成熟的存储封测产能将直接受益于 Sandisk 3D 堆叠方案的订单扩容。
二、第二梯队:混合键合核心设备,壁垒最高的产业卖水人CBA 技术的本质是 CMOS 控制电路与存储阵列的晶圆级直接键合,属于混合键合技术的细分应用,设备是量产落地的核心卡点,也是整条产业链中技术壁垒最高的环节。
拓荆科技(688072)
国产混合键合设备领军者,W2W(晶圆对晶圆)混合键合设备 Dione 300 已实现量产并获客户复购,同时布局 C2W(芯片对晶圆)键合预处理设备,是国内极少数掌握纳米级键合精度的厂商,直接适配 3D NAND 与逻辑芯片的垂直堆叠需求。
北方华创(002371)
国内全品类半导体设备平台,已发布 12 英寸混合键合设备并完成客户端工艺验证;同时是 3D NAND 产线的核心设备供应商,覆盖刻蚀、薄膜沉积、清洗等核心工序,同时受益于闪存层数升级与封装工艺迭代双重红利。
中微公司(688012)
国内高深宽比 TSV 刻蚀设备绝对龙头,3D 堆叠方案中 HBM、NAND 与计算芯片的垂直互联高度依赖 TSV 硅通孔工艺,公司设备在 3D NAND 产线中市占率领先,同时通过战略投资纵深布局键合技术。
芯源微(688037)
国内临时键合 / 解键合设备核心厂商,晶圆减薄、多层堆叠工艺的必备配套设备,适配 3D NAND 制造与先进封装的全流程堆叠需求。
三、第三梯队:3D NAND 产业链材料闪存堆叠层数提升、封装复杂度增加,将带动上游材料用量与价值量同步提升,属于确定性较强的配套受益环节。
雅克科技(002409):3D NAND 薄膜沉积前驱体核心供应商,闪存层数越高,薄膜沉积工序越多,材料需求持续扩容。
安集科技(688019):CMP 抛光液国内龙头,3D 堆叠与先进封装将大幅增加 CMP 工序数量,直接带动抛光液需求增长。
鼎龙股份(300054):国内 CMP 抛光垫龙头,市占率领先,同时布局先进封装材料,受益于存储与封装双赛道升级。
四、第四梯队:中介层与封装基板方案中 HBM 与 NAND 需集成在同一中介层上,异构集成将推高硅中介层、高端封装基板的需求,属于 2.5D/3D 封装的核心耗材。
盛合晶微(688820):国内唯一实现 12 英寸硅中介层规模化量产的企业,是 2.5D/3D 异构封装的核心材料供应商,直接适配 “计算芯片 + HBM+NAND” 的同中介层集成方案。
深南电路(002916)、兴森科技(002436):国内高端封装基板核心厂商,ABF 载板等产品支撑异构集成的封装布线需求。
五、第五梯队:散热解决方案(远期弹性赛道)3D 垂直堆叠会显著提升芯片散热与功耗管控难度,高导热散热材料是方案商业化必须攻克的环节,具备技术储备的厂商将长期受益。
楚江新材(002171):国内碳基热管理材料核心厂商,旗下金刚石散热、碳纤维热场材料适配高功率 3D 堆叠芯片的散热需求,是先进封装散热升级的核心受益标的。
中石科技(300684):芯片级导热材料龙头,覆盖高导热凝胶、均热板等产品,适配先进封装的精细化散热需求。

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