白话文：存储行业怎么看

存储好多年了，不是啥新玩意，上面这几个概念你只需要知道他们在电脑的哪个位置就可以了，比方说：

SRAM 集成在CPU die上，是距离算力核心最近的存储，平时我们看不到；

DRAM 通过内存总线直接与CPU通信，也就是我们经常说的内存条。

NAND Flash 属于外部存储，简单说就是硬盘。

这里DRAM和SRAM是易失性的，就是断电信息就丢失；NAND 是非易失性的，断电不丢失。

而今天我们要讲的主角HBM其本质是DRAM的一种，只是芯粒组织形式不同，稍后我们单独介绍。

总之，上面这些芯片材料，越靠近算力芯片，材料就越贵，速度越快，容量就越小。

二、HBM长什么样？解决什么问题？有啥特点？

HBM的全称是High Bandwidth Memory，本质仍然是DRAM。它不是把普通内存条插在GPU旁边，而是将多层DRAMDie垂直堆叠，通过TSV连接，再把数颗HBM Stack与GPU Die共同放在硅中介层和封装基板上。

这种布局把GPU与内存之间的物理距离大幅缩短，把传统内存较窄的传输通道扩展成超宽接口。简单来说HBM解决的是AI时代的存储墙限制，因为训练和推理需要反复读取模型权重、激活值和KV Cache，传输速度太低可不行。

HBM的特点：1）单芯粒尺寸大于普通存储芯粒，损失的边角料更多，同等bit需要更多晶圆，堆叠还会叠加良率损失；2）依赖TSV、先进封装技术；3）制程方面要求也越来越高。

三、存储以前是典型的周期行业

需求端：主要是靠消费电子驱动，存在一定弱周期性；

供给端：一旦市场缺货，供给刚性，短期上不来，价格弹性就很大；

存货：因为价格弹性大，产业内会提前囤货，反而加剧了价格波动。

所以，存储周期波动修改下最核心的根源是供给不能快速对需求做出反应，供给的时间可能需要两年的时间，下面有个简单示意图供参考，核心在供给端哈。

四、那为啥这一轮不一样了呢？

以前是消费电子销量驱动，现在变成了算力驱动。

传统消费电子需求的周期波动相对还算温和，每台设备上的存储容量提升也是相对温和的，但是AI时代不一样。

需求侧来说，AI服务器则同时增加加速器数量、HBM容量、CPU内存和本地存储；

供给侧来说，由于HBM芯粒更大、还要堆叠良率损耗，同等bit的HBM需要消耗更多晶圆；代际越高，这种晶圆损失就越明显，见下图：

所以，不简单是存储厂把产能转到HBM的问题，HBM单位bit还要消耗更多的产能，让本来就捉襟见肘的DRAM产能更加吃紧。好在HBM下游客户不差钱，有多少卖多少，所以海力士三星这些都疯狂把产能往HBM上面转。结果就是导致原本不那么缺的DDR4 /DDR5存储也缺产能涨价。

五、存储要缺到啥时候？

回答这个问题前，我们先来看一张很恐怖的图，这个图是摩根大通的预测，蓝色柱状图是大型CSP的资本开支，黄色曲线图是存储在硬件资本开支里的占比，2028年要占60%？难怪前端时间老黄要想办法通过架构优化来降配存储，这占比实在是夸张。

因为行业缺货，下游客户都想通过长协锁订单，这样反而订单能见度变高，根据摩根大通的数据，预测到2028年还有22%的缺口。

这么缺并不是厂家不扩产，而是下游需求实在太火爆了，下面这个图是TrendForce做的产能增量数据图。27增量比26年接近翻倍，28年增量增长20%左右。其中长鑫科技在增量产能中占比明显。

未来长鑫将是全球存储厂中重要的一员，这里主要指的是DRAM产品。技术上来说长鑫目前和前面那几家还是有差距的，比方说下面这个图，左边衡量的就是长鑫全球的容量占比是低于其在全球的产能占比的，这里差异的原因就是技术水平的问题。不过右边NAND（长江）似乎没有明显差异。

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