1、碳化硅衬底行业反转在即，核心驱动因素为AI打开应用场景：（1）HVDC率先放量：AI服务器的功耗持续攀升，对电源系统提出了极高要求，英伟达数据中心供电架构从传统低压系统向800伏高压直流（HVDC）架构演进，SiC凭借更耐高压、散热性更强等优势，天生比硅更适应高压环境；（2）三星正式重启8英寸碳化硅（SiC）代工业务，2027年建成试点线、2028年实现量产；（3）碳化硅龙头Wolfspeed公布了2026财年第三季度（截至2026年3月31日）财报，公司当期营收约1.502亿美元，同比下滑19%，但AI数据中心相关业务环比增长约30%，已成为新的增长引擎。
2、晶盛碳化硅衬底已规划产能合计90万片：（1）导电型（6、8寸兼容）：国内一期30万片+二期新建60万片长晶产能，合计产能达90万片，外加海外马来西亚24万片切磨抛年产能，是国内为数不多能够实际量产8寸的衬底厂商；（2）半绝缘型：12寸衬底已通线，AR眼镜、CoWoS中介层等已经对接头部客户。
3、晶盛核心优势在于设备自制+电费便宜+海外产能搭建：（1）长晶+切片+研磨+抛光所有设备全部自制，无需外采外部设备，成本低+迭代速度快；（2）长晶全部在宁夏银川，工商业电费很低仅需4-5毛，所以晶盛sic的生产成本极具优势；（3）目前国内唯一一家有实际海外产能的，在马来西亚规划了24万片工厂，主要配套英飞凌等海外器件大厂。
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