海特高新，磷化铟/氮化镓低位

海特高新参股的海威华芯是国内极少数同时覆盖砷化镓Ga­As、氮化镓GaN、磷化铟InP三条6英寸化合物半导体产线的代工厂，也是海特高新（002023）核心参股资产（持股32.27%）。
1. 砷化镓 Ga­As（第二代半导体，成熟主力产线）
- 国内最早量产6英寸Ga­As平台，0.15μm/0.25μm pH­E­MT、HBT成熟制程；
- 用途：5G基站射频、车载毫米波雷达、军工相控阵、VC­S­EL激光雷达；
- 产能：月投片12000片，是公司营收基本盘，长期稳定供货头部通信厂商。
2. 氮化镓 GaN（第三代半导体，射频+功率双线）
- 拥有SiC基氮化镓完整量产工艺，0.15/0.25/0.5μm全制程；
- 两大应用方向：
① 射频GaN：低轨卫星通信、6G、军工雷达功放；
② 功率GaN：新能源车车载快充、AI服务器电源；
- 产能：月投片4500片，商业航天赛道订单持续放量。
3. 磷化铟 InP（光芯片核心，AI算力增量主线）
- 国内稀缺6英寸InP全流程量产代工平台（外延+晶圆制造一体化）；
- 工艺可做DFB、EML高速激光器芯片，适配800G/1.6T算力光模块、CPO；
- 现状：2025年起批量供货，良率突破60%，客户包含华为海思、中际旭创、光迅科技，订单排至2027年；月产能6000片，是公司未来最大业绩弹性来源。

一个可以代工磷化铟衬底外延，爱思强G4+设备20多台，几乎是索尔思+源杰+仕佳+鼎芯总和的公司，市值才不到100亿！

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